孙长征
- 作品数：185 被引量：194H指数：7
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 氮化物纳米线MBE自组织生长的成核工艺研究
- Ⅲ族氮化物纳米线由于自由表面侧壁释放了晶格失配应力,因而可形成几乎无缺陷的单晶,在制作纳米线激光器、光催化材料、光传感器件以及单光子源等方面有重要的应用前景.相比于催化剂生长和选区生长,自组织方法由于不需要催化剂和图形掩...
- 鄂炎雄李洪涛孙长征罗毅郝智彪余佳东吴超刘润泽汪莱熊兵王健韩彦军
- 用于全光时钟恢复的REC双波长激光器
- 本发明涉及一种用于全光时钟恢复的基于重构等效啁啾(reconstruction equivalent chirp，REC)技术的双波长激光器，属于光通信领域的光电子器件技术领域。该光电子器件将两个采用REC技术的分布反馈...
- 孙长征武庆黄缙熊兵罗毅
- 文献传递
- 应用于数字和模拟光通信的高速电吸收光调制器
- 2009年
- 半导体电吸收光调制器因其速度高、体积小、驱动电压低、可单片集成等优点,已成为光纤通信系统核心器件之一。面向数字通信系统,研制了InGaAsP/InP多量子阱基电吸收调制器/光放大器集成器件,其调制器实现了极低电容从而达到40GHz以上调制带宽,而集成半导体光放大器可使插入损耗从18dB降低到3dB。针对模拟光通信应用,我们研制了InGaAlAs/InP多量子阱基电吸收调制器/激光器集成器件,并对其模拟调制特性进行测试,获得2.7V的低等效半波电压和107dB·Hz2/3的无失真动态范围特性。
- 熊兵徐建明孙长征王健罗毅
- 关键词：光子集成
- GaAlAs／GaAs多量子阶增益耦合型DFB激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件被引量：2
- 1996年
- 我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源．为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构．本文从理论上分析了该新型器件的可行性，优化设计了器件结构．在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件．器件阈值电流为３５ｍＡ，在—５Ｖ调制电压下消光比达５ｄＢ．静态调制过程中，激射波长与阈值没有变化．
- 罗毅蒲锐孙长征彭吉虎平田隆昭江口匡史中野义昭多日邦雄
- 关键词：DFB激光器调制器光子集成器件GAALASGAAS
- 具有脊波导结构的长波长部分增益耦合型分布反馈半导体激光器
- 从理论上分析了1.55um脊波导结构增益耦合型分布反馈半导体激光器的优化设计并进行了实际器件的制作。实验中采用增益与折射率混合光栅引入部分增益耦合，并采用倒台形状的脊波导结构以实现横模限制。制作的器件实现了单模工作，阈值...
- 孙长征文国鹏
- 关键词：半导体激光器
- DFB激光器与高速EA调制器集成光源的性能优化
- 该论文对采用同一外延层集成结构的分布反馈型(DFB)半导体激光器与电吸收(EA)调制器单片集成光源的结构设计、器件制作及其性能优化进行了细致的研究.
- 孙长征
- 关键词：光子集成电吸收调制器增益耦合
- 文献传递
- 一种具有片上集成偏置器的毫米波光电混频器件
- 本发明提出了一种具有片上集成偏置器的毫米波光电混频器件，在石英基片上的毫米波电路包括有偏置器，偏置器由对称扇形渐开线的片上集成RF扼流端口和耦合微带线结构的片上集成DC隔直端口组成，并通过E‑面探针的结构，将片上毫米波模...
- 熊兵晁恩飞孙长征罗毅
- 新型InP基光子轨道角动量集成光源设计与仿真
- 2016年
- 利用光子轨道角动量(OAM)可以大幅度提高通信系统的频谱效率和容量,从而满足未来通信容量不断增长的需求。以InP基半导体外延材料为基础,设计了一种将分布反馈(DFB)半导体激光器与OAM光转换器件集成在一起的有源半导体OAM光束发射器,并对这种结构进行了参数设计和模型仿真。
- 曹磊孙长征熊兵罗毅
- 关键词：集成光源DFB激光器
- 光纤通信用半导体激光器被引量：5
- 2002年
- 半导体激光器是光纤通信用的主要光源,由于光纤通信系统具有不同的应用层次和结构,因而需要不同类型的半导体激光器。文章根据目前光纤通信系统的发展趋势,介绍几种典型的光纤通信用半导体激光器件———法布里-珀罗激光器、分布反馈半导体激光器、电吸收型调制器集成光源、波长可选择光源、垂直腔面发射激光器的特点和发展方向。
- 罗毅王健蔡鹏飞孙长征
- 关键词：光纤通信半导体激光器布拉格反射器
- 波导型电光调制器及其制作方法
- 本发明公开了一种波导型电光调制器，包括波导结构和上下电极，所述波导结构包括在衬底上至下而上依次排列的下N型半导体包层、半导体芯层和上N型半导体包层，下电极与下N型半导体包层接触，上电极与上N型半导体包层接触，所述下N型半...
- 熊兵李进赵湘楠孙长征罗毅
- 文献传递
