张文理
- 作品数：13 被引量：8H指数：3
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究被引量：4
- 2004年
- 分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a Si:H薄膜性能的影响 .研究表明 :在衬底附近 ,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率 ;在温度不很高时 ,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a Si:H薄膜 .
- 胡跃辉阴生毅陈光华吴越颖周小明周健儿王青张文理
- 关键词：梯度磁场薄膜生长沉积速率
- 热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究
- 采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性...
- 张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅
- 关键词：A-SI:H薄膜沉积速率
- 文献传递
- 热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
- 2004年
- 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
- 荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
- 关键词：非晶硅红外
- 热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
- 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
- 荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
- 关键词：非晶硅红外ECR-CVD氢含量热丝
- 文献传递
- 热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
- 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备...
- 荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华
- 关键词：非晶硅红外
- 文献传递
- 一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备被引量：3
- 2004年
- 为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜 ,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比 ,薄膜沉积速度大幅度提高 ,沉积速度达到采用传统 RF-
- 殷生毅陈光华吴越颖王青刘毅张文理宋雪梅邓金祥
- 关键词：永磁体磁场氢化非晶硅
- 采用热丝辅助MW-ECRCVD法制备高性能a-Si:H薄膜
- 氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜是硅基薄膜太阳电池的核心材料,而且作为薄膜场效应晶体管在电子摄像,大面积平板显示器等领域的应用也有很大进展。高光敏性及高稳定型的a-Si∶H薄膜的制备,始终是硅基薄膜太阳电池研究和应用中的关...
- 张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅邓金祥
- 文献传递
- 热丝辅助MWECR CVD制备高质量硅基薄膜的工艺研究
- 太阳能是一种清洁的可再生能源，充分开发利用太阳能已经成为世界各国政府可持续发展的能源战略决策。氢化非晶硅(a-Si：H)薄膜是硅基薄膜太阳电池的核心材料。与a-Si：H薄膜相比氢化微晶硅(μc-Si：H)薄膜具有更高的载...
- 张文理
- 关键词：氢化非晶硅薄膜氢化微晶硅薄膜硅基薄膜
- 文献传递
- 氢化非晶硅薄膜的红外光谱分析和桥键氢扩散假设(英文)
- 2005年
- 通过红外透射光谱研究了在光诱导退火中退火条件对氢化非晶硅薄膜的结构和光电特性的影响,实验所用样品采用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备。我们用桥键氢扩散模型来解释退火中的不同现象。样品的红外光谱在630和2000cm-1处的吸收系数有所增加,说明了原先的成键氢发生了移动和溢出,我们认为通过光诱导产生载流子的非辐射复合以及桥键氢和深俘获氢原子的交换,产生了大量的桥键氢原子,它们相互结合形成分子氢,氢溢出要优于氢团聚。
- 周怀恩朱秀红胡跃辉马占杰张文理李瀛陈光华
- 关键词：氢化非晶硅薄膜傅立叶变换红外光谱
- MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响(英文)被引量：3
- 2004年
- 为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A下能得到最大的沉积速率 ,但是沿样品台半径方向沉积速率呈现很明显的不均匀分布 .
- 胡跃辉吴越颖陈光华王青张文理阴生毅
- 关键词：A-SI:H薄膜沉积速率
