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宋珍: 作品数：12 被引量：23H指数：3; 供职机构：北京信息科技大学理学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

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PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析被引量：6: 2006年; 利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;C O键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。; 欧谷平宋珍桂文明张福甲

p-Si基PTCDA的生长模式(英文): 2007年; 对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品表面进行AFM测试,结果表明PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷.原因是p-Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其他缺陷.得出PTCDA在p-Si基底上的生长模式为:PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTCDA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构.; 宋珍欧谷平刘凤敏; 关键词：PTCDA AFM

OLEDs中CuPc缓冲层作用的AFM与XPS研究被引量：2: 2006年; 利用AFM对CuPc/ITO样品表面进行扫描,发现其生长较均匀,基本上覆盖了ITO表面的缺陷,且针孔较少。通过样品表面和界面的XPS谱图分析,进一步证实了这一结果,同时发现,CuPc可以抑制ITO中的化学组分向空穴传输层的扩散。有利于器件的性能的改善和寿命的提高。; 欧谷平宋珍桂文明齐丙丽王方聪张福甲

CuPc作蓝色OLED的缓冲层对器件性能影响的研究被引量：4: 2005年; 本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引入和不引入CuPc缓冲层,进行了实验研究。结果表明:由于CuPc缓冲层的引入,使蓝色OLED的电流随电压的增大较未加CuPc的OLED相对缓慢;且启亮电压上升,发光亮度和效率下降。这主要是因为CuPc加入后,空穴注入势垒降低,使PVK:TPD/LiBq4界面空穴积累数量增大,产生的反向漂移电场阻碍了空穴多数载流子的注入;并进而致使发光层注入空穴数量减小,内建电场加强,激子形成几率变小,解离几率增大。; 欧谷平宋珍桂文明张福甲; 关键词：电流-电压特性发光效率 OLED

PTCDA/ITO表面和界面的AFM和XPS分析(英文): 2006年; 利用X射线光电子能谱（XPS）对菲四甲酸二酐[3，4，9，10-perylenetetracarboxylic dianhydride（PTCDA）]／铟锡氧化物（ITO）表面和界面进行了研究．用原子力显微镜（AFM）对PTCDA／ITO样品的表面形貌进行了分析．XPS表明，在原始表面的Cls精细谱存在两个主谱峰和一个伴峰，主谱峰分别由结合能为284．6eV的茈环中的C原子和结合能为288．7eV的酸酐基团中的C原子激发；而结合能为290．4eV的伴峰的存在，说明发生了来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象．O原子在C—O键和C-O-C键的结合能分别为531，5和533．4eV．在界面处，Cls谱中较高结合能峰消失，且峰值向低结合能方向发生0．2eV的化学位移；01s谱向低结合能方向发生1．5eV的化学位移．由此可以推断，在界面处PTCDA与ITO的结合是PTCDA中的菲环与ITO中的In空位的结合．AFM的结果显示，PTCDA薄膜为岛状结构，岛的直径约为100～300nm，表面起伏约为14nm．相邻两层PTC—DA分子由于存在离域大π键而交叠和PTCDA分子中的菲环与ITO的In空位的紧密结合是最终导致PTCDA岛状结构形成的原因．; 欧谷平宋珍桂文明张福甲; 关键词：原子力显微镜 X射线光电子能谱 PTCDA

原子力显微镜与x射线光电子能谱对LiBq_4/ITO和LiBq_4/CuPc/ITO的表面分析被引量：2: 2005年; 利用原子力显微镜对8-羟基喹啉硼化锂(LiBq4)/铟锡氧化物和8-羟基喹啉硼化锂/酞菁铜(CuPc)/铟锡氧化物表面分别进行了扫描,显示了LiBq4在不同衬底上的形貌差异,并进一步利用样品表面的x射线光电子能谱图验证了这一差异.实验表明,CuPc层的加入改善了LiBq4的成膜质量,并将这种改善归因于分子构型与电子亲和势的不同.; 欧谷平宋珍桂文明张福甲; 关键词：原子力显微镜 X射线光电子能谱

