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刘洪图: 作品数：27 被引量：44H指数：4; 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>; 发文基金：安徽省自然科学基金安徽省人才开发基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

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超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)──尺寸缩小带来的巨大挑战被引量：3: 2002年; 随着CMOS技术缩至 10 0nm或更小 ,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战 .; 刘洪图吴自勤; 关键词：超大规模集成电路接触电阻自对准硅化物材料物理尺寸缩小

周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构被引量：8: 2003年; 采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 .通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 ,对四元化合物Cu(In ,Ga)Se2 的Raman谱进行了讨论 ,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响 ,同时发现薄膜倾向于沿 (112 )晶面生长 ,薄膜贫Cu会加剧 (2 2 0 ) / (2 0 4)表面自发分解成 { 112 }小晶面 .研究表明 ,薄膜具有良好的电学特性和结构特性 .; 徐传明许小亮闵海军徐军杨晓杰黄文浩刘洪图; 关键词：CIGS

ZnO同质p-n结的研究被引量：3: 2005年; 调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主V0的形成焓,降低本征受主VZn和Oi的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结.; 杨晓杰许小亮谢家纯徐传明徐军刘洪图; 关键词：ZNO薄膜 P-N结 P型

Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究: 1989年; 本文利用光电子能谱(XPS、UPS)技术研究了Pd淀积层与离子注入制备的a-Si∶H层组成的系统.本工作分析了Pd/a-Si∶H的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯能级谱的影响,并与Pd/C-Si系统的结果进行了比较.结果表明:Pd/a-Si∶H界面具有与Pd/C-Si界面相似的电子结构;但是,Pd原子在a-Si∶H中具有较大的扩散速率,因此,处于更富Si的环境中。; 赵特秀沈波刘洪图季明荣吴建新许振嘉; 关键词：半导体非晶硅硅化物

Pd/W/Si(111)双层膜界面X射线光电子能谱与俄歇电子能谱研究: 1992年; The Pd/W/Si(lll) interface reaction has been investigated by XRD, XPS and AES. As the annealing temperature was low, no reaction among Pd, W and Si can be detected, but W started to diffuse into Pd and Si started to diffuse into. W. When the annealing temperature was raised, Pd and W were mixed and Pd diffused into Si substrate. When the annealing temperature was raised further, the interface reaction leads to a redistribution of the two metals with accumulation of the refractory metal at the outer layer, such a layer can be used as a diffusion barrier to protect the inner shallow contact layer.; 施一生赵特秀刘洪图王晓平; 关键词：钯俄歇电子谱法 XPS

退火对离子注入GaN产生的深能级的影响: 2002年; 我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响。表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱 ,由于电子陷阱俘获导带电子 ,导致发光猝灭。而经一定条件的退火处理 ,可使深的电子陷阱发生变化 ,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复。由于注入样品的电阻率高达 1 0 1 2 Ω·cm ,因此不能用已有的常规方法测量。我们为此发展了一种称为“光增强电流谱”(PSCS)新方法 ,用于测量高阻样品中的深能级。研究发现 ,在经过快速退火处理的样品中 ,不能消除由于注入产生的准连续深能级带 ;而在某种常规条件退火的样品中 ,发现了 5个位于导带下 1 .77eV ,1 .2 4eV ,1 .1 6eV ,0 .90eV和 0 .86eV的深电子陷阱 ,它们都是Al+注入经退火后形成的稳定结构。实验发现退火使注入产生的准连续深能级带转变为独立的深能级结构 ,虽不能使GaN的本征发光得到恢复 ,但对黄色荧光的恢复是有利的。此研究有助于了解退火处理对离子注入的GaN的电学结构与发光产生的影响。PSCS的意义在于它适用于测量一切高阻半导体样品中与非辐射跃迁相联系的深陷阱能级。; 许小亮何海燕刘洪图施朝淑葛惟昆Luo E ZSundaravel BWilson I H; 关键词：退火离子注入 GAN 深能级光学性质电子陷阱

Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体电学输运和发光特性的研究: 许小亮赵有文施朝淑刘洪图; 磷化铟、氮化镓和氧化锌是国际上近年来新兴的半导体光电功能材料和短波激光材料，在军事、航天和显像设备等领域具备十分广阔的发展前景。申请人在大量调研和理论分析基础上，围绕制约磷化铟、氮化镓和氧化锌器件光传导和发光效率的三个主...; 关键词：; 关键词：半导体发光特性

超大规模集成电路的一些材料物理问题(I)——Cu互连和金属化被引量：10: 2001年; 21世纪初 ,超大规模集成电路 (ULSI)的特征尺寸将由 15 0nm逐代缩至 5 0nm .文章以 10 0nmULSI器件为主 ,简要介绍与互连相关的一些材料物理问题 ,其中包括Cu互连。; 刘洪图吴自勤; 关键词：超大规模集成电路互连金属化特征尺寸材料物理低介电常数介质

用电泳法制备Zn_xMg_(1-x)O薄膜及其特性研究被引量：2: 2004年; 用电泳法制备了一系列ZnxMg1 -xO薄膜 .对ZnxMg1 -xO薄膜的光致发光研究表明 ,在薄膜发射谱的紫外区域有两个显著的峰 ,分别对应自由激子和激子间碰撞的发光 .在可见光区域 ,发射谱的强度基本保持恒定 ,没有发现通常报道的绿光发射 ,说明生长的薄膜中氧与其他元素保持很好的化学配比 ,抑制了基于氧空位的绿带发射机理 .另一方面 ,薄膜成分中Mg含量的变化和退火温度的变化对薄膜的发射谱有显著的影响 ,表现在ZnxMg1 -xO的紫外发射峰随Mg含量的增加向短波方向移动。; 汪壮兵许小亮陈莹莹周世铭孔宁郭嘉刘洪图施朝淑; 关键词：发射谱可见光区激子短波

ZnO同质p-n结的研究: ZnO是一种自激活宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,它的激子束缚能高达60meV,在制备蓝紫光和紫外光波段的发光二极管和激光二极管方面极具潜力。我们制备p-型和n-型ZnO薄膜采用的靶材分别是99.99%...; 杨晓杰许小亮谢家纯徐传明徐军刘洪图; 文献传递