您的位置: 专家智库 > >

周殿忠

作品数:20 被引量:58H指数:7
供职机构:中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
发文基金:中国工程物理研究院基金更多>>
相关领域:核科学技术电子电信更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 20篇核科学技术
  • 2篇电子电信

主题

  • 10篇闪烁体
  • 9篇探测器
  • 6篇无机闪烁体
  • 6篇CEF
  • 5篇光电
  • 5篇光电倍增管
  • 5篇倍增管
  • 4篇闪烁探测器
  • 4篇灵敏度
  • 4篇脉冲
  • 4篇敏度
  • 3篇射线
  • 3篇Γ辐射
  • 2篇散射
  • 2篇中子
  • 2篇辐射场
  • 2篇Γ射线
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体探测器
  • 2篇N

机构

  • 20篇中国工程物理...
  • 9篇中国工程物理...

作者

  • 20篇周殿忠
  • 15篇胡孟春
  • 10篇叶文英
  • 10篇张建华
  • 9篇王振通
  • 7篇杨洪琼
  • 7篇胡青元
  • 5篇李忠宝
  • 5篇唐章奎
  • 4篇徐荣昆
  • 4篇彭太平
  • 4篇李正宏
  • 3篇杨高照
  • 3篇周永安
  • 2篇刘国应
  • 2篇郭存
  • 2篇何锡钧
  • 2篇曲雁
  • 1篇牟维兵
  • 1篇郭洪生

传媒

  • 9篇核电子学与探...
  • 2篇第11届全国...
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇核技术
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇原子核物理评...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇中国科协20...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 3篇2004
  • 5篇2003
  • 3篇2002
  • 2篇1996
  • 1篇1995
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
脉冲λ时间谱绝对测量方法
绝对测量,需要选择能量响应较平坦的探测器,或者选择可以得到绝对灵敏度的探测系统。对于高强度的脉冲γ源,可采用散射法探测系统布局,当散射角为70°时,对于脉冲裂变λ(主要能量0.25~4.25MeV),散射λ能量可变窄为0...
胡孟春叶文英周殿忠张三阳
文献传递
ST401、NaI(Tl)、CeF<,3>闪烁体对γ射线能量响应研究
描述了ST401、NaI(Tl)、CeF<,3>三种闪烁体与光电倍增管组成的闪烁探测器在4种能量γ射线(hv=0.662、1.25、2.365、6.13MeV)辐照下的能量响应的实验研究.给出了实验研究结果并与国外的数据...
周殿忠刘国应何锡钧张建华汪向阳
关键词:闪烁体Γ射线闪烁探测器
文献传递
两种光电倍增管增益与总工作电压的关系研究被引量:3
2004年
实验研究了CHφT3、CHφT5型光电倍增管探测器增益与总工作电压的关系,实验研究表明:在标准供电电压上下100V范围内,光电倍增管探测器增益M与总工作电压U的关系可分别表示为:dM/M0=8.28dU/U,dM/M0=6.08dU/U。
胡孟春叶文英周殿忠王振通张建华胡青元杨洪琼
关键词:光电倍增管增益工作电压
微秒级宽脉冲信号下能输出大于1.5A线性电流的光电倍增管被引量:13
2004年
测量了CHφT3型光电倍增管配上ST401塑料闪烁体,在波形半宽度约2400ns脉冲光源照射下的电流输出情况,还提供了该光电倍增管与对中子相对不灵敏的晶体CeF3组成探测器应用于宽脉冲γ辐射源测量得到的电流输出情况。结果表明,CHφT3型光电倍增管其饱和电流输出大于3.5A,最大线性电流大于1.5A,暗流小于10nA,是一种在微秒级宽脉冲信号下都可以输出大于1.5A线性电流的大电流光电倍增管,是在大动态范围脉冲测量中,使用多探测器量程衔接时降低不确定度的一种可选方法。
胡孟春叶文英周殿忠王振通张建华胡青元彭太平杨洪琼李忠宝
关键词:闪烁体光电倍增管灵敏度脉冲信号
Fe、Co、V和Ti材料的X荧光效率测量被引量:1
2006年
介绍了在Ru-200 X光机上,根据Cu靶的韧致辐射谱,采用滤波法产生单能X射线,对Fe、Co、V和Ti荧光片作荧光效率测量。给出了荧光效率的理论推导公式和实验结果,并进行了理论和实验比较。
唐章奎胡孟春周殿忠牟维兵郑晓东周永安曲雁
关键词:探测器
CeF<,3>闪烁探测器γ灵敏度测量
CeF<,3>是近年国内新研制的对γ阻止本领强而对中子相对不灵敏的快响应无机闪烁体,实验测量了CeF<,3>晶体配CH<Ψ>T3、CH<,Ψ>T5型大线性电流光电倍增管的<'60>Co和<'137>Csγ灵敏度与晶体厚度...
胡孟春周殿忠李如荣王振通杨洪琼张建华胡青元彭太平
关键词:闪烁体闪烁探测器光电倍增管
文献传递
φ60mm×600μm硅PIN探测器γ灵敏度和时间响应测量被引量:10
2002年
φ6 0 mm× 6 0 0μm硅 PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器 ,用 10 13Bq级的 60 Coγ放射源测量了该类探测器的 60 Coγ灵敏度 ,用 CΓC脉冲辐射源 (约 0 .2 Me V)测量了该类探测器的时间响应。实验和理论计算表明 :该类探测器的 60 Coγ灵敏度约为 5 f C·cm2 / Me V。脉冲响应上升时间约为 10 ns,脉冲响应半高宽约为 35 ns。
胡孟春叶文英周殿忠
关键词:Γ灵敏度半导体探测器钴60
脉冲DT中子场中的CeF_3、ST401闪烁探测器输出比对被引量:8
2005年
本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3 和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量。在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3 高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3 高30多倍。由此可得到CeF3 对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体。
胡孟春李忠宝唐章奎周殿忠杨洪琼王振通张建华胡青元杨高照
关键词:闪烁探测器中子灵敏度无机闪烁体
无机晶体CeF3对脉冲DT中子的相对灵敏度测量
在脉冲DT中子源场中,对CeF3闪烁体相对中子灵敏度进行了测量,测量结果表明:按脉冲DT中子引起的探测器输出电荷情况考虑,CeF3探测器的灵敏度比同体积的ST401低一个多量级;按脉冲DT中子引起的探测器脉冲电流输出峰值...
胡孟春李忠宝刘建王振通张建华胡青元杨高照周殿忠杨洪琼
关键词:无机晶体
X射线在Be、C轻材料上的散射特性研究
2006年
介绍了在Ru-200X光机上,采用Ag靶的韧致辐射谱,通过LiF晶体分光产生单色X射线,用Be、C材料作散射体,在6°-40°的方向上作散射测量。实验结果显示这两种低Z材料对X光散射具有方向性。给出了散射效率随散射角度的分布曲线,阐明这种方向性与X-射线能量E、散射体的原子序数Z和强散射角θ之间的关系。
唐章奎李正宏徐荣昆胡孟春周永安周殿忠曲雁
关键词:X射线原子序数
共2页<12>
聚类工具0