徐大余
- 作品数：9 被引量：49H指数：4
- 供职机构：中南大学更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家大学生创新性实验计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信化学工程金属学及工艺更多>>
- 一种高比表面积纳米二氧化硅的制备方法
- 一种高比表面积纳米SiO<Sub>2</Sub>的制备方法，采用工业硅酸钠为原料，配制成浓度为0.1～0.8mol/L的硅酸钠溶液，加入3％～20％的十六烷基三甲基溴化氨，缓慢滴加浓度为0.5～1.5mol/L酸化剂溶液...
- 宋晓岚江楠邱冠周李宇焜杨华明金胜明徐大余
- 文献传递
- 沉淀法合成的纳米CeO_2前驱体的热分解动力学被引量：7
- 2007年
- 以Ce(NO3)3.6H2O为铈源,(NH4)2 CO3.H2O为沉淀剂,加入少量PEG4000作为分散剂,采用化学沉淀法并经水洗、超声波醇洗,70℃干燥后得到CeO2的前驱体Ce2(CO3)3.H2 O。对Ce2(CO3)3.H2 O样品运用差示/热重分析(DSC/TG)和X射线衍射(XRD)方法进行其热分解过程研究,并通过多重速率扫描法记录样品在不同升温速率下的DSC/TG曲线,采用Kissinger-Akahira-Sunose(KAS)法和Coats-Redfern法进一步研究Ce2(CO3)3.H2 O的热分解动力学。研究结果表明:Ce2(CO3)3.H2 O热分解反应过程分2步进行,主要反应阶段的反应动力学参数是:反应活化能为105.51 kJ/mol,反应级数为2,频率因子为3.61;由此推断出可能的Ce2(CO3)3.H2 O热分解机理函数为Anti-Jander方程,受三维扩散机制控制。
- 宋晓岚何希杨海平徐大余江楠邱冠周
- 关键词：纳米CEO2热分解动力学化学沉淀法
- 一种高比表面积纳米二氧化硅的制备方法
- 一种高比表面积纳米SiO<Sub>2</Sub>的制备方法，采用工业硅酸钠为原料，配制成浓度为0.1～0.8mol/L的硅酸钠溶液，加入3％～20％的十六烷基三甲基溴化氨，缓慢滴加浓度为0.5～1.5mol/L酸化剂溶液...
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- 文献传递
- P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究被引量：4
- 2008年
- 采用电化学极化测量技术研究了p（100）和p（111）硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为，考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响。结果表明：在室温下当KOH浓度为5～6mol／L时硅片腐蚀速率最大；随着KOH腐蚀液温度增加，腐蚀速率增大，在50℃左右腐蚀速率增加显著；硅片表面缝隙会加剧硅的局部腐蚀，在同等实验条件下缝隙腐蚀速率比均匀腐蚀快一个数量级。
- 宋晓岚张晓伟徐大余喻振兴邱冠周
- 关键词：极化曲线
- 多孔硅的制备及其光致发光性能研究
- 硅基发光材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料。多孔硅(PS)由于其在室温下具有很强的发光性能，而受到科研界的普遍关注，一旦其能够实现高效且稳定的光致发光和电致发光，将有望在硅基光电子集成技术中发挥重要作用。
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- 徐大余
- 关键词：多孔硅发光性能发光材料电化学沉积
- 文献传递
- 多孔硅发光材料研究进展被引量：1
- 2008年
- 综述了多孔硅的制备方法、形成机理和多孔硅的光致发光机制,以及为改善多孔硅的发光特性而采取的一些措施,最后概述了多孔硅发光材料的应用。
- 宋晓岚徐大余张晓伟屈一新喻振新邱冠周
- 关键词：多孔硅光致发光
- 纳米SiO_2复合材料研究进展被引量：9
- 2007年
- 利用纳米SiO2粒子本身所具备的优良性质,通过物理或化学方法使其与不同材料如金属、半导体、无机或有机材料复合,可以制得各种具有特殊性能的纳米复合材料。该文概述了纳米SiO2的优异性能;综述了纳米SiO2/金属、纳米SiO2/无机和纳米SiO2/有机复合材料的研究现状及进展,其中对纳米SiO2/有机复合材料的综述最详,计有纳米SiO2/酯类、纳米SiO2胺类、纳米SiO2/木材、纳米SiO2/环氧树脂、纳米SiO2/聚烯烃类和纳米SiO2/橡胶等6类复合材料。此外,还指出了有待进一步探索与开发的问题,并对其发展做了展望。
- 江楠宋晓岚徐大余
- 关键词：SI02复合材料
- 纳米SiO_2浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理被引量：28
- 2008年
- 采用电化学方法,研究了SiO2浆料pH值、H2O2浓度、固体含量以及抛光转速、压力和时间等不同抛光工艺参数对n型半导体单晶硅片(100)和(111)晶面化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)去除速率的影响和作用机理。结果表明:抛光速率随SiO2固体含量、抛光转速及压力的增加而增大,随抛光时间的增加而减小;在pH值为10.5和H2O2为1%(体积分数)时,抛光速率出现最大值;相同抛光工艺条件下(100)晶面的抛光速率远大于(111)晶面。半导体硅片CMP过程是按照成膜(化学腐蚀作用)→去膜(机械磨削作用)→再成膜→再去膜的方式进行,直到最终全局平坦化。实验所获得适合n型半导体硅片CMP的优化工艺参数为:5%～10%SiO2(质量分数),pH=10.5,1%H2O2,压力为40kPa及(110)晶面和(111)晶面的抛光转速分别为100r/min和200r/min;在该条件下10%SiO2浆料中抛光30min得到的抛光硅片的表面粗糙度为0.7nm左右。
- 宋晓岚刘宏燕杨海平张晓伟徐大余邱冠周
- 关键词：化学机械抛光单晶硅片抛光速率
- P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究
- 采用电化学极化测量技术研究了p(100)和p(111)硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为,考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响.结果表明:在室温下当KOH浓度为5～6 mol/L时硅片腐蚀速率最大...
- 宋晓岚张晓伟徐大余喻振兴邱冠周
- 文献传递
