周春兰
- 作品数：93 被引量：154H指数：7
- 供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 低效纳米孔晶体硅太阳电池性能研究被引量：1
- 2014年
- 晶体硅太阳电池生产中,降低表面反射率能够提高太阳电池短路电流和转换效率.纳米孔硅的表面反射率极低,但报道中所实现的太阳电池输出参数(开路电压、短路电流、填充因子)都低于金字塔结构表面.采用对比法从光学性能、表面微结构和电极接触上对纳米孔硅和金字塔太阳电池进行比较分析,来研究纳米多孔硅太阳电池转换效率的抑制因素.研究表明短时间腐蚀的纳米孔硅太阳电池表面沉积氮化硅钝化膜后的平均反射率提高.长时间腐蚀的纳米孔硅表面沉积氮化硅后在短波段的反射率极低,因此平均反射率小于金字塔结构表面.但是由于纳米孔硅太阳电池的表面复合率高,而孔壁上附着的毛刺不仅会进一步增大表面复合,还会削弱表面钝化效果,因此短波段激发的光生载流子难以被太阳电池利用.所以,光利用和表面复合是抑制纳米孔硅太阳电池开路电压和短路电流的原因,而过大的串联电阻是纳米孔硅太阳电池短路电流和填充因子低的另一个原因.
- 汤叶华周春兰费建明夏建汉曹红彬周肃陈朋王亚勋王磊王孟施成军
- 关键词：纳米多孔硅太阳电池
- 硅太阳电池用MgF2/ZnS双层减反射薄膜的制备及表征被引量：5
- 2009年
- 采用真空热蒸发技术,制备出了性能优良的MgF2/ZnS双层减反射薄膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌以及结晶形态进行分析,采用椭圆偏振仪测试薄膜的折射系数及厚度,利用反射谱对双层减反射薄膜的减反射性能进行了表征。研究表明:衬底温度为200℃时薄膜附着力、结晶态良好;蒸发速率影响薄膜的表面形态;MgF2/ZnS厚度为110 nm/35 nm时具有最佳减反射效果。
- 孙秀菊李海玲励旭东任丙彦周春兰赵雷王文静
- 关键词：ZNS薄膜
- 一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法
- 一种减反射薄膜SiN<Sub>x</Sub>:H表面原位NH<Sub>3</Sub>等离子体处理方法，其特征在于，首先用常规等离子体增强化学气相方法在晶体硅太阳电池的硅衬底表面沉积SiN<Sub>x</Sub>:H减发射...
- 周春兰李涛王文静
- 文献传递
- EL检测PERC电池中间缺陷成因及改善方法的研究
- 2023年
- 电致发光(EL)检测是PERC太阳电池生产中常用的缺陷检测方法,其中位于太阳电池中间位置缺陷的降级占EL检测不良降级的50%以上,成为了各大太阳电池制造企业EL检测良率突破99%的主要障碍。为找到缺陷的成因并改善这种问题,进而提升太阳电池的质量降低制造成本,该文对太阳电池EL检测下中间位置出现缺陷的原因进行分析研究。通过QE测试和元素成分分析排除由硅片质量和杂质污染所引起缺陷的可能性,再结合电化学电容-电压方法(ECV)及扫描电镜(SEM)测试,确定PERC电池中间位置缺陷的产生是由于扩散工艺表面杂质浓度过高所导致的。该文针对缺陷成因提出有效的解决方案有助于提升太阳电池的质量及EL检测良率。
- 夏中高彭平景彦姣陈磊王文静周春兰
- 关键词：EL
- 氧化铝铝/氮化硅叠层钝化晶体硅表面的特性研究
- 层沉积(ALD)方法制备的氧化铝在不同掺杂类型和浓度的单晶硅上都有着良好的钝化作用.我们用热型ALD 方法沉积氧化铝薄膜,研究了不同厚度氧化铝对单晶硅表面的钝化效果；并对叠层结构(氧化铝/氮化硅双层薄膜)的钝化效果及反射...
- 赵彦周春兰汤叶华周肃王文静
- 关键词：原子层沉积反射率
- 一种电容式等离子体电极的上电极
- 一种电容式等离子体电极的上电极，为轴对称结构，分为上盖及直筒(25)两部分，上盖及直筒(25)焊接为一体。上盖包括两个直径不同金属直筒、两个内外径不同金属圆环及第一绝缘环(7)。上盖中，小直径金属直筒(41)、小内径金属...
- 刁宏伟王文静赵雷周春兰王光红
- 一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法
- 一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法。该方法采用质量浓度0.5％～3％的氢氟酸溶液处理氮化硅表面，持续时间5～120秒，以减小薄膜与溶液的接触角，进而增加薄膜表面的亲水性。
- 李涛周春兰王文静
- 氧化随机织构硅表面对单晶硅太阳电池性能的影响研究被引量：7
- 2011年
- 热氧化生长的SiO2薄膜经常在高效单晶硅太阳电池中被用作扩散掩膜,化学镀掩膜,钝化层或者基本的减反射层.在这些高效太阳电池中,经常使用碱性溶液对单晶硅表面进行处理,得到随机分布的正金字塔结构的织绒表面,减少表面的光反射.表面氧化后的正金字塔太阳电池暗反向电流-电压呈现"软击穿"现象,并联电阻明显下降.研究结果表明引起这些现象的原因在于氧化正金字塔表面会导致在体内形成位错型缺陷,这些缺陷能够贯穿整个pn结,导致太阳电池的并联电阻下降,同时载流子在位错型缺陷在能隙中引入的能级处发生复合,导致空间电荷区复合电流增加.通过酸性溶液对织绒表面进行化学腐蚀之后能够减少缺陷的形成.
- 周春兰励旭东王文静赵雷李海玲刁宏伟曹晓宁
- 关键词：热氧化位错太阳电池
- 压强对低频PECVD制备SiNx：H薄膜特性的影响
- 2012年
- 氯化氮化砖薄膜在晶体硅太阳电池工艺中是一种有效的减反射、钝化薄膜．利用Centrotherm公司的直接法低频PECVD设备在抛光后的P型砗衬底（1．0Ωcm）表面制作氢化氮化硅，得到了具有较好钝化效果且折射率为2．017-2．082的薄膜．随着压强的增加，薄膜的折射率略有增加．利用傅里叶变换红外光谱技术研究了薄膜中成键结构特性随压强的变化．结果表明沉积压强强烈的影响了H键的浓度和Si-N键的浓度．其中硅的悬挂键浓度是影响薄膜钝化特性的关键因素．最后给出了样品有效少于寿命随时间的衰减特性，并利用成键结构对钝化的影响给出了这种衰减的原因．
- 闻震利曹晓宁周春兰王文静
- 退火温度对CH3NH3PbI3-xClx钙钛矿太阳电池的影响研究
- <正>混合型CH3NH3PbI3-xClx钙钛矿材料相对于CH3NH3PbI3具有较高的耐潮性,同时也具有相等同的太阳电池转换效率的潜力。其光电转换效率很大程度上取决于薄膜的形貌,成分。钙钛矿溶液前驱体中的成分百分比和退...
- 周春兰李鹏申王文静
- 文献传递
