周原
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：云南大学光电信息材料研究所更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学生物学更多>>
- C+注入体Si并退火后的蓝紫光发射研究
- 本文在模拟计算的基础上，利用MEVVA源离子注入机对体硅样品进行了C+离子注入。在样品进行退火后，利用Raman光谱、XRD以及荧光分光光度计对样品的结构，形貌以及光致发光性能进行了测试和表征。仔细分析了注入剂量、退火温...
- 周原
- 关键词：离子注入碳化硅量子限制效应
- 热退火诱导C^+注入Si晶体的蓝光发射
- 2014年
- 在室温和注入能量为60 keV的条件下,在硅晶片中注入C+,使其剂量达到5.0×1016cm-2,随后即对样品进行高温退火处理。采用X射线衍射(XRD),拉曼和光致发光(PL)光谱技术对样品进行了表征。实验结果显示:C+注入后经高温退火的样品的XRD图谱中,在40°附近处出现了衍射峰,表明经退火后样品中形成了纳米尺寸的SiC团簇,并观察到了强烈的蓝光发射。PL光谱中的蓝光峰起源于量子限制效应。
- 周原王茺韦冬卢赛杨宇
- 关键词：离子注入量子限制效应
- 一种基于自离子注入SOI材料的近红外室温发光器件
- 本发明涉及一种基于自离子注入SOI材料的近红外室温发光器件，属于光电子技术领域。本发明的发光器件在1.50-1.60μm范围的室温强发光，器件基于缺陷环及缺陷环附近点缺陷的发光，发光器件结构从下往上分别是本征Si衬底→注...
- 王茺杨宇韦冬周原李亮
- Si^+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟
- 2011年
- 在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si+自注入Si晶体的Si+深度分布几率和注入时的能量传递。计算结果表明:在相同注入能量的情况下,注入Si+的分布概率是恒定的,在注入过程中电离能是阻止Si+进一步深入的主导因素。论文还初步讨论了注入剂量和退火温度对发光强度的影响,以及W缺陷的可能形成原因。
- 周原韦冬王茺杨宇
- 一种基于自离子注入SOI材料的近红外室温发光器件
- 本发明涉及一种基于自离子注入SOI材料的近红外室温发光器件，属于光电子技术领域。本发明的发光器件在1.50-1.60μm范围的室温强发光，器件基于缺陷环及缺陷环附近点缺陷的发光，发光器件结构从下往上分别是本征Si衬底→注...
- 王茺杨宇韦冬周原李亮
- 文献传递
- C+离子注入Si晶体中堆垛层错的研究
- 在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同时与计算注入后样品的平均晶粒尺寸进行了对比,发现样品出现明显的晶格损伤...
- 周原王茺韦冬杨宇
- 关键词：堆垛层错
- 文献传递
- C+离子注入Si晶体中堆垛层错的研究
- 离子注入技术是在Si基上制备半导体光电-微电集成材料的一种重要手段，而注入形成的损伤则是一种重要的发光中心，一直以来许多研究小组致力于运用离子注入技术来制备Si发光材料，而分析室温下离子注入对基片损伤的机理和形貌。在室温...
- 周原王茺韦冬杨宇
- 关键词：半导体材料硅晶体离子注入技术堆垛层错
- 文献传递
