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余彤军

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇紫外发光二极...
  • 2篇金属有机化学...
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体质量
  • 2篇化物
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇光强
  • 2篇光强度
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇发光强度

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇章蓓
  • 2篇李忠辉
  • 2篇杨志坚
  • 2篇秦志新
  • 2篇张国义
  • 2篇余彤军
  • 2篇胡晓东
  • 2篇陈志忠

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法
本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物...
杨志坚张国义李忠辉余彤军胡晓东陈志忠秦志新章蓓
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氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法
本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物...
杨志坚张国义李忠辉余彤军胡晓东陈志忠秦志新章蓓
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