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刘庆彬

作品数：116 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 110篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 32篇电子电信
  • 19篇化学工程
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 51篇金刚石
  • 51篇刚石
  • 44篇石墨
  • 44篇石墨烯
  • 27篇衬底
  • 26篇晶体管
  • 18篇色心
  • 18篇石墨烯材料
  • 17篇半导体
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  • 13篇光刻
  • 13篇场效应
  • 13篇场效应晶体管
  • 12篇金属
  • 11篇介质层
  • 10篇碳化硅
  • 10篇NV
  • 9篇石墨烯晶体管
  • 9篇退火
  • 9篇系综

机构

  • 115篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 116篇刘庆彬
  • 116篇蔚翠
  • 113篇冯志红
  • 112篇何泽召
  • 25篇李佳
  • 9篇宋旭波
  • 5篇张雄文
  • 5篇芦伟立
  • 5篇房玉龙
  • 4篇王俊龙
  • 2篇盛百城
  • 2篇冯志红
  • 1篇张雄文
  • 1篇蔡树军
  • 1篇李佳
  • 1篇王晶晶
  • 1篇刘庆彬
  • 1篇郭建超
  • 1篇李佳

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 10篇2024
  • 9篇2023
  • 17篇2022
  • 10篇2021
  • 10篇2020
  • 17篇2019
  • 13篇2018
  • 8篇2017
  • 4篇2016
  • 9篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
共 116 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种热退火法在金刚石表面制作氢端基导电沟道的方法
本发明公开了一种热退火法在金刚石表面制作氢端基导电沟道的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将多晶金刚石基片放入化学气相沉积设备反应室内，将反应室抽真空；（2）将反应室进行升温，并保持一段时间，去除多晶金刚石基片表面的杂...
王晶晶冯志红刘庆彬何泽召蔚翠
文献传递
基于金刚石NV色心的磁力探测头及磁力探测系统
本发明提供一种基于金刚石NV色心的磁力探测头及磁力探测系统。该基于金刚石NV色心的磁力探测头包括：具有两端开口的陶瓷套管、设置在陶瓷套管的腔体内的金刚石NV色心系综样品以及设置在陶瓷套管一端面上的微波天线；金刚石NV色心...
高学栋冯志红蔚翠郭建超何泽召刘庆彬周闯杰
温度对硅衬底上生长石墨烯的影响被引量：1
2016年
通过化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上制备石墨烯薄膜,研究了生长温度对薄膜的影响以及石墨烯生长机理。采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、喇曼光谱、光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子谱(XPS)表征石墨烯材料。结果表明,生长温度越高,越有利于Si衬底上石墨烯薄膜的形成和连续。生长过程中,C原子渗入Si衬底表层,在其表面优先形成3C-SiC缓冲层,随后在缓冲层表面重构形成石墨烯。在Si衬底上沉积SiO_2和Si_3N_4覆盖层,发现生长过程中不再出现3C-SiC缓冲层。随着生长温度的增加,石墨烯薄膜缺陷降低,薄膜与衬底之间为范德华力。生长温度1 100℃下结晶质量最好。
刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶李佳芦伟立冯志红
关键词：石墨烯硅衬底生长温度
在蓝宝石衬底上制备纳米晶石墨烯的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备纳米晶石墨烯的方法，属于半导体材料制备领域。本发明包括以下步骤：将蓝宝石衬底放入石墨烯PECVD等离子体设备内，抽真空，充入惰性气体至目标压力；加热蓝宝石衬底到目标温度；蓝宝石衬底在氢气...
蔚翠冯志红刘庆彬何泽召王晶晶宋旭波周闯杰
石墨烯胶囊封装晶体管制备方法
本发明适用于石墨烯晶体管制备技术领域，提供了一种石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，包括：在第一预设衬底上生长h‑BN薄膜并利用第一光刻胶制备h‑BN台面样品；将h‑BN台面样品去除第一预设衬底后通过热释放胶带转移到石墨烯上...
高学栋冯志红蔚翠何泽召刘庆彬郭建超周闯杰
一种蓝宝石基板石墨烯表面式电容屏及制备方法
本发明公开了一种蓝宝石基板石墨烯表面式电容屏及制备方法，涉及电容式触摸屏的层状结构技术领域。包括从上至下依次包括盖板层、OCA光学胶层、石墨烯导电层和蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上外延生长单层或多层石墨烯导电层，所述石墨...
刘庆彬李佳何泽召蔚翠冯志红
文献传递
金刚石NV色心磁力探测装置及系统
本申请适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了一种金刚石NV色心磁力探测装置及系统，该装置包括：三个两两互相垂直的探测模块、光纤、微波模块和荧光传输模块，每个探测模块包括两个磁通量聚集器、金刚石样品、第一聚焦镜、第二聚焦...
高学栋冯志红蔚翠郭建超刘庆彬马孟宇何泽召周闯杰
一种制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法
本发明公开了一种制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其是在碳化硅衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气和氩气作为载气，通入气态碳源、氮气和气态乙醇，在1400‑1800℃、500‑1000mbar压力下生长...
刘庆彬蔚翠何泽召高学栋郭建超周闯杰冯志红
文献传递
一种金刚石氮化铝异质结外延材料制备方法
本发明提供一种金刚石氮化铝异质结外延材料制备方法，该方法包括：在氢气气氛下对单晶立方结构的金刚石衬底进行热处理，得到表面修复后的金刚石衬底，其中，金刚石衬底为001晶向。将表面修复后的金刚石衬底在氢等离子体中进行氢处理，...
蔚翠冯志红刘庆彬何泽召周闯杰郭建超马孟宇余浩李鹏雨张栋曜杨玉章王维
柔性晶体管的制备方法
本发明适用于半导体晶体管制备技术领域，提供了一种柔性晶体管的制备方法，包括：将获取的六方氮化硼h‑BN薄膜转移至预设衬底表面；在所述h‑BN薄膜上制作导电沟道、源漏电极、栅介质层以及栅电极，获得晶体管样品；在所述晶体管样...
高学栋冯志红蔚翠何泽召刘庆彬郭建超周闯杰
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