减小ITO/PTCDA/P-Si/Al型光电探测器暗电流的方法被引量：1: 2005年; 有枳／无机同型异质结是一种新型的光电子元器件,由于它有制备工艺简单,一致性和稳定性好,光电转换效率高,频响特性宽等优点,在光电子领域将有广泛的应用前景。将有机半导体材料苝四甲酸二酐淀积在10 Ω·cm的P-Si无机半导体片上,形成有机／无机同型异质结, 然后采用各种工艺处理方法有效的降低了它的暗电流,暗电流减小到了10-9A数量级。对降低暗电流的工艺措施和方法进行了分析和讨论。实验结果还表明,ITO／PTCDA／P-Si／Al同型异质结的暗电流主要成分是耗尽区中载流子的产生一复合电流结的反向饱和电流。; 刘凤敏宋珍甘润今; 关键词：暗电流光电探测器

p-Si基PTCDA生长模式的AFM和XPS研究被引量：3: 2005年; 对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品的表面进行得AFM扫描看出,PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷。原因是p-Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其它缺陷引起的。将样品表面的XPS全谱及精细谱与表面的AFM扫描图进行对比分析,得出PTCDA在p-Si基底上的生长模式,即:PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTC-DA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构。与硅衬底原子结合的过程为:苝环与缺陷处的Si原子结合,而酸酐基团与表面完整处的Si结合。结合时,苝环结构保持不变,而酸酐基团与Si发生化学反应,使酸酐中的C O键断开,形成O Si C和硅氧化物。对PTCDA/p-Si样品的界面的XPS全扫描谱和精细图谱进行分析后,进一步验证了PTCDA在p-Si基底上的生长模式。; 宋珍刘凤敏欧谷平甘润今张福甲; 关键词：PTCDA AFM XPS

有机电致发光器件的电极研究被引量：2: 2005年; 介绍了有机电致发光器件的电极研究进展,着重分析了电极性能的改进机制。对于阳极,为了利干空穴的注入和可见光透射,一般应选择功函数较高的透明导电材料。由于铟锡氧化物(ITO)是目前使用最为广泛的阳极材料,所以着重探讨了对ITO膜各种处理方法的改进机理,认为虽然氧空位浓度、C污染、Sn浓度都对ITO的表面功函数有影响,但C污染是主要因素;一种较好的处理方法是既能有效清除C污染,同时又尽可能使ITO膜的电阻率降低,所以中度氧等离子体处理是一种较为理想的途径。对于阴极,为了利于电子的注入,应选择功函数较低且化学性质较为稳定的材料;层状阴极可以较好地实现这一目的,并分别从隧穿效应、界面能带弯曲及减少淬灭中心等方面解释了金属/绝缘层双层阴极的改进机理,认为这三个方面共同起了作用,但主次不一。; 欧谷平宋珍陈金伙桂文明张福甲; 关键词：有机电致发光器件阴极阳极隧道效应

LiBq_4/ITO和LiBq_4/CuPc/ITO表面的AFM与XPS分析被引量：2: 2004年; 用 AFM 对蓝色 OLED 的空穴传输层 LiBq4/ITO 和 LiBq4/CuPc/ITO 表面扫描。结果均呈岛状结构。LiBq4沉积在 ITO 上成膜较差,在 CuPc 上成膜较好。说明加入 CuPc 能有效改善 LiBq4的成膜质量。XPS 对样品表面 In3d 和 Sn3d 的电子状态分析也证实 ITO 表面沉积 LiBq4膜存在裂缝,加入 CuPc 可抑制裂缝出现。分析指出,CuPc 由于 Cu(II)离子半满的 dx2-y2轨道在卟啉环平面内和氮强烈作用形成离域大π键,使 LiBq4的沉积状态改善。; 欧谷平宋珍桂文明徐勇张福甲; 关键词：发光材料

宋珍

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