公共文化服务平台

共 9 条记录，以下是 1-9

全选清除导出

排序方式：

聚酰亚胺带电粒子辐致电导率与介电性能研究: 本文以航天器介电材料充放电行为评价为研究背景,以空间应用聚酰亚胺及纳米SiO2改性聚酰亚胺材料为研究对象,利用辐致电导原位测试、宽频介电谱测量、光激电流测试等现代测试技术及分析方法,研究了在电子辐照条件下(<170keV...; 岳龙; 关键词：介电材料聚酰亚胺带电粒子介电性能

质子辐射损伤对单结GaAs/Ge太阳电池暗特性参数的影响被引量：2: 2014年; 基于p-n结暗特性双指数模型,对经质子辐射后的单结GaAs/Ge太阳电池的暗特性I-V曲线进行数值拟合,确定了单结GaAs/Ge太阳电池在辐射前后的四个暗特性特征参数,即串联电阻R_s、并联电阻R_(sh)、扩散电流I_(s1)和复合电流I_(s2).研究结果表明,质子辐射后单结GaAs/Ge太阳电池的R_s,R_(sh),I_(s1)和I_(s2)四个暗特性参数均发生显著变化.经低能质子辐射后,单结GaAs/Ge太阳电池的R_(sh)随位移损伤剂量的增加而减小,而R_s,I_(s1)和I_(s2)三个参数随位移损伤剂量的增加而增大,其中串联电阻随位移损伤剂量线性增加而与辐射质子能量无关.理论分析表明,上述参数的变化与质子辐射损伤区域分布有关.基区和发射区的损伤主要引起单结电池串联电阻和扩散电流的增加;结区的损伤导致并联电阻减小,复合电流增大.; 岳龙吴宜勇张延清胡建民孙承月郝明明兰慕杰

等效注量法评价玻璃盖片对单结GaAs/Ge太阳电池在轨辐照损伤的防护效果: ＜正＞本文利用等效注量法对我国新型单结GaAs/Ge太阳电池在空间不同轨道下玻璃盖片防护效果进行了评价。文中首先研究了单结GaAs/Ge太阳电池在不同带电粒子辐照条件下的性能退化规律,确定了不同离子辐照时太阳电池的损伤等...; 岳龙吴宜勇胡建民; 文献传递

空间高能离子在纳米级SOISRAM中引起的单粒子翻转特性及物理机理研究被引量：1: 2017年; 基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOI SRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转;宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子-空穴对,致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25%和33.3%,进而引起单粒子翻转概率降低,以及在轨错误率下降约80%.发现俘获带质子直接电离作用导致65 nm SOI SRAM的在轨错误率增大一到两个数量级.; 张战刚雷志锋岳龙刘远何玉娟彭超师谦黄云恩云飞; 关键词：绝缘体上硅单粒子翻转二次电子

等效位移损伤剂量法预测GaInP2/GaAs/Ge三结电池在轨性能退化规律被引量：5: 2011年; 文章首先在辐照条件下测试GaInP2/GaAs/Ge三结太阳电池的光谱响应,确定了三结电池在轨道带电粒子辐照条件下的损伤特征。通过试验获得了在不同粒子辐照条件下电池电性能退化规律,由此确定了高能电子与质子辐照对三结电池损伤的等效参数,建立了三结电池最大输出功率随位移损伤剂量的退化方程。在此基础上,以地球同步轨道服役的太阳电池为例,计算了电池在轨等效位移损伤剂量,并对三结电池的在轨服役行为进行了评价。; 吴宜勇岳龙胡建民肖景东陈鸣波钱勇杨德庄何世禹; 关键词：太阳电池空间带电粒子

位移损伤剂量法评估空间GaAs/Ge太阳电池辐照损伤过程被引量：12: 2011年; 本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同能量的电子和质子辐照下的电池性能随辐照注量的退化行为.基于上述实验结果以及计算获得的带电粒子在电池中的非电离能量损失(NIEL)获得了不同能量电子辐照位移损伤的等效指数n为1.7,电子损伤剂量转化为质子损伤剂量等效系数为5.2,并进一步建立了电池性能随位移损伤剂量的退化方程.利用该方法对国产GaAs/Ge太阳电池在500,22000和36000km轨道带电粒子辐照条件下电性能退化行为以及不同厚度玻璃盖片对电池损伤的防护效果进行了评价.; 吴宜勇岳龙胡建民蓝慕杰肖景东杨德庄何世禹张忠卫王训春钱勇陈鸣波; 关键词：GAAS/GE太阳电池辐照损伤带电粒子

临近空间中子辐射环境分析及其引起的单粒子效应预计研究被引量：4: 2018年; 使用Space Radiation 7.0工具分析临近空间中子辐射环境,研究其与海拔高度、太阳活动和经纬度的关系及内在原因.在此基础上,提出了一种基于蒙特卡罗方法的大气中子实时错误率预计方法,并以航空电子系统关键集成电路FPGA为例,预计其单粒子翻转敏感模块包括配置存储器、块存储器和用户触发器,单粒子功能中断敏感模块包括上电复位电路、SelectMAP接口等的实时飞行错误率.结果表明,配置存储器中发生的单粒子翻转达到总单粒子翻转率的77%,而上电复位电路和SelectMAP接口中发生的单粒子功能中断各占总单粒子功能中断率的36%.根据RTCA DO-254对飞行系统失效等级的划分,该FPGA器件不可用于航空电子系统关键位置.; 张战刚雷志锋师谦岳龙黄云恩云飞; 关键词：中子单粒子效应

电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响被引量：7: 2015年; 本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响,当辐射总剂量达到1 M rad(Si)(1 rad=10-2Gy)条件下,SOI器件背栅阈值电压从44.72 V减小至12.88 V、表面电子有效迁移率从473.7 cm2/V·s降低至419.8 cm2/V·s、亚阈斜率从2.47 V/dec增加至3.93 V/dec;基于辐射前后亚阈斜率及阈值电压的变化,可提取得到辐射诱生界面态与氧化层固定电荷密度分别为5.33×1011cm-2与2.36×1012cm-2.受辐射在埋氧化层-硅界面处诱生边界陷阱、氧化层固定电荷与界面态的影响,辐射后埋氧化层-硅界面处电子被陷阱俘获/释放的行为加剧,造成SOI器件背栅平带电压噪声功率谱密度由7×10-10V2·Hz-1增加至1.8×10-9V2·Hz-1;基于载流子数随机涨落模型可提取得到辐射前后SOI器件埋氧化层界面附近缺陷态密度之和约为1.42×1017cm-3·eV-1和3.66×1017cm-3·eV-1.考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系,本文计算得到辐射前后埋氧化层内陷阱电荷密度随空间分布的变化.; 刘远陈海波何玉娟王信岳龙恩云飞刘默寒; 关键词：绝缘体上硅电离辐射低频噪声

带电粒子辐照后砷化镓太阳电池的暗特性及其退火效应: 本文利用光照和暗条件下太阳电池电学特性的测量和数值模拟的方法，研究了带电粒子辐照下单结及三结GaAs太阳电池的电性能的变化规律。并揭示了辐照对太阳电池本征参数的影响机制。在此基础上，深入研究了辐照损伤后太阳电池的退火恢复...; 岳龙; 关键词：退火效应; 文献传递

全选清除导出

共1页<1>

岳龙