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仲飞

作品数:11 被引量:52H指数:5
供职机构:暨南大学理工学院物理学系更多>>
发文基金:广东省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 9篇发光
  • 8篇有机发光
  • 7篇有机发光二极...
  • 7篇二极管
  • 7篇发光二极管
  • 4篇空穴
  • 4篇缓冲层
  • 3篇电致发光
  • 3篇空穴缓冲层
  • 3篇发光器件
  • 3篇ITO
  • 3篇表面处理
  • 2篇电流效率
  • 2篇电致发光效率
  • 2篇有机发光器件
  • 2篇退火
  • 2篇纳米
  • 2篇基底
  • 2篇溅射
  • 2篇光效

机构

  • 11篇暨南大学

作者

  • 11篇仲飞
  • 11篇刘彭义
  • 5篇翟琳
  • 3篇吴敬
  • 2篇段光凤
  • 1篇张丽丽
  • 1篇任思雨
  • 1篇张志律
  • 1篇张靖磊
  • 1篇孙汪典
  • 1篇叶勤
  • 1篇张靖垒

传媒

  • 2篇发光学报
  • 2篇液晶与显示
  • 1篇传感器世界
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇2006中国...

年份

  • 1篇2008
  • 4篇2006
  • 6篇2005
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管被引量:11
2006年
采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。
仲飞叶勤刘彭义翟琳吴敬张靖垒
关键词:有机发光二极管空穴缓冲层电流效率
磁控溅射法制备TiO_2空穴缓冲层的有机发光器件被引量:5
2005年
采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/A lq3/A l)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍。这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡。
仲飞刘彭义任思雨
关键词:磁控溅射有机发光二极管空穴缓冲层
磷酸处理ITO基底对有机发光二极管性能的改善被引量:3
2006年
用10%、15%、20%3种浓度(体积分数)的磷酸分别对ITO玻璃进行处理,四探针测试表明其面电阻基本不变,原子力显微镜观测到酸处理后的ITO表面形貌更加平坦,紫外-可见光光谱显示出磷酸处理几乎不影响可见光透过率;以之为基底制备了典型结构(ITO/TPD/Alq/Al)有机发光二极管(OLEDs),并对其光电性能进行了测试,结果表明在经过浓度为15%的磷酸处理过的ITO玻璃上制备的OLEDs表现出最好的光电性能,其发光最大亮度和发光效率分别是未经酸处理的ITO上器件的近2倍。
翟琳仲飞刘彭义
关键词:OLED表面处理ITO电致发光效率
典型有机发光二极管中载流子传输和复合模型被引量:3
2006年
提高载流子复合效率是改善有机发光二极管(OLED s)发光效率的重要方法。采用真空热蒸发成膜法制作了典型双层结构的OLED s(ITO/TPD/A lq3/A l)。二极管的性能测试结果表明器件的电流-电压关系与Fow ler-Nordhe im场发射载流子注入理论符合得较好。以Fow ler-Nordhe im场发射载流子的隧穿注入理论为基础,对OLED s的电流进行理论分析和数学推导,建立典型双层结构有机发光二极管中载流子传输、复合的理论模型。以此模型为依据,对载流子注入复合进行理论分析,探究载流子注入复合的效率的表达式。在外加电压和器件材料一定下,得出了载流子复合效率与阳极区一侧积累的空穴面密度和阴极区一侧积累的电子面密度的关系表达式。
吴敬仲飞刘彭义
关键词:有机发光二极管
用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管(英文)被引量:2
2008年
用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10nm时,器件的发光电流效率增加40%。研究结果表明ZnS薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性。
张靖磊仲飞刘彭义
关键词:有机发光二极管ZNS薄膜空穴缓冲层电流效率
有机发光二极管载流子注入缓冲层研究
本文在典型双层有机发光二极管的基础上,分别使用CuPc和LiF作为空穴注入层和电子注入层,制作了典型结构的多层器件ITO/CuPc/TPD/Alq/LiF/ Al。对器件光电性能测试表明,加有载流子注入层的器件性能得到很...
仲飞吴敬刘彭义
关键词:有机发光二极管空穴注入层电子注入层载流子平衡
文献传递
TiO_2气敏传感器研究进展被引量:11
2005年
TiO2气敏传感器具有工作温度低、灵敏度高、响应速度快、制备简单等独特优点,已经成为人们关注的热点。本文概述了TiO2材料的导电类型和气敏机理,介绍了TiO2气敏传感器两个方面的研究进展:运用传统掺杂方法和利用纳米技术改善传感器性能;展望了TiO2气敏传感器今后的研究和发展方向。
翟琳仲飞刘彭义
关键词:气敏传感器二氧化钛金属氧化物半导体气敏机理纳米传感器
有机小分子电致磷光及发光机理研究进展被引量:2
2005年
在过去10余年对小分子和聚合物电致发光器件的研究中,由于器件三线态激子能量没有得到充分的利用,使器件的内量子效率存在25%的理论极限,大大限制了其发光效率。为突破这一理论极限,在小分子主体材料中掺杂磷光染料制成电致磷光器件是近几年研究的热点,磷光染料的掺杂可以充分利用单线态和三线态激子,理论上器件的内量子效率可以达到100%。本文针对有机小分子电致磷光器件的发展、发光机理以及主客体分子间的能量传递等方面作了简明的讨论,指出了在器件设计时应该注意的一些问题。
仲飞段光凤刘彭义
关键词:有机小分子发光机理聚合物电致发光器件内量子效率激子能量单线态
磷酸处理ITO基底对有机发光二极管性能的改善
用10%、15%、20%三种浓度的磷酸分别对ITO玻璃进行处理,四探针测试表明其面电阻基本不变,原子力显微镜观测到酸处理后的ITO表面形貌更加平坦,紫外-可见光光谱显示出磷酸处理几乎不影响可见光透过率保持不变;以之为基底...
翟琳仲飞张志律刘彭义
关键词:有机电致发光显示器表面处理ITO电致发光效率
文献传递
磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜光催化降解苯酚的研究被引量:5
2005年
采用射频磁控溅射方法分别在玻璃、A1片和ITO玻璃上制备出性能优良的TiO2纳米薄膜,研究了薄膜光催化性能。通过XRD、SEM和UV-Vis吸收光谱对薄膜进行表征,研究了不同退火温度和不同衬底对薄膜光催化性能的影响。结果表明:薄膜经500℃退火处理,TiO2由非晶转变为锐钛矿结构,并且退火后薄膜的紫外吸收波长发生红移,光催化降解性能提高;比较玻璃I、TO玻璃和A1为衬底制备的TiO2薄膜,以A1片为衬底的TiO2薄膜,由于形成Schottky势垒,光催化性更好。
张丽丽刘彭义仲飞翟琳孙汪典
关键词:纳米TIO2薄膜射频磁控溅射退火光催化降解
共2页<12>
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