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伍仪胜

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

主题

  • 1篇能级
  • 1篇阈值
  • 1篇阈值电压
  • 1篇离子敏场效应
  • 1篇离子敏场效应...
  • 1篇氢
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管
  • 1篇H

机构

  • 1篇中国科学院电...

作者

  • 1篇伍仪胜
  • 1篇郑自攀
  • 1篇韩泾鸿

传媒

  • 1篇第六届全国敏...

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
H<'+>-ISFET传感器阈值电压跃变机理研究
针对氢离子敏场效应管(H&lt;&#39;+&gt;-ISFET)在研制过程中出现的突然反型，即阀值电压V&lt;,T&gt;负跳变几伏至十几伏的现象，进行了研究。以H&lt;&#39;+&gt;-ISFET理论为基础，...
郑自攀韩泾鸿伍仪胜
关键词：阈值电压能级
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