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刘付德

作品数：34 被引量：54H指数：4
供职机构：华南理工大学材料科学与工程学院无机材料科学与工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 17篇电气工程
  • 17篇一般工业技术
  • 7篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 14篇电介质
  • 10篇介质
  • 8篇固体电介质
  • 5篇氮化铝
  • 5篇电场
  • 5篇电老化
  • 5篇捕获电子
  • 4篇氮化铝薄膜
  • 4篇电偶极
  • 4篇电偶极子
  • 4篇动力学
  • 4篇偶极
  • 4篇偶极子
  • 3篇氮化
  • 3篇电子陷阱
  • 3篇聚丙烯
  • 3篇击穿
  • 3篇丙烯
  • 2篇电介击穿
  • 2篇电致伸缩

机构

  • 23篇西安交通大学
  • 13篇华南理工大学
  • 5篇电子科技大学

作者

  • 34篇刘付德
  • 12篇杨百屯
  • 11篇屠德民
  • 10篇刘耀南
  • 10篇凌志远
  • 6篇熊茂仁
  • 3篇王玉芬
  • 2篇王新生
  • 2篇陈楷
  • 2篇庄志强
  • 2篇谢进
  • 1篇朱雨涛
  • 1篇曹晓珑
  • 1篇杨大本
  • 1篇丘其春
  • 1篇曲喜新

传媒

  • 5篇电子学报
  • 4篇应用科学学报
  • 4篇第六届全国电...
  • 3篇西安交通大学...
  • 3篇电工技术学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇电子测量与仪...
  • 2篇仪表材料
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇光学学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电力电容器
  • 1篇华南理工大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇自然科学进展...
  • 1篇第三届全国工...

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 4篇1995
  • 8篇1993
  • 5篇1992
  • 8篇1991
  • 2篇1990
  • 4篇1989
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
改性PZT陶瓷的大场诱应变效应
1995年
研究了改性锆钛酸铅（ＰＺＴ）陶瓷材料的场诱应变性能与组成的变化关系。结果表明，材料组成选取既位于９０°畴成份占较大比例的菱方相，且处于机电耦合特性较强的相界处，同时采用适量的等价离子Ａ位取代以及适量的Ａ位和Ｂ位施主掺杂，有利于实现大场诱应变小滞后特性。
刘付德凌志远谢进张穗真
关键词：改性PZT陶瓷电致伸缩锆钛酸铅
固体介质电老化新模型(一)
刘付德杨百屯屠德民
关键词：电介质数学模型动力学分析电场
氮化铝薄膜作微波压电换能器的机电耦合系数测定被引量：1
1990年
本文报道用微波压电换能器的输入导纳测定AIN压电薄膜机电耦合系数的方法。在微波频率下测得横向受夹厚度模AIH压电薄膜的机电耦合系数为O.13。这个结果略小于块材AIN的值,可能是由于所生长的AIN薄膜微晶C轴方向有—定的分散性和C轴反向性所致。从导纳测定结果上表明:抉能器中有一等效的串联电阻,这个串联电阻可用于说明匹配和调谐换能器存在损耗的原因。
刘付德梁子南
关键词：压电换能器机电耦合系数氮化铝输入导纳块材
有机介质中陷阱产生的等温电流研究被引量：1
1993年
考虑现有测量方法难以区分电子陷阱和空穴陷阶的困难,该文提出表面电位模型,实现了对电子陷阱能级密度和空穴陷阱能级密度分布的测量,发展了J.G.Simmons的等温电流理论.在此基础上提出一种比较实验法,研究强电场作用下介质中产生新陷阱的动力学过程.结果表明在一定时间下,介质中新陷阱密度的产生与强电场的指数关系成正比,而在一定强电场下与作用时间成正比.
刘付德王玉芬杨百屯刘耀南
关键词：有机介质
用平面磁控溅射低温生长C轴择优取向的AIN薄膜
1989年
本文介绍了用 x-射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜来分析用直流平面磁控溅射法在载波片上生长的 AIN 薄膜的结构,结果表明 AIN 薄膜的(002)晶面与基片表面平行,迴摆曲线分析得出标准偏差σ≈0.7°,俄歇谱分析结果表明制得的 AIN 薄膜是高纯的。这种方法适于制取 C轴高度择优取向 AIN 薄膜。
刘付德
关键词：AIN薄膜磁控溅射
强电场作用下的固体电介质中电子填充陷阱动力学
1992年
本文阐述了用表面电位测量法研究固体电介质在强电场下电子填充陷阱的动力学特性。改进的一级捕获动力学方程定性地解释了陷阱填充过程以及电子填充陷阱稳态值随电场的变化而出现峰值的现象。由此分析指出在接近击穿的电场范围内,导带中的自由电子要与陷阱化电子发生碰撞电离,当这种碰撞电离退陷阱化达到一定程度时,介质便发生电击穿。
刘付德杨百屯屠德民刘耀南
关键词：强电场固体电介质
C轴取向AIN薄膜的强电特性分析
1989年
本文报导了用直流平面磁控溅射法低温生长 C 轴择优取向 A1N 薄膜作介质、并构成Au-A1N-Au 结构的直流电导和击穿特性。用普尔-弗伦凯尔电导理论说明了这种薄膜直流电导的实验结果,并用统计分析方法得出这种薄膜的抗电强度实测平均值为3.4～3.9MV/cm,与理论计算结果相符合。此外,还得到这种薄膜的抗电强度随薄膜厚度的增加而减少的结果。
刘付德曲喜新
关键词：ALN薄膜绝缘薄膜
铁电陶瓷的极化运动学模型被引量：2
1998年
铁电陶瓷中两种机电耦合效应的相互关系及机理是一个引入注目的研究课题。本文从经典的固有偶极子取向极化模型出发，考虑固有偶极子取向时的弛豫现象，提出了在恒外力作用下的运动学模型，由此得到了在一定条件下铁电陶瓷中两种机电耦合效应的关系、起因和作用范围。
凌志远刘付德熊茂仁陈楷
关键词：铁电陶瓷
电介质中的陷阱与吸收电流
杨百屯刘付德朱雨涛
关键词：电介质电子陷阱电流载流子捕获电子电介质极化
固体电介质的碰撞电离击穿研究
刘付德王玉芬
关键词：电介质电介击穿固体绝缘材料碰撞电离
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