吴刚
- 作品数：25 被引量：50H指数：4
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 立方ZnMgO基体中六方ZnO量子点的化学溶液制备技术被引量：1
- 2007年
- 首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法。对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征。XRD表征表明当六配位Zn2+以替位的形式取代六配位Mg2+时,会导致相同衍射条件下立方ZnMgO的2θ比立方MgO的2θ小。SE表征发现ZnO量子点的量子效应导致了ZnO量子点的激子吸收能(3.76eV)比ZnO体晶的能带隙(3.37eV)大。AFM表征表明:导致薄膜的XRD的衍射峰、α吸收峰和PL发射峰皆很宽的部分原因是由于组成所制备薄膜的晶粒尺寸分散较大、形状不一引起的。
- 唐利斌段瑜郑云张筱丹赵俊周旭昌吴刚黄晖宋炳文姬荣斌
- 关键词：ZNMGO化学溶液法椭圆偏振光谱X射线衍射
- 带有纳米介质层的NiO/TiO<Sub>2</Sub>/ZnO紫外光电探测器及其制备方法
- 带有纳米介质层的NiO/TiO<Sub>2</Sub>/ZnO紫外光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域，尤其是通过磁控溅射法生长NiO/TiO<Sub>2</Sub>/ZnO薄膜并退火，本发明的探测器从下至上依次是衬...
- 唐利斌商国新吴刚袁绶章贾梦涵姬玉龙王静宇
- Pt/p-GaN/AlGaN异质结紫外探测器及其制备方法
- 基于Pt/p‑GaN/AlGaN异质结的高探测率紫外探测器及其制备方法，涉及光电技术领域。该器件是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，下台面采用n<Sup>+</Sup>‑AlGaN材料，在其表面生长多层金属Ti/...
- 唐利斌邓功荣袁绶章吴刚郝群罗磊王静宇魏红严顺英谭英孔金丞
- 一种新的生长碲锌镉晶体技术
- 本发明属于一种生长晶体的工艺方法，主要用于碲锌镉晶锭的晶体生长。其主要技术方案是：按照选定的优势引晶晶向，制备出一定规格范围的籽晶块或棒，将籽晶装入石英管底腔中，石英管上部装入碲锌镉合金晶锭，进行生长碲锌镉晶体。本发明使...
- 姬荣斌赵增林万锐敏岳全龄张鹏举吴刚胡赞东黄晖王晓薇张小文计瑞松宋炳文蔡春江
- 文献传递
- 外延HgCdTe薄膜用CdZnTe衬底表面的X射线双晶衍射分析
- 该文用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe（简称MCT）薄膜所用CdZnTe（简称CZT）衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗研所引起的表面损伤在用精研及化学腐蚀的方法去除之前，对表面结构完整性的主...
- 刘朝旺雷春红莫玉东何永成吴刚黄晖
- 关键词：HGCDTE薄膜
- 文献传递
- 一种新的生长碲锌镉晶体技术
- 本发明属于一种生长晶体的工艺方法，主要用于碲锌镉晶锭的晶体生长。其主要技术方案是：按照选定的优势引晶晶向，制备出一定规格范围的籽晶块或棒，将籽晶装入石英管底腔中，石英管上部装入碲锌镉合金晶锭，进行生长碲锌镉晶体。本发明使...
- 姬荣斌赵增林万锐敏岳全龄张鹏举吴刚胡赞东黄晖王晓薇张小文计瑞松宋炳文蔡春江
- 文献传递
- 基于金属Al/p-GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器及其制备方法
- 基于金属Al/p‑GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器，涉及光电技术领域。探测器是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，台面下部,在n<Sup>+</Sup>‑AlGaN材料表面沉积多层金属Ti/Al/Ni/A...
- 吴刚唐利斌邓功荣袁绶章郝群王博王静宇魏红严顺英谭英孔金丞
- 非制冷太赫兹成像探测技术研究进展被引量：3
- 2018年
- 非制冷太赫兹成像探测技术作为太赫兹研究领域的重要组成部分,目前已成为各国研究的热点之一。本文综述了近年来国内外非制冷太赫兹成像探测技术的研究进展,着重介绍了基于光热效应的微辐射热计和基于光子效应的场效应晶体管太赫兹探测器及其成像技术研究进展,分析了非制冷太赫兹成像探测器的现状及发展前景,对于研究非制冷太赫兹成像探测技术及应用具有一定的参考价值。
- 吴刚吴刚郝群唐利斌郝群潘峰李汝劼刘树平潘峰
- 关键词：太赫兹噪声等效功率
- 一种新型溶胶-凝胶方法制备ZnO薄膜的椭圆偏振光谱研究被引量：7
- 2006年
- 使用一种新型的溶胶-凝胶方法制备了ZnO薄膜,此方法的特点在于操作简单、无毒、实用。此方法可在非单晶基片(如玻璃、石英等)上制备最大晶粒尺寸大于100 nm的大面积ZnO薄膜。利用椭圆偏振光谱观察到了所制备ZnO薄膜折射率随光子能量的增加在光子能量等于禁带宽度处出现峰值的现象;计算了ZnO薄膜的光学带隙;证明了ZnO薄膜中存在由氧空位和锌间隙原子在带隙中引入的缺陷能级。
- 唐利斌郑云吴刚姬荣斌宋炳文黄晖
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶椭圆偏振光谱
- Si衬底上热壁外延制备GaAs单晶薄膜材料被引量：1
- 2000年
- 报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。先通过活化剂活化Si表面 ,再采取两步生长法外延GaAs单晶薄膜 ,最后进行断续多层循环退火 (IMCA)。经电子探针 (EPMA)、Raman光谱、Hall测量和荧光 (PL)光谱测试分析 ,证实在Si表面获得了近 4 μm厚的GaAs单晶薄膜。
- 刘翔谭红琳吴长树张鹏翔赵德锐陈庭金廖世坤吴刚杨家明
- 关键词：热壁外延硅砷化镓
