朱建东
- 作品数：14 被引量：6H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：江苏省“青蓝工程”基金国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 一种应用硼酸提高碳化硅纳米纤维产率的方法
- 一种应用硼酸提高碳化硅纳米纤维产率的方法，它涉及了一种硼酸的应用方法。本发明解决了现有SiC纳米纤维制备方法存在产率低的缺陷以及硼酸未被应用到SiC纳米纤维生产领域的问题。本发明应用硼酸提高SiC纳米纤维产率的方法按照如...
- 温广武张晓东朱建东黄小萧钟博张涛于洪明
- 文献传递
- 纳米铝颗粒增强Sn1.0Ag0.5Cu钎料性能及机理被引量：6
- 2018年
- 通过机械混合的方法,制备Sn1.0Ag0.5Cu-x Al复合钎料.采用DSC、STR-1000型微焊点强度测试仪及SEM,研究了纳米铝颗粒对低银Sn1.0Ag0.5Cu钎料组织与性能的影响.结果表明,微量纳米铝颗粒的添加对钎料的熔化温度影响较小,其熔点均在226.9~229.0℃之间.随着纳米Al元素含量的增加,钎料的润湿角逐渐减小,力学性能逐渐增加,当纳米Al元素的添加量为0.1%时,焊点的拉伸力达到最大,为7.1 N.此外,Sn1.0Ag0.5Cu-0.1Al钎料的内部组织得到显著细化,焊点界面金属间化合物的生长也得到明显抑制,主要归因于纳米颗粒对金属间化合物生长的吸附作用.
- 孙磊陈明和谢兰生张亮朱建东
- 关键词：润湿性能金属间化合物
- SiC纳米线的制备方法
- SiC纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法：一、将单晶硅片放入氢氟酸溶...
- 温广武黄小萧张晓东王声函马飞翔李峰朱建东
- 文献传递
- 一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法
- 一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法，涉及SiC纳米线材料及其制备方法。本发明解决现有SiC纳米纤维在应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由β-SiC单晶相纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度0.2~50mm...
- 温广武张晓东黄小萧耿欣朱建东孙梦
- 文献传递
- 一种氮化硅纳米无纺布的制备方法
- 一种氮化硅纳米无纺布的制备方法，它涉及氮化硅纳米材料的制备方法。本发明解决现有氮化硅纳米纤维在实际应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由单晶α-Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳...
- 温广武张晓东黄小萧孙梦朱建东耿欣
- 文献传递
- 一种应用硼酸提高SiC纳米线产率的方法
- 一种应用硼酸提高SiC纳米线产率的方法，它涉及了一种提高SiC纳米纤维产率的方法。本发明解决了现有SiC纳米线制备方法存在产率低的缺陷以及硼酸未被应用到SiC纳米线生产领域的问题。本发明应用硼酸提高SiC纳米线产率的方法...
- 温广武张晓东朱建东黄小萧钟博张涛于洪明
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- 高导热氮化铝基复相陶瓷的制备方法
- 高导热氮化铝基复相陶瓷的制备方法，涉及一种高导热陶瓷材料的制备方法。所述方法为：称取定量聚碳硅烷置于球磨罐中，加入适量的二甲苯，得到聚碳硅烷-二甲苯溶液；称取经表面改性的氮化铝粉体置于球磨罐中球磨混合，完成混合浆料制备；...
- 王春青朱建东温广武
- 文献传递
- 多芯片组大功率LED基板制备方法
- 多芯片组大功率LED基板制备方法，涉及LED基板制备方法。解决现有LED器件在LED金属封装中热膨胀系数不匹配、高分子绝缘层的热导率较低，从而导致LED失效等问题。它以聚碳硅烷、氮化铝粉体、氧化钇为原料，在玛瑙球磨罐中与...
- 温广武朱建东黄小萧
- 一种氮化硅纳米无纺布及其制备方法
- 一种氮化硅纳米无纺布及其制备方法，它涉及氮化硅纳米材料及其制备方法。本发明解决现有氮化硅纳米纤维在实际应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由单晶α-Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub...
- 温广武张晓东黄小萧孙梦朱建东耿欣
- 多芯片组大功率LED基板制备方法
- 多芯片组大功率LED基板制备方法，涉及LED基板制备方法。解决现有LED器件在LED金属封装中热膨胀系数不匹配、高分子绝缘层的热导率较低，从而导致LED失效等问题。它以聚碳硅烷、氮化铝粉体、氧化钇为原料，在玛瑙球磨罐中与...
- 温广武朱建东黄小萧
- 文献传递
