唐锦荣
- 作品数：10 被引量：5H指数：1
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- 相关领域：理学航空宇航科学技术电子电信一般工业技术更多>>
- 真空辐射加热基片的温度分布被引量：2
- 2006年
- 真空辐射加热下基片表面温度分布的均匀性是薄膜制备中的关键问题之一．采用数值计算和比色红外测温两种方法,研究了作者自行研制的真空辐射加热器(IMCAS-VRH)的性能．利用IMCAS—VRH加热直径6in的单晶硅基片,当电功率为3860W时,基片表面平均温度为1093K,整个基片上的温度变化的测量值约为6 K．基片表面温度分布的计算结果与测量数据符合得很好,进一步的计算分析表明钼丝对辐射的遮挡效应、隔热屏和基片热传导等对基片温度分布均匀性有重要影响．
- 李帅辉舒勇华唐锦荣樊菁
- 物面引射对滑移边界条件的影响
- 1999年
- 讨论壁面有引射的滑移边界条件的提法．利用ＣｈａｐｍａｎＥｎｓｋｏｇ速度分布函数，通过分析Ｋｎｕｄｓｅｎ层外缘和壁面处的质量、动量和能量等通量守恒，得到了有壁面引射的多组元气体有催化反应的壁面滑移边界条件方程组．利用粘性激波层方程和所得的边界条件对钝头体绕流驻点区的流场进行了计算。
- 赵静野沈青唐锦荣
- 关键词：稀薄气体动力学
- 壁面非平衡复相催化反应及其对传热的影响被引量：1
- 1995年
- 本文在理想吸附层假定下对两种常见的复相催化反应模型导出了反应速率表达式，分析了反应级数的变化规律和范围。采用新定义的“壁面催化非平衡系数”作为表征壁面非平衡催化工况的准参则数，用粘性激波层法计算分析了壁面非平衡催化效应对驻点区壁面热流的影响规律。
- 唐锦荣崔安青陶波
- 关键词：壁面热流非平衡流传热化学流体力学
- 泰氟龙烧蚀对黏性激波层电子密度的影响被引量：1
- 2002年
- 采用黏性激波层基本方程组对有无泰氟龙烧蚀两种情况下的钝锥体化学非平衡绕流作了数值求解,以研究泰氟龙烧蚀对流场电子密度的影响规律.算例结果表明:泰氟龙烧蚀确有降低流场电子密度的效应.平衡催化壁工况下这种效应的强度,显著大于非催化壁工况下的强度;远下游截面处的这种效应的强度,显著大于驻点区的强度.此外,通过计算结果分析,对形成上述影响规律的原因作了初步讨论.
- 唐锦荣彭世镠
- 关键词：电子密度
- 大面积薄膜物理气相沉积中真空均匀辐射加热器的优化设计
- <正> 大面积薄膜物理气相沉积中,基片温度的均匀性是制备工艺中的关键问题之一。本文研究了真空辐射加热中影响基片温度均匀性的几个关键因素。首先考虑加热器表面热辐射物理参数和加热丝材料的选取的影响。然后通过解耦基片与加热器表...
- 李帅辉舒勇华刘宏立谢冲唐锦荣樊菁
- 文献传递
- 泰氟龙烧蚀对钝锥体化学非平衡粘性激波层电子密度的影响
- 本文采用粘性激波层基本方程组对有无泰氟龙烧蚀两种情况下的钝锥体化学非平衡绕流作了数值求解,以研究泰氟龙烧蚀对流场电子密度的影响规律。算例结果表明:泰氟龙烧蚀确有降低流场电子密度的效应。平衡催化壁工况下这种效应的强度,显著...
- 唐锦荣
- SCAT弹头热防护的简化计算方法被引量：1
- 1996年
- 本文对自适应发汗冷却（ＳＣＡＴ）弹头的热防护问题作了简化分析，并导得了热防护计算的简化计算公式。对铊，铟，锡和水四种冷却剂的情况，给出了算例。本文导行的公式，计算较简便，可作为弹头热防护设计的一种工程计算方法。这种工程计算方法亦可以用于地模拟实验前的予算。
- 任芬唐锦荣吴光宗吴光宗孙洪森
- 关键词：发汗冷却烧蚀热防护导弹弹头
- 真空中平行钼丝辐射加热下的6英寸单晶硅基片的温度分布
- 真空辐射加热下基片表面温度分布的均匀性是薄膜制备中的关键问题之一。本文采用数值计算和比色红外测温两种方法,研究了我们研制的真空辐射加热器(IMCAS-VRH)的性能。利用IMCAS-VRH加热直径6英寸的单晶硅基片,当电...
- 李帅辉舒勇华唐锦荣樊菁
- 文献传递
- 热与化学耦合非平衡对热流和电子密度的影响
- 1997年
- 采用单、双温度模型两种粘性激波层方程组对弹头驻点区非平衡流场作了数值模拟。计算结果表明，在算例条件下热非平衡与化学非平衡的耦合效应对壁面热流和电子密度有明显影响。文中给出了完全催化壁和非催化壁两种情况下以及采用不同振动松弛时间公式时上述影响的变化规律。
- 唐锦荣崔安青
- 关键词：电子密度非平衡流激波
- 真空中平行钼丝辐射加热下的6英寸单晶硅基片的温度分布(英文)
- 真空辐射加热下基片表面温度分布的均匀性是薄膜制备中的关键问题之一。本文采用数值计算和比色红外测温两种方法,研究了我们研制的真空辐射加热器(IMCAS-VRH)的性能。利用IMCAS-VRH加热直径6英寸的单晶硅基片,当电...
- 李帅辉舒勇华唐锦荣樊菁
- 文献传递
