张孝吉
- 作品数：50 被引量：122H指数：7
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信理学核科学技术更多>>
- 金属蒸汽真空离子源及其应用被引量：1
- 1999年
- 金属蒸汽真空离子源（ＭＥＶＶＡ源）及其应用的研究是北京师范大学低能物理研究所国家“８６３”高技术发展计划连续三个五年计划资助的重点发展项目，成为国内第一家自行研制成功ＭＥＶＶＡ源的单位。经过十余年来的研制开发，已研制成包括单阴极、多阴极和可推进阴极等...
- 李强张荟星张荟星吴砚东
- 关键词：真空离子源
- 强束流大束斑金属蒸气真空弧离子源
- 一种强束流大束斑金属蒸气真空弧离子源，采用凸形引出电透镜，引出电极的曲率和透射率横向逐渐增大，并采用大的阳极孔配合聚焦磁场。强制增加离子束横向发散以便在较小的距离同时获得较为均匀的强束流和大束斑。
- 吴先映李强张胜基张荟星张孝吉
- 文献传递
- Mevva源离子注入机大批量注入均匀性研究
- Mevva离子源具有束流强、离子种类多、引出电压高以及多孔大面积引出的特点,Mevva强流金属离子注入被誉为新一代的离子注入技术.本文简介了Mevva ⅡA-H源离子注入机研究了几种不同情况下的注入均匀性.
- 吴先映张孝吉张荟星张胜基李强
- 关键词：离子注入离子注入机
- 文献传递
- 快中子辐照抗菌素产生菌诱变育种的研究
- 1983年
- 快中子辐照在抗菌素产生菌育种上的应用,早已引起人们的重视.1945年,Myers 和Hanson 曾用42英寸迥旋加速器产生的快中子处理青霉素产生菌.1962年,Alikanian 用10—40千拉德剂量的快中子处理红霉素产生菌(Actinomyces erythreus)。
- 张荫芬蓝李桥张孝吉刘伊犁
- 关键词：产生菌中子辐照诱变育种吸水链霉菌诱变剂
- 大束斑强流金属离子源
- 1992年
- 介绍了新研制成的 MEVVA-Ⅱ和 MEVVA-ⅡA 离子源的结构特点和某些实验结果.新源采用大面积引出,引出直径60mm.该源脉冲工作,最大束流占空比为6%,已引出 Mg,Al,Ti,V,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Y,Zr,Mo,Nb,Sn,W 和 Pb 等金属元素的离子,平均束流强度在10mA 以上,最大平均束流强度已超过20mA.MEVVA-ⅡA 源还采用了可推进的阴极结构,使阴极寿命大大提高,在引出平均束流10mA(Ti)条件下,已连续稳定运行16h.
- 张孝吉张荟星周凤生张胜基李强韩主恩
- 关键词：离子源真空弧放电
- 金属等离子体浸没Ta^+和Ti^+离子注入
- 2000年
- 采用由阴极真空弧等离子体源、负脉冲高压靶台和磁过滤系统组成的金属等离子体浸没注入系统 ,实现Ta+ 和Ti+ 浸没注入 ,并对离子注入层予以表征 .结果表明 ,等离子体浸没离子注入钽和钛的RBS分析射程 ,低于按设定加速电压的注入能量计算的TRIM射程 .
- 张涛侯君达张孝吉张荟星朱剑豪曾照明田修波
- 关键词：铊钽表面改性
- 离子注入电工触点
- 一种在电工行业广泛应用的电工触头,它在基体采用铜或者铜合金,而在工作表面采用由MAVVE源离子注入技术形成的以重金属元素为主的离子注入改性层。由于基体采用铜或者铜合金,而表面层的合金层又很薄,因此,所形成的表面层在具有能...
- 侯君达张涛张荟星张孝吉
- 文献传递
- 50型MEVVA源离子注入机被引量：8
- 2002年
- 详细介绍了 5 0型强束流、大束斑MEVVA源注入机的结构和各项性能 .5 0型MEVVA源注入机是北京师范大学低能核物理研究所于九五期间承担的“八六三”计划项目“先进离子束注入技术的工业应用”所取得的成果 。
- 吴先映李强张胜基张孝吉张荟星
- 关键词：离子注入机材料表面改性电源
- 多离子源强流注入机
- 一种多离子源强流离子注入装置，可以安装两个或两个以上金属蒸汽真空弧离子源或气体离子源，并以多工作模式进行注入，即产生至少一种元素的离子束，由人工或计算机控制，按一定的程序，改变离子束的能量、强度、注入时间和顺序，在工件表...
- 张荟星张胜基李强周凤生张孝吉韩主恩
- 文献传递
- 视线外磁过滤金属蒸气真空弧等离子体沉积源
- 一种视线外磁过滤金属蒸汽真空弧等离子体沉积源，采用磁过滤方法传输真空弧产生的等离子体到视线外的真空室中，从而消除液滴或颗粒到达处理工件导致镀层缺陷。为了得到高质量的沉积薄膜，过滤器管道内壁有特殊的凹槽设计以防止液滴或颗粒...
- 吴先映李强张荟星张胜基张孝吉
- 文献传递
