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孙劲鹏

作品数：43 被引量：30H指数：3
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 33篇存储器
  • 29篇纳米
  • 26篇单电子存储器
  • 26篇碳纳米管
  • 26篇纳米管
  • 20篇晶体管
  • 19篇电子存储
  • 19篇电子存储器
  • 12篇随机存储器
  • 11篇单壁
  • 11篇单壁碳纳米管
  • 7篇电流
  • 7篇漏电
  • 7篇漏电电流
  • 7篇晶体管设计
  • 7篇库仑阻塞
  • 6篇单电子晶体管
  • 6篇制法
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇量子

机构

  • 43篇中国科学院

作者

  • 43篇孙劲鹏
  • 39篇王太宏
  • 3篇李泓
  • 3篇黄学杰
  • 2篇郑杰允
  • 2篇禹习谦
  • 2篇汪锐
  • 2篇郑浩
  • 1篇陈立泉
  • 1篇钟开富

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇物理学报
  • 2篇科技开发动态
  • 1篇第16届全国...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 9篇2006
  • 1篇2005
  • 11篇2004
  • 14篇2003
  • 4篇2002
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器
2004年
孙劲鹏王太宏
关键词：晶体管
以库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法
本发明涉及一种以库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法。该器件包括：以SOI为衬底，表面为一个单晶硅层；在掺杂后的表面硅层中刻蚀出一个碳纳米管晶体管结构，它包括一个作为源极的电极、一个作为漏极的电极和一个栅极，一根单...
孙劲鹏王太宏
文献传递
可在室温下工作的单电子存储器及制备方法
本发明涉及一种采用单壁碳纳米管和MOSFET设计的单电子存储器及其制备方法，该器件包括：硅衬底，其表面是一层二氧化硅绝缘层，在其上制备出具有分裂栅结构的场效应晶体管和电极；还包括具有量子点结构的单壁碳纳米管；所述的场效应...
孙劲鹏王太宏
文献传递
基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法
本发明涉及一种基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法。它以硅为衬底，在其上有绝缘层，绝缘层上是掺杂的多晶硅或者金属层，并在其层中刻蚀出一个具有碳纳米管晶体管结构的台面；包括源极、漏极两个电极，和一个栅极，并在两...
孙劲鹏王太宏
文献传递
用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法
本发明涉及用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法，包括：衬底，其上氧化形成二氧化硅绝缘层；在绝缘层上制备出一个垂直结构的碳纳米管晶体管，和设置一根半导体性的单壁碳纳米管，在其两侧制备出源极和漏极并与碳纳米管发...
孙劲鹏王太宏
文献传递
用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法
本发明涉及用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法，包括：衬底，其上氧化形成二氧化硅绝缘层；在绝缘层上制备出一个垂直结构的碳纳米管晶体管，和设置一根半导体性的单壁碳纳米管，在其两侧制备出源极和漏极并与碳纳米管发...
孙劲鹏王太宏
文献传递
锂离子电池电极材料薄膜的制备和动力学研究
薄膜技术在基础研究和应用研究上都具有重要的意义。为了在本实验室内开展与电极薄膜材料相关的研究，完成从衬底处理、薄膜生长、薄膜后处理到薄膜电极电化学测量和电极材料电导测试的全部工作，笔者负责搭建了热蒸发设备、脉冲激光沉积设...
孙劲鹏
关键词：脉冲激光沉积锂离子电池薄膜电极纳米复合物
两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法
本发明涉及两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法，包括：以p型或n型硅作为衬底，其上氧化形成一个二氧化硅绝缘层；在绝缘层上制备出一个两端垂直结构的碳纳米管晶体管，包括在二氧化硅绝缘层上设置一根半导体性的单壁碳...
孙劲鹏王太宏
文献传递
锂在Ti/LiF纳米复合物薄膜中的储存和输运研究
锂在材料中的储锂机制包括晶格内的嵌入反应、相转变反应、取代分解反应;有机分子的可逆化学键断裂反应、自由基反应;在表面的吸附反应、欠电位沉积,以及在晶界处的界面储锂[1]。界面储锂现象可以在原位形成的纳米复合物和通过共沉积...
郑浩汪锐郑杰允禹习谦孙劲鹏李泓黄学杰
基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器及其制备方法
本发明涉及一种具有多隧穿结结构的单电子多值存储器及制备方法。该存储器有一个绝缘的基片，其上存在一导电材料层。导电材料层中有两个多遂穿结结构、一个单电子晶体管和一个单元存储结。两个隧穿结的一端通过引线连接在一起作为写电压的...
孙劲鹏王太宏
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