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徐明

作品数：61 被引量：1H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺文化科学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 55篇专利
  • 6篇学位论文

领域

  • 14篇自动化与计算...
  • 6篇金属学及工艺
  • 4篇文化科学
  • 2篇经济管理
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 26篇相变存储
  • 26篇存储器
  • 20篇相变存储器
  • 17篇相变
  • 16篇相变材料
  • 15篇底电极
  • 15篇微电子
  • 12篇选通
  • 9篇百分比
  • 8篇功耗
  • 8篇SB
  • 7篇原子
  • 7篇热稳定
  • 7篇热稳定性
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米孔
  • 6篇晶体
  • 5篇电脉冲
  • 5篇晶态
  • 5篇开关比

机构

  • 61篇华中科技大学

作者

  • 61篇徐明
  • 50篇缪向水
  • 11篇徐萌
  • 6篇杨哲
  • 5篇王欢
  • 4篇刘龙
  • 3篇李博文
  • 2篇童浩
  • 2篇张立伟
  • 2篇程晓敏
  • 2篇冯金龙
  • 1篇雷鑑铭

年份

  • 3篇2024
  • 8篇2023
  • 17篇2022
  • 15篇2021
  • 12篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2014
  • 1篇2007
共 61 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其制备方法
本发明公开了一种低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法，该超晶格相变薄膜包括交替堆叠形成周期性结构的第一相变层和第二相变层；在晶化的过程中，第一相变层具有常规的正密度变化，而第二相变层具有反常的负密度变化，因此...
程晓敏冯金龙徐明徐萌缪向水
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一种Ge-Sb基相变材料及多级相变存储器
本发明公开了一种Ge‑Sb基相变存储材料及多级相变存储器，其化学通式为(Ge<Sub>i</Sub>Sb<Sub>j</Sub>)<Sub>100‑k</Sub>X<Sub>k</Sub>，i，j，k分别为Ge、Sb和X...
徐明张立伟缪向水
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一种基于异质堆叠的二位相变存储器及其阻值测量方法
本发明提供了一种基于异质堆叠的二位相变存储器及其阻值测量方法，属于微电子存储器领域，二位相变存储器包括：异质堆叠模块、电极和隔离模块，异质堆叠模块为Ge‑Ga‑Sb和Ge‑Sb‑Te交替堆叠构建；在加热或电脉冲的作用下，...
徐明沈颖华缪向水
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选通管相变存储集成单元及其制备方法、相变存储器件
本发明公开了一种选通管相变存储集成单元及其制备方法、相变存储器件，属于微纳米电子技术领域。在衬底上形成底电极；在底电极上制备绝缘层，对绝缘层进行图形化得到纳米孔，并通过纳米孔暴露出底电极；在纳米孔中填充选通管材料；在选通...
徐明徐开朗缪向水
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一种Ge-Sb-C相变存储材料、其制备方法和应用
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种Ge‑Sb‑C相变存储材料、其制备方法和应用。本发明的Ge‑Sb‑C新型相变存储材料，其化学组成通式(Ge<Sub>i</Sub>Sb<Sub>j</Sub>)<Sub>100‑x<...
徐明吴倩倩缪向水
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一种岛状低阻通路忆阻功能层材料、忆阻器及制备方法
本发明提供了一种岛状低阻通路忆阻功能层材料、忆阻器及制备方法，属于微电子器件领域，岛状低阻通路忆阻功能层材料包括硒化物层和在硒化物层上由硒化物原位氧化获得的氧化产物层，氧化产物层中具有硒的三方晶体团簇，硒的三方晶体团簇在...
熊昌鹰缪向水徐明杨哲
一种低操作功耗的相变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种低操作功耗的相变存储单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。低操作功耗的相变存储单元包括衬底以及依次设置在衬底上的底电极、第一绝缘层、相变材料层、第二绝缘层和顶电极，第一绝缘层中设置有相变材料插塞柱，围...
徐明徐开朗缪向水
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阈值转换器件、其制备方法及基于其的随机密码生成方法
本发明提供了一种阈值转换器件、其制备方法及基于其的随机密码生成方法，属于微电子器件技术领域，阈值转换器件包括：底电极、硒化物层、氧化产物层和顶电极；底电极和顶电极用于接入施加信号；硒化物层用于防止金属原子大于预设数量地进...
徐明沈佳豪唐飞宇熊昌鹰徐群道罗霄缪向水
一种基于相变原理的忆阻器及其制备方法
本发明公开了一种基于相变原理的忆阻器及其制备方法，属于微电子技术领域；其中，忆阻器包括：由下至上的基底、底电极、第一限制层、介质层、第二限制层以及顶电极；第一限制层和第二限制层的材料均包括二维原子晶体材料；介质层的材料包...
徐明王俊钦缪向水
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一种使用电化学沉积进行相变存储单元集成的方法
本发明公开了一种使用电化学沉积进行相变存储单元集成的方法，包括步骤：S1：制备导电衬底；S2：制备绝缘层；S3：制备深孔；S4：配置反应溶液，其中混合有两种不同的电解液；S5：在深孔内从底部向上进行电化学沉积，通过调节沉...
徐明徐开朗缪向水童浩万代兴
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