李亮
- 作品数：154 被引量：37H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信农业科学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 谐振器和滤波器
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和滤波器。多层结构形成于衬底上，包括压电层、第一电极和第二电极；其中，第一电极和第二电极分别设置在压电层的两侧，所述第一电极包括第一导电层和第二导电层，所述第二电极包括第三导电层...
- 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
- FBAR阶梯型结构滤波器及滤波器组件
- 本实用新型涉及滤波技术领域，提供了一种FBAR阶梯型结构滤波器和滤波器组件。该FBAR阶梯型结构滤波器包括输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器；多个串臂谐振器包括依次串联连接在输入端和输出端之间的第一谐...
- 李宏军李丽张仕强王胜福李亮梁东升韩易胡占奎李明武李少君刘庆王艳玲李瑞茹朱会莲
- 超宽带SiC MESFET器件的研制
- 2012年
- 采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8～2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。
- 崔玉兴默江辉李亮李佳付兴昌蔡树军杨克武
- 关键词：SICMESFET内匹配超宽带内匹配
- GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片，该方法包括：在GaN芯片的背面生长第一金属；在所述第一金属层的表面生长Au金属层；在所述Au金属层与待烧结区域对应的区域的表面生长Au/Sn...
- 王川宝李亮王强栋马杰付兴中崔玉兴
- 文献传递
- 8.9W/mm高功率密度SiC MESFET器件研制
- 2013年
- 基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了Al记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,优化了凹槽尺寸,采用细栅制作技术完成了栅电极制作,最终得到了不同栅宽的SiC MESFET芯片。突破了大栅宽芯片流片、封装及大功率脉冲测试技术,研制成功了微波功率特性良好的MESFET器件。微波测试结果表明,在2 GHz脉冲条件下,0.25 mm栅宽器件,输出功率密度达到8.96 W/mm,功率附加效率达到30%。单胞20 mm大栅宽器件,3.4 GHz脉冲条件下,功率输出达到94 W,功率附加效率达到22.4%。
- 李亮默江辉邓小川李佳冯志红崔玉兴付兴昌蔡树军
- 关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管功率密度
- 一种谐振器封装系统
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构；所述谐振器包括：衬底和多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；所述封装结构包括：第一衬底、第...
- 李亮商庆杰梁东升赵洋王利芹丁现朋刘青林冯利东张丹青崔玉兴张力江刘相伍杨志李宏军钱丽旭李丽卜爱民王强蔡树军付兴昌
- 文献传递
- 具有内埋式温度补偿层的谐振器和滤波器
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有内埋式温度补偿层的谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层，上、下电极层中分别设有温度补偿层；在所述衬底...
- 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
- 文献传递
- 高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法
- 本发明公开了一种等离子增强化学气相淀积工艺中高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其采用下述工艺步骤：(1)采用等离子增强化学气相淀积法淀积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>层或SiO<Sub>2</Su...
- 李亮霍玉柱周瑞李丽亚严锐
- 文献传递
- 一种声谐振器
- 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声谐振器，所述声谐振器包括：衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底...
- 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
- 文献传递
- 一种无损腐蚀碳化硅的方法
- 本发明公开了一种无损腐蚀碳化硅的方法。它应用于碳化硅(SiC)器件工艺制作领域。这种方法与通常SiC器件制作过程中使用的干法刻蚀和湿法腐蚀都不相同，它是通过对SiC晶片的选择性氧化来形成器件需要的形貌。由于不会引入干法刻...
- 潘宏菽李亮
- 文献传递
