孙立忠
- 作品数：62 被引量：60H指数：5
- 供职机构：湘潭大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 一种白光LED用单相荧光材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种白光LED用单相荧光材料及其制备方法和应用，由单相的固溶体组成，其分子式为Cs<Sub>2</Sub>Sn<Sub>1‑x‑y</Sub>Te<Sub>x</Sub>Bi<Sub>y</Sub>Cl<Su...
- 檀朝桂申星孙立忠徐昌富
- 红外光电子材料碲镉汞异质外延结构理论研究被引量：1
- 2005年
- 文章介绍了基于第一性原理的LAPW方法就Hg空位缺陷对碲镉汞材料的电子结构的影响进行了研究。首先选择Hg0.5Cd0.5Te体系详细分析了Hg空位引起的弛豫,包含Hg空位缺陷体系的电荷密度、成键电荷密度和态密度,得到了碲镉汞材料形成Hg空位情况下的空位第一近邻阴离子悬挂键重整的形式以及Hg空位所形成的双受主能级。计算发现了Hg空位引起第一近邻Te原子5s态能级向高能端移动的现象。同时,对实验中通常利用As钝化基底表面来有效地控制外延生长的极性进行了研究。本文也介绍了基于密度泛函理论模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步研究探讨。对Cd、Te在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究分析,为外延生长实验中利用As钝化来保证B面极性的做法提供了一定的理论依据。
- 陈效双孙立忠黄燕段鹤陆卫
- 关键词：碲镉汞第一性原理方法镉吸附
- As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究被引量：1
- 2005年
- 文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步探讨。同时,对Te、Cd在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究。计算结果表明,单个Cd或Te原子都可以稳定地吸附在清洁表面,但在As钝化表面,难以在钝化区域吸附生长。
- 黄燕周孝好孙立忠段鹤陈效双陆卫
- 关键词：碲镉汞钝化
- 一种提高聚偏氟乙烯散热性能的方法
- 本发明公开了一种提高聚偏氟乙烯散热性能的方法：步骤一、将3‑(异丁烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷和乙醇‑水溶液混合，加入乙酸调节pH至3～5，经超声振荡、水浴搅拌至充分混合；步骤二、将纳米Fe<Sub>3</Sub>O<Sub...
- 孙立忠钟伦威张振裴锦涛王煜徐昌富
- UV‑LED激发白光LED多层玻璃及制备方法
- 本发明公开了一种UV‑LED激发白光LED多层玻璃及制备方法，采用组分为50SiO<Sub>2</Sub>+50PbF<Sub>2</Sub>+1Na<Sub>2</Sub>O的氟硅酸盐基质，这种氟硅酸盐基质热稳定性好、...
- 孙立忠李军飞冯义勇张振黄薄臧春阳
- 二维四方铁磁材料及其制备方法、存储单元及调控存储单元识别存储数据的方法
- 本发明涉及信息存储技术领域，尤其涉及二维四方铁磁材料、存储单元及调控存储单元的存储数据的方法。本发明提供了一种二维四方铁磁材料，所述二维四方铁磁材料为FeCl，空间群为NO.129：P4/nmm，晶格参数为a＝b＝0.3...
- 侯鹏飞刘云霞周攀杨琼孙立忠欧阳晓平
- 文献传递
- 一种硝酸铅的应用，中红外氟氧化物硅酸盐稀土掺杂玻璃及其制备
- 本发明公开了一种硝酸铅的应用，其作为添加剂，添加至中红外氟氧化物硅酸盐稀土掺杂玻璃中，所述硝酸铅的添加量占中红外氟氧化物硅酸盐稀土掺杂玻璃的摩尔百分数为0.2～0.8％。此外，本发明还公开了一种中红外氟氧化物硅酸盐稀土掺...
- 孙立忠裴锦涛张振徐昌富王煜
- 文献传递
- 过渡金属吸附石墨炔的磁性特征:DFT+U计算
- 何俊杰孙立忠
- 关键词：过渡金属磁性
- 一种中远红外波段低红外发射率的陶瓷材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种中远红外波段低红外发射率的陶瓷材料，其分子式为La<Sub>0.5‑</Sub><Sub>x</Sub>Re<Sub>x</Sub>Ba<Sub>0.5</Sub>CoO<Sub>3‑δ</Sub>，式中...
- 孙立忠杨利兵谢诺孟芷民
- 闪锌矿结构CdTe和ZnTe能带结构和有效质量的第一性原理计算被引量：13
- 2005年
- 基于第一性原理全电子势线性缀加平面波方法(FPLAPW),计算了闪锌矿结构半导体材料ZnTe,CdTe的能带结构.结合闪锌矿对称化合物的有效质量近似理论,对第一性原理的计算结果进行拟合后,得到了ZnTe,CdTe在带隙附近的电子结构.此外还讨论了晶体场分裂能、自旋-轨道相互作用的分裂能和电子、空穴的有效质量及相应的Luttinger参数,结果与实验值相符合.
- 段鹤陈效双孙立忠周孝好陆卫
- 关键词：第一性原理计算闪锌矿结构ZNTECDTE电子结构
