刘晓芳
- 作品数：62 被引量：173H指数：9
- 供职机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省科技攻关计划武汉市重点科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 五元系压电陶瓷的结构与电学性能
- 采用常规的电子陶瓷固相烧结方法。制备xPb(Ni1.3Nb2.3)O3-yPb(Mn1.3Nb1.3Sb1.3)O3-(1-x-y)Pb- (Zr0.48Ti0.52)O3(x=0.03-0.12,y=0.03-0.12...
- 孙华君刘晓芳陈文周静吴业坤
- 关键词：压电陶瓷大功率超声波电机
- 文献传递
- 辅助剂对氧化硅MCM-41分子筛介孔结构的影响
- 本文在酸性条件下合成了介孔氧化硅MCM-41分子筛材料,并通过加入不同量的1,3,5-三甲基苯(TMB)作为材料合成的辅助剂。采用XRD,IR,N2吸附曲线等测试手段表征了介孔材料的结构特征。结果表明:添加有机辅助物可以...
- 谢永贤陈文徐庆麦立强柯满竹刘晓芳
- 关键词：介孔结构比表面积
- 文献传递
- 固体氧化物燃料电池材料的研究进展被引量：16
- 2003年
- 固体氧化物燃料电池 (SOFC)是当今一种先进的能量转换装置 ,具有能量转换效率高、环境友好、燃料适用性强和无腐蚀等突出优点。该电池通常用陶瓷作组装材料 ,操作温度为 60 0～ 10 0 0℃。详细介绍了固体氧化物燃料电池各元件的材料 ,包括Y2 O3稳定化的ZrO2 固体电解质 ,Ni/稳定化ZrO2 阳极 。
- 江金国刘晓芳石汝军
- 关键词：固体氧化物燃料电池电解质阴极阳极
- 一种原位生长制备双金属UiO-66-NH<Sub>2</Sub>@PVDF复合膜的方法、复合膜及应用
- 本发明公开了一种原位生长制备双金属UiO‑66‑NH<Sub>2</Sub>@PVDF复合膜的方法、复合膜及应用。该复合膜的制备方法，包括：分别将2‑氨基对苯二甲酸和聚偏氟乙烯分散在溶剂中，得到溶液A和溶液B；将溶液A和...
- 刘晓芳王依诺白雪云张楠楠高郭旗孙华君
- 压电陶瓷与聚合物压电复合材料的制备方法
- 一种压电陶瓷与聚合物压电复合材料的制备方法，该方法把所需的压电陶瓷片粉碎或淬火后过筛，将得到的陶瓷粉末和热塑性聚合物按100∶30～55体积比加入到混合设备中混合均匀，烘干后，按照聚合物成型的方法在模具中压制成型，然后将...
- 熊传溪刘晓芳孙华君董丽杰
- 文献传递
- 组分和成型温度对PZT/PVC压电复合材料电性能的影响
- ＜正＞聚合物基压电复合材料是一种多相材料,由压电陶瓷与聚合物复合而成得一种新型功能材料。这种材料具有两相材料的优点:良好的柔顺性、较高的压电常数和机电耦合系数。复合材料的密度和声速远低于压电陶瓷,故其声阻抗小,易与空气、...
- 刘晓芳熊传溪董丽杰孙华君
- 关键词：压电铁电介电成型温度水声
- 文献传递
- Zr/Ti变化对四元系PMNS-PZT压电陶瓷结构和电学性能的影响
- 对于超声马达用压电陶瓷,少量 Pb(MnSb)O或者 Pb(MnNb)O的加入可以获得高 Q 值,且其它压电参数不劣化。本文采用铌铁矿先驱体法制备了0．95Pb(ZrTi)O-0．05Pb(MnNbSb)O(PMNS-P...
- 孙华君刘晓芳陈文周静李波杨雄
- 文献传递
- PMZN系压电陶瓷材料合成工艺研究
- 2003年
- 采用溶胶-凝胶工艺制备了钙钛矿结构的锆钛酸铅压电陶瓷材料(PZT),然后用制得的PZT作为基料,合成PMZN压电陶瓷,探讨了PZT制备工艺对材料结构和性能的影响。结果表明:溶胶-凝胶法合成PZT粉制备的PMZN系压电陶瓷材料具有机电耦合系数高、介质损耗小、介电常数与机械品质因数适中等特点;溶胶-凝胶工艺降低了材料的烧结温度,改善了材料的介电与压电性能,提高了谐振频率。
- 孙华君陈文周静刘晓芳徐庆郑锦霞
- 关键词：溶胶-凝胶法介电性能压电性能谐振频率
- 以溶胶-自燃烧法合成PZT为基制备PMZN压电陶瓷
- 以硝酸锆为锆源,采用溶胶-自燃烧法在700℃的热处理温度下合成出具有单一钙钛矿结构的PZT粉料。采用溶胶-自燃烧法合成的PZT为基料,在1050℃制备出PMZN陶瓷。采用XRD,SEM研究了PMZN陶瓷的结构,并测量了其...
- 孙华君陈文徐庆周静何政刘晓芳
- 文献传递
- Sr取代量对PMNS-PZT压电陶瓷的影响被引量：7
- 2007年
- 采用铌铁矿先驱体法制备了Pb1–xSrx(Zr0.505Ti0.495)0.95(Mn1/3Nb1/3Sb1/3)0.05O3(PMNS-PZT)四元系陶瓷,考察了Sr取代量对其结构和性能的影响。结果表明:所得PMNS-PZT陶瓷材料为完全的钙钛矿结构,且随着Sr取代量的增加,经历了从四方-三方相共存再到完全三方相的相变过程,其准同型相界区间位于x为0.01～0.03。Sr取代量的变化对样品的显微组织结构影响不大。当Sr2+的取代量x为3%时,kp为0.528,Qm为1587,d33为263pC/N,0Tε33/ε为1411,tanδ为0.35%,能满足大功率超声电机的要求。
- 孙华君刘晓芳陈文周静李波
- 关键词：压电陶瓷先驱体法准同型相界
