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朱弘

作品数:13 被引量:14H指数:2
供职机构:中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇散射
  • 2篇散射谱
  • 2篇光学
  • 2篇磁电
  • 2篇磁电阻
  • 1篇单晶
  • 1篇多层膜
  • 1篇多孔硅
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化锡
  • 1篇色散
  • 1篇色散关系
  • 1篇射线衍射
  • 1篇声子
  • 1篇坡莫合金
  • 1篇微观结构
  • 1篇喇曼
  • 1篇喇曼谱
  • 1篇交换耦合
  • 1篇各向异性

机构

  • 5篇中国科学技术...
  • 2篇中国科学院

作者

  • 6篇朱弘
  • 3篇熊曹水
  • 2篇汤业庆
  • 2篇皮雳
  • 2篇朱警生
  • 1篇赵特秀
  • 1篇刘宏图
  • 1篇张为俊
  • 1篇王晓平
  • 1篇陈慧余
  • 1篇刘玉龙
  • 1篇戎春华
  • 1篇周贵恩
  • 1篇阎逢旗
  • 1篇梅时中
  • 1篇高晓明
  • 1篇高洁
  • 1篇罗有泉
  • 1篇刘磁辉
  • 1篇周金运

传媒

  • 2篇中国科学(A...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇量子电子学

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
13 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
纳米SnO_2的Raman光谱研究被引量:2
1997年
利用Raman光谱和X射线衍射系统地研究了纳米SnO_2的微观结构和空间对称性与退火温度的关系,并与非晶SnO_2薄膜和单晶的结果进行了比较.发现,Raman新峰N_1和N_2完全遵循Matossi力常数模型,退火温度接近673K时,纳米微粒内局域无序和晶格空位密度迅速下降,晶格畸变和Raman新峰几乎同时消失.并对Raman新峰N_1和N_2与纳米SnO_2的微观结构的变化进行了深入的探讨.
熊永红熊曹水朱弘张裕恒刘玉龙刘玉龙
关键词:氧化锡散射谱微观结构
81NiFe/Cr多层膜磁电阻单向各向异性与交换耦合
1994年
采用电子束蒸发法制备的81NiFe/Cr多层膜具有单向各向异性,磁滞回线非轴对称,相当存在1Oe数量级的交换偏场。磁电阻回线的上升和下降两枝差别明显,其中以横向磁电阻回线最为显著。有的试样上升枝与下降枝相应的最大横向磁电阻率之差已高达0.78%,其最大各向异性磁电阻率(R_(max)-R_(min))/R为4.72%,甚高于Miyazaki等 ̄[1]的优质82NiFe合金单层膜的报道值3%。可以认为这类多层膜的磁电阻效应除主要来源于自旋-轨道耦合机制外,还有电子自旋相关散射机制的影响。
陈慧余罗有泉朱弘温琳清
关键词:坡莫合金多层膜各向异性
热透镜显像现象研究被引量:2
1996年
本文报导了弱探测光在热透镜介质中传播时出现的一种光感应现象。实验研究了探测光出射光斑中的暗斑与介质中热透镜的对应关系,并分析了该现象产生的机理。
季明韩亚农张为俊高晓明周金运王沛阎逢旗戎春华梅时中朱弘
关键词:非线性光学
光学声子色散关系对多孔硅喇曼谱的影响被引量:3
1995年
测量了多孔硅的喇曼光谱,观察到谱峰有明显的红移和非对称性展宽效应.用微晶模型对此现象进行了解释:认为谱峰的这种变化不完全是由尺寸的空间限制效应和多孔硅的应变造成的,更主要的是多孔硅的色散关系发生了变化.采用不同的色散关系对谱峰进行了拟合,发现色散关系对喇曼谱的拟合有较大的影响.
王晓平赵特秀刘磁辉朱弘刘宏图
关键词:多孔硅色散散射谱光学声子
La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3单晶外延膜的X射线衍射表征被引量:2
1997年
钙钛矿型掺杂氧化物中的巨磁阻(CMR)效应已经引起了基础理论研究和新材料应用的 极大关注.实验表明:薄膜样品中出现大的CMR效应和高的转变温度Tc与制备条件有着密切的关系.由于晶粒尺寸效应和膜的外延性对CMR有重要影响,因此,制备高质量的薄膜,研究其结构特征,对掺杂锰氧化物的巨磁阻效应机制的理解和实际应用都是十分必要的.我们用直流溅射法在(001)LaAlO3单晶基片上制备了La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)单晶外延薄膜,并测量了磁电阻效应.本文采用 X射线衍射及极图研究了 LSMO薄膜的外延性以及膜与衬底的晶格匹配关系.1 衬底晶胞转换 实验采用(001)LaAlO3单晶作衬底.LaAlO3单晶属于三方晶系,然而从LaAlO3单晶获得的粉末X射线衍射看出:LaAlO3在2 θ=70°以前时,衍射峰不出现分裂(70°以后开始分裂),表明三方晶胞的LaAlO3可以看作是由立方晶胞沿体对角线方向轻微(“压缩”或“拉长”而得到的,先将六方晶胞(a=0. 536 5 nm, c= 1.311 nm)转换为三方晶胞(菱面体晶胞,a=0.536 5 nm),则 LaAlO3取六方晶胞时的(012)面转换成三方晶胞的(110)面。
高洁熊曹水汤业庆朱弘皮雳朱警生周贵恩张裕恒
关键词:X射线衍射单晶钙钛矿型氧化物
LPL3层膜的结构、磁性和磁电阻效应的研究被引量:1
1998年
采用直流溅射法在 ( 1 0 0 )LaAlO3 单晶基片上制备了La0 67Sr0 3 3 MnO3 +δ/Pr0 7Ca0 3 MnO3 +δ/La0 67Sr0 3 3 MnO3 +δ(简称为LPL) 3层膜 .用X射线粉末衍射法(XRD)研究了系列样品的摇摆曲线和衍射全图 ,结果表明所有的样品均为高度取向的外延膜 .SQUID磁强计的测量结果证实了 3层膜中磁耦合的存在 .用常规的四端引线法测量了LSMO、PCMO和LPL 3层膜的电阻 ,分析了logρ 1 /T曲线 .由此可以得出如下结论 :具有铁磁性的PCMO中间层在 3层膜中可能起到了内磁场的作用 ,使得LSMO膜的顺磁性被削弱 ,这个作用与外加磁场的作用一样 ,降低了 ρmax,增大了由金属到半导体的转变温度Tp;PCMO中间层还诱发了LSMO的能隙中的态密度的变化 .以上两个原因使得在零场中样品的电阻率和Tp 随着中间层PCMO的厚度变化而明显变化 .
熊曹水皮雳汤业庆朱弘宗登刚张骏峰邓云飞朱警生张裕恒
关键词:磁电阻LPL磁性
共1页<1>
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