您的位置： 专家智库 > >

昝育德

作品数：13 被引量：13H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇氧沉淀
  • 3篇退火
  • 3篇热退火
  • 3篇硅衬底
  • 3篇AL
  • 3篇掺锑
  • 3篇衬底
  • 3篇RAMPIN...
  • 2篇致冷
  • 2篇半导体致冷
  • 2篇SI
  • 2篇SOS
  • 2篇硅
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导线
  • 1篇导线连接
  • 1篇淀积
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇液体介质

机构

  • 13篇中国科学院

作者

  • 13篇昝育德
  • 10篇王俊
  • 8篇林兰英
  • 6篇韩秀峰
  • 6篇王建华
  • 5篇王启元
  • 5篇邓惠芳
  • 4篇李瑞云
  • 3篇蔡田海
  • 3篇王占国
  • 3篇郁元桓
  • 2篇王玉田
  • 2篇汪度
  • 2篇刘祥林
  • 2篇陆大成
  • 1篇刘忠立
  • 1篇于芳
  • 1篇汪连山

传媒

  • 6篇Journa...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇1998年全...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇1998年全...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 5篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1992
共 13 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
硅的位错核心结构无悬挂键被引量：1
1998年
本文应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理，通过分析透射电镜晶格象，制作了９０°、３０°分位错及Ｃｏｔｅｒｌ位错等一系列的模型。
昝育德
关键词：硅
半导体致冷恒温浴槽被引量：4
1999年
本文介绍一种用半导体致冷器件制作的恒温槽．该装置采用了高精度温控仪，磁耦合搅拌器以及适当的保温材料．可以很方便地将容器内液体介质及被控部件控制在－ ３０°～５０℃之间，其精度小于 ００５℃．
昝育德李瑞云王俊林兰英
关键词：半导体保温材料
Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片增强氧沉淀
该文报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅补底片，明显增加了氧...
王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德
关键词：氧沉淀
文献传递网络资源链接
一种恒温装置
一种恒温装置,包括恒温槽、恒温液体介质、温度传感器、半导体致冷器、温度控制仪、功率转换器和转动机构;其中恒温槽为双层结构,在恒温槽中有一内槽,内槽中装有恒温液体介质,在两槽体之间装有固体保温介质;温度传感器置于恒温液体介...
昝育德李瑞云王俊林兰英
文献传递
Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片增强氧沉淀
报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅补底片，明显增加了氧沉淀...
王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德
关键词：氧沉淀
Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备被引量：1
1998年
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在Al2 O3 /Si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )X射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,薄膜的玛赛克 (mosaic)结构是X射线衍射峰展宽的主要原因 .室温下GaN光致发光谱的带边峰位于 36 5nm .
汪连山刘祥林昝育德汪度王俊陆大成王占国
关键词：氮化镓化学气相沉积
CMOS硅外延片质量改进及与器件关系
林兰英郁元桓蔡田海昝育德王启元
一、成果内容简介；关键技术、技术经济指标：与体硅工艺相比，CMOS硅外延具有良好的抗闭锁性能及更完整的硅表面，因而它对亚微米集成电路的开发具有重要意义。该项研究为φ102毫米(4in)低阻(0.01-0.02Ωcm)硅衬...
关键词：
关键词：互补型金属氧化物半导体硅外延片半导体工艺半导体器件
一种化学气相淀积反应管
本实用新型公开了一种用于半导工艺、具有全平滑侧壁的卧式矩形化学气相淀积反应管。这种反应管的扩展区两侧壁面与其矩形反应区两侧壁面之间有缓曲的界面。它可以避免在反应管内形成离壁返回涡流，为确保淀积层的质量控制创造了良好的条件...
陆大成汪度昝育德刘祥林
文献传递
γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长被引量：5
1998年
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化．Ｘ射线双晶衍射看到，除了硅的（４００）峰和（２００）峰以外，只在２θ为４５°处有一个低而宽的小峰．ＸＰＳ谱给出氧的１ｓ峰位为５３２．３ｅＶ，Ａｌ的２ｐ峰位为７５．４ｅＶ，将他们与α－Ａｌ２Ｏ３比较，对应峰位移动了约３．５ｅＶ．俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ－Ａｌ２Ｏ３．说明在我们实验室里确实长出单晶γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜，与衬底的结晶关系是（１００）γ－Ａｌ２Ｏ３／／（１００）Ｓｉ，［０１０］γ－Ａｌ２Ｏ３／／［０１０］Ｓｉ．
昝育德王俊韩秀峰王玉田王维民王占国林兰英
关键词：MOCVDSOS
借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量被引量：1
1997年
本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm－1附近得到了明显的Si－O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量．实验结果表明：该测量方法具有很高的测量准确度和更宽泛的电阻率应用范围．对于重掺n型硅，其测量应用范围可扩展至电阻率1×10-2Ω·cm（自由载流子浓度高达4×1018cm－3）．
王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德蔡田海郁元桓林兰英
关键词：半导体硅红外吸收重掺硅
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0