张峰翊
- 作品数：14 被引量：42H指数：4
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：青年科技基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信语言文字更多>>
- φ300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟被引量：13
- 2005年
- 直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长 界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感,采用实验的方 法来测量熔体的流动、温度场分布是很困难的,因此很难通过实验的方法获得熔体的流动是如 何影响晶体生长的质量的,而数值模拟能提供熔体流动、温度分布等详细内容,为单晶硅的生 长提供有利的指导.本文采用低雷诺数的K-ε紊流模型,对直径300mm的大直径单晶硅生 长进行了数值模拟,通过熔体在有、无勾形磁场作用时的流场、温度场的分析,阐明了勾形磁 场影响熔体流动的机理.
- 宇慧平隋允康张峰翊常新安安国平
- 关键词：直拉法数值模拟
- 激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布
- 1998年
- 采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型分布，和半绝缘ＧａＡｓ晶片中ＥＰＤ的“Ｗ”型分布相反。在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上，对ＧａＡｓ晶片的寿命进行了讨论。
- 屠海令张峰翊王永鸿钱嘉裕马碧春
- 关键词：半绝缘砷化镓
- 勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟被引量：5
- 2005年
- 采用低雷诺数K-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0．12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semi—implicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场，动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式，紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式．数值模拟结果表明，在勾形磁场作用下，熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同，随着磁场强度的增加，生长界面处氧的浓度降低，并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流，有利于晶体生长．
- 宇慧平隋允康张峰翊常新安
- 关键词：单晶硅氧浓度紊流模型
- 高温退火过程中As压对SI-GaAs化学配比的影响
- 同步Ｘ光荧光（ＳＸＲＦ）成分分析，定性地研究了在０．５ａｔｍ、０．６ａｔｍ、０．７ａｔｍ（１ａｔｍ１０〈’５〉≈ＰａＡｓ压下１１５０℃进行退火处理后衬底化学配比的变化。结果表明：控制Ａｓ压可以改变化学配比，在足够Ａｓ压下...
- 张峰翊屠海令王永鸿钱嘉裕
- 关键词：砷化镓半绝缘砷化镓退火
- 气体湍流对泡生法生长蓝宝石单晶温场的影响被引量：2
- 2008年
- 本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶进行了计算机模拟。分析了气体压力对泡生法生长蓝宝石单晶的温场、气体速度场的影响。结果发现在气压P≥105Pa时,特别是在引晶初期,容易出现籽晶根部熔化,这在实验中得到了很好的验证,并提出了三种解决方案。
- 李金权苏小平那木吉拉图黎建明张峰翊李楠杨海
- 关键词：温场数值模拟
- 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
- 本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料
- 张峰翊郑安生
- 关键词：砷化物晶体镓密封剂
- 文献传递
- 砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景
- 随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料正沿着大直径、高质量、低成本方向迅速发展。本文着重叙述了GaAs 单晶工艺技术现状,讨论了...
- 屠海令郑安生张峰翊邓志杰王永鸿钱嘉裕韩庆彬陈坚邦
- 关键词：晶体生长砷化镓
- 文献传递
- 运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体被引量：4
- 2008年
- 在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶。本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统。这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面。
- 詹琳苏小平张峰翊李金权
- 关键词：数值模拟固液界面GAAS
- 高温退火过程中As压对SI—GaAs化学配比的影响
- 1998年
- 通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atm As压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。
- 张峰翊黄宇营
- 关键词：高温退火半绝缘GAAS砷化镓
- 勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟被引量：16
- 2004年
- 本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布。通过分析表明,勾形磁场能使流动更为平稳,能有效地降低熔体内及生长界面氧的浓度,并对产生这一现象的机理作了理论分析。
- 宇慧平隋允康张峰翊王学锋
- 关键词：单晶硅提拉法磁场强度洛伦兹力
