您的位置: 专家智库 > >

张荣军

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇自旋
  • 1篇自旋-轨道相...
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇SPP
  • 1篇INAS量子...
  • 1篇表面等离子激...

机构

  • 2篇武汉大学
  • 1篇金陵科技学院

作者

  • 2篇张荣军
  • 2篇熊贵光
  • 1篇周宏明
  • 1篇姚端正
  • 1篇蒋洪良
  • 1篇欧阳奎

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
InAs量子点中自旋-轨道相互作用下电子自旋弛豫的参量特征被引量:1
2011年
本文在处理InAs单电子量子点哈密顿模型时,将自旋-轨道(SO)相互作用作为微扰项,计算在Fock-Darwin本征函数下SO相互作用的矩阵元,利用其对能级和波函数的二阶修正,并且考虑新的能级对g因子和有效质量m*的影响,计算得到在声子协助下电子的自旋弛豫率Γ的表达式.给出了InAs量子点中声子协助的电子自旋弛豫率Γ对于限制势频率ω0、温度T、纵向高度z0及磁场B等参量有不同的依赖关系,其中温度对于电子的自旋弛豫起着主导作用,横向限制势频率次之,磁场和纵向高度的作用再次之.1)在InAs量子点中,ω0的增加对应着有效横向尺寸d的变小,对Γ的值有明显的抑制作用;2)随着T的提高ω0对于电子自旋反转的抑制作用逐渐减弱,T对Γ的影响明显,从1K增加到7K时自旋反转弛豫迅速增加,Γ从103s-1增加到108s-1量级;3)Γ随高度z0的增加而变小,在T=1K时Γ总的量级为100—103s-1,而随着T的增加(T=6K)它将逐渐超过z0的增加对弛豫率Γ的影响;4)Γ随磁场B变化曲线在不同的ω0时均形成一个峰值,而峰值几乎出现在同一B值,这归因于InAs有相当大的g因子使得随磁场增加时塞曼项H^Z对能级产生影响将超过H^SO.
蒋洪良张荣军周宏明姚端正熊贵光
关键词:INAS量子点
负Purcell因子对表面等离子激元增强自发辐射的影响
2009年
利用金属介电函数的Drude模型以及电磁场耦合理论,计算分析了Purcell因子对表面等离子激元(surface plasmon polaritons,SPP)增强自发辐射的影响.结果表明,对于由Ag或Au金属层和电介质层构成的半导体发光二极管系统,当Purcell因子为负值时,SPP将对自发辐射发光效率产生很大的增强作用.
熊贵光欧阳奎张荣军
关键词:介电常数
共1页<1>
聚类工具0