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全祖赐
作品数:
2
被引量:2
H指数:1
供职机构:
武汉大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
郭涛
湖北大学物理学与电子技术学院
章天金
湖北大学物理学与电子技术学院
张柏顺
湖北大学物理学与电子技术学院
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武汉大学
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湖北大学
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全祖赐
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张柏顺
1篇
章天金
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郭涛
传媒
1篇
电子元件与材...
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2010
1篇
2006
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BST薄膜的磁增强反应离子刻蚀研究
被引量:2
2006年
分别以CF4/Ar和CF4/Ar/O2作为刻蚀气体,采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术对sol-gel法制备的BST薄膜进行刻蚀。结果表明,刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率呈现非单调特性。当CF4/Ar的气体流量比R(CF4:Ar)为10:40时,刻蚀速率达到极大值。当CF4/Ar/O2的气体流量比R(CF4:Ar:O2)为9:36:5时,刻蚀速率达到最大值,最大刻蚀速率为8.47nm/min。原子力显微镜(AFM)分析表明,刻蚀后的薄膜表面粗糙度变大。对刻蚀后的薄膜再进行适当的热处理,可以去除部分残留物。
张柏顺
全祖赐
郭涛
章天金
关键词:
无机非金属材料
BST薄膜
刻蚀速率
表面形貌
环境友好型多功能氧化物薄膜的微结构、光学、电学和磁学性能研究
和有毒并有挥发性的铅基功能薄膜相比,Ba1-xSrxTiO3(x=0.1,0.35)薄膜、Bi1-yCeyFeO3 (0≤y≤0.25) (BCFO)薄膜和Zn0.95-zCo0.05CuzO (0≤z≤0.015) (...
全祖赐
关键词:
微结构
电学
室温铁磁性
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