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刘晓播: 作品数：13 被引量：7H指数：2; 供职机构：中国科学院长春应用化学研究所更多>>; 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：一般工业技术理学电子电信生物学更多>>

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水相法制备CdS纳米棒被引量：2: 2006年; 采用水相法在温和的条件下，通过调节反应物的浓度、控制反应平衡，制备了泪滴状和四臂的CdS纳米棒。探讨了前驱体对合成纳米棒的影响。透射电镜观察显示，其尺寸分布较均匀、长径比可在1-7之间调节；X射线衍射图证实所制备的CdS纳米棒具有六方堆积的纤锌矿结构。; 刘晓播林驭寒安立佳姬相玲姜炳政; 关键词：CDS纳米棒晶体生长乙二胺

常温下制备烷氧基镉的方法: 本发明属于常温下制备烷氧基镉的技术领域，提供一种常温，且在氮气保护条件下制备烷氧基镉的方法。通过调节参加反应的醇的蒸气浓度来控制反应的速度，使反应体系内的温度和压力保持在一个安全可控的范围内，从而保证整个反应的安全和可控...; 刘晓播林驭寒陈延明姬相玲; 文献传递

硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法: 本发明属于硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法。本方法采用氧化镉为单体，以十四酸为配体，通过控制纳米晶的成核及生长过程，在190℃～230℃温度下将硒或碲前体溶液注入到镉前体溶液中，进而在160～180℃温度下生长制备成纳米棒...; 聂伟刘晓播陈延明姬相玲; 文献传递

限定有害杂质极限含量的超高纯氧化钇的研制被引量：1: 1997年; 高纯氧化钇（Ｙ２Ｏ３）作为ＹＡ系列激光晶体的重要原材料具有广泛的应用前景。限定有害杂质并使其低于极限含量的超高纯Ｙ２Ｏ３的研究是提高ＹＡＧ、ＹＡＰ、ＹＶＯ４等激光晶体质量、发展其他微电子、光电子材料的迫切需求，也是当前国内外十分关注的研究课题。研制在超净的工作环境下，采用改进的离子交换技术，并设法克服由于使用超细树脂而产生的阻力大、流速低，周期长的缺点。通过改变设备的长径比例和体积比例，实现大体积低浓度条件下的除杂工艺，并与络合、沉淀等多种方法联用的综合化学法，逐步去除Ｙ２Ｏ３中的稀土和非稀土杂质，使其达到设定的极限含量，即１４种稀土元素杂质含量总和＜１μｇ／ｇ，其中１．０６μｍＮｄ３＋激光输出产生光吸收的有害稀土杂质元素Ｓｍ和Ｄｙ的含量分别＜０．０８和０．０９μｇ／ｇ；同时使２０多种非稀土杂质极限含量总和＜５μｇ／ｇ。其中Ｓｉ的极限含量＜１．５μｇ／ｇ，Ｆｅ＜０．０３μｇ／ｇ，Ｃａ＜０．６μｇ／ｇ，Ｃｌ＜０．７μｇ／ｇ，其他杂质极限含量分别＜０．１μｇ／ｇ。采用火花源质谱法分析检测Ｙ２Ｏ３中稀土和非稀土杂质含量，结果分别列入表１和表２。表１Ｙ２Ｏ３中稀土杂质含量（μｇ）Ｙ２Ｏ３稀土元素（μｇ）ＬａＣｅＰｒ?; 张静筠高桂芬宋连仁那天海刘晓播张文士; 关键词：氧化钇激光晶体

硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法: 本发明属于硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法。本方法采用氧化镉为单体，以十四酸为配体，通过控制纳米晶的成核及生长过程，在190℃～230℃温度下将硒或碲前体溶液注入到镉前体溶液中，进而在160～180℃温度下生长制备成纳米棒...; 聂伟刘晓播陈延明姬相玲; 文献传递

金属毛细管化学抛光装置: 本实用新型属于金属毛细管化学抛光装置。该装置由容器、盖板、注射器、胶管、热缩套管组成,通过控制流速和时间可对内径小于0.5.mm的金属毛细管材进行内表面的抛光。; 高俊元何敬文刘晓播徐敬梅李彦青; 文献传递

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶制备及其发光性能: Ⅱ-Ⅵ semiconductor nanocrystals have attracted much attention in photoelectronic fieilds due to their absorbanc...; 潘道成聂伟刘晓播王强蒋世春安立佳姬相玲姜炳政; 关键词：纳米晶尺寸发光; 文献传递

一种硒化镉纳米微粒的制备方法: 一种硒化镉纳米微粒的制备方法，采用烷氧基镉作为反应的镉源在100℃与三辛基氧化磷(TOPO)形成配体溶液，然后在一定的反应温度与硒单质的溶液反应生成硒化镉的晶核，或者将烷氧基镉直接与硒单质混合溶于正丁基磷(TBP)溶液配...; 刘晓播陈延明姬相玲蒋世春安立佳姜炳政; 文献传递

硒化镉纳米微粒的制备方法: 2005年; 该专利是一种硒化镉纳米微粒的制备方法。采用烷氧基镉作为反应的镉源在100℃与三辛基氧化磷(TOPO)形成配体溶液，然后在一定的反应温度与硒单质的溶液反应生成硒化镉的晶核；或者将烷氧基镉直接与硒单质混合溶于正丁基磷(TBP)溶液配成单一前体，在一定反应温度生成硒化镉晶核，然后通过调节温度和时间最终得到不同尺寸和形状的硒化镉纳米粒子。其在甲苯溶剂中形成的溶胶的紫外吸收和荧光光谱数据表明该产品具有很好的量子特性和很窄的尺寸分布。; 刘晓播陈延明姬相玲; 关键词：硒化镉纳米微粒反应温度

有机-无机纳米杂化功能材料: 姬相玲聂伟刘晓播潘道成赵娜娜王强; Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料由于吸收和发射光谱基本在可见光范围内，使得这类材料在光电领域有很强的应用背景，所以，合成高质量的纳米晶变得非常重要。高质量的纳米晶须满足以下条件：（1）单分散性（SD我们所能达到的主要技术性能指标：...; 关键词：; 关键词：功能材料纳米杂化纳米晶

刘晓播

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