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刘杨

作品数：9 被引量：16H指数：2
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇光放大
  • 5篇光放大器
  • 5篇发光
  • 5篇发光管
  • 5篇放大器
  • 5篇辐射发光
  • 5篇半导体光放大...
  • 5篇超辐射
  • 5篇超辐射发光管
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  • 2篇光学
  • 2篇光源
  • 2篇发射激光器
  • 2篇INGAAS...
  • 2篇波长

机构

  • 9篇吉林大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇美国西北大学

作者

  • 9篇宋俊峰
  • 9篇刘杨
  • 9篇杜国同
  • 5篇殷景志
  • 5篇康博南
  • 3篇付艳萍
  • 2篇张源涛
  • 2篇常玉春
  • 1篇曾毓萍
  • 1篇许呈栋
  • 1篇谢腾峰
  • 1篇王德军
  • 1篇黄宗浩
  • 1篇刘琨
  • 1篇姜秀英
  • 1篇吴宾
  • 1篇刘琨

传媒

  • 4篇中国激光
  • 2篇光电子．激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇吉林大学学报...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 5篇2000
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
倾斜结构InGaAsP/InP集成超辐射光源被引量：2
2001年
为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,在原有的将超辐射发光管 (SLD)与半导体光放大器 (SOA)单片集成的基础上 ,将器件电流注入区中心轴线倾斜 6° ,制得了 1 5 μm倾斜结构的InGaAsP InP集成超辐射光源。发现这种新型结构的单片集成器件具有抑制激射的功能。在较低的电流注入下 ,得到了 38mW的脉冲超辐射输出功率。其光谱宽度 (FWHM )和平行、垂直于结平面的远场半宽分别为 16nm ,15°和 6 4°。同时 ,通过对该集成器件特性的研究 。
刘杨曾毓萍宋俊峰殷景志杜国同
关键词：超辐射发光管半导体光放大器INGAASP磷化铟
长波长超辐射集成光源
2000年
为适应光谱分割技术的需求 ,我们采用 In Ga As P/ In P单量子阱外延片 ,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成 ,制得了 1.3μm长波长超辐射集成光源 ,取得了初步的实验结果 ,验证了这种长波长集成器件的可行性。脉冲输出功率与传统长波长超辐射发光管相比有很大的提高。半导体光放大器的增益达到 19d B。
刘杨刘琨宋俊峰殷景志康博南杜国同
关键词：超辐射发光管半导体光放大器光源
利用表面光电压谱研究MEH-PPV定域跃迁被引量：1
2002年
利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料 MEH-PPV的定域跃迁 ( 3 50～ 42 0 nm)与非定域跃迁 ( 42 0～ 60 0 nm) .实验证明 。
康博南黄宗浩谢腾峰王德军常玉春刘杨宋俊峰张邦恒杜国同
关键词：MEH-PPV表面光电压谱共轭聚合物能级跃迁聚对苯乙炔光电性能
垂直腔面发射激光器的动态特性分析被引量：6
2000年
本文给出了动态的垂直腔面发射速率方程 ,并由此推出了瞬态下的衰减因子和张弛振荡频率的计算公式 ,以及小信号调制下的光子、载流子的响应函数表达式。计算结果表明 ,在瞬态下衰减因子随β的增加明显变大 ,它使张弛振荡过程变短 ;在小信号调制下 ,多量子阱的周期增益结构比一般的垂直腔面发射结构有更大的调制带宽。
宋俊峰付艳萍刘杨殷景志康博南杜国同
关键词：垂直腔面发射激光器动态特性小信号分析
InGaAsP/InP超辐射集成光源
2000年
为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,采用直接耦合的方法 ,将超辐射发光管 (SL D)与半导体光放大器 (SOA)单片集成 ,制得了 1.3μm超辐射集成光源 ,其脉冲输出功率为 50 m W,光谱宽度 (FWHM)为 2 8.9nm。通过对放大器增益特性的讨论 ,得出了既能稳定器件性能 ,又可以提高输出功率的有效工作方案。
刘杨刘琨宋俊峰殷景志康博南姜秀英杜国同
关键词：超辐射发光管半导体光放大器
非均匀阱宽多量子阱155μm高功率超辐射光源被引量：4
2003年
采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱 ,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果 ,制得了新型的 1 5 5 μm高功率宽光谱InGaAsP InP集成超辐射光源。发现该器件较均匀阱宽多量子阱器件的输出光谱有很大变化 ,光谱半宽由原来的 2 0～ 30nm ,增加到 4 5～ 6 0nm左右。该器件同样具有较好的抑制激射能力 ,在可测试范围内 ,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下未见激射模式的出现。在准连续工作条件下 ,器件最大峰值功率已达到 15 0mW以上。
刘杨宋俊峰曾毓萍吴宾张源涛许呈栋杜国同
关键词：量子光学超辐射发光管半导体光放大器单片集成光谱分割多波长光源
非线性法布里-珀罗腔的双稳态特性分析被引量：1
2000年
应用传输矩阵的方法研究了垂直微腔多量子阱结构的双稳态特性 ,计算结果表明 ,分布布喇格反射器 (DBR)的高折射率介质紧挨着非线性介质 (多量子阱结构 )时更容易产生双稳态 ,我们计算了非线性法布里 -珀罗腔的反射相位与入射光功率关系曲线 ,反射率与入射光功率的关系曲线 ,和作为反射镜的DBR的对数对双稳态性质的影响等。
宋俊峰付艳萍刘杨康博南殷景志杜国同
关键词：双稳态非线性光学法布里-珀罗腔半导体激光器
倾斜脊形波导集成超辐射光源被引量：1
2001年
在研究倾斜氧化物锥条形集成超辐射光源的基础上 ,增加了脊形波导结构 ,制得了新型的 1 5 μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现该倾斜结构脊形波导器件具有较好的抑制激射能力。在可测试范围内 ,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下 ,未见激射模式的出现 ,大大地提高了超辐射功率的输出。最大峰值功率已达到110mW。
刘杨宋俊峰曾毓萍吴宾张源涛杜国同
关键词：超辐射发光管半导体光放大器光谱分割脊形波导
纵向耦合对垂直腔面发射激光器的影响被引量：2
2000年
考虑到垂直腔面发射激光器中的光子与载流子的纵向耦合 ,在行波速率方程中引入了纵向耦合因子。利用这个速率方程 ,讨论了阈值电流与量子阱数目的关系 ,计算结果表明光子与载流子的纵向耦合是不容忽视的。给出了阈值电流表达式 ,它表明纵向耦合因子越大 ,阈值电流越低。
宋俊峰付艳萍李雪梅刘杨常玉春杜国同
关键词：垂直腔面发射激光器速率方程
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