李伟东
- 作品数：7 被引量：58H指数：3
- 供职机构：国防科学技术大学机电工程与自动化学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：机械工程自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>
- 微压力传感器的设计与制作工艺研究
- 微压力传感器是在微机电系统领域最早开始研究并且产业化的微机电器件之一,微机电系统以微加工工艺为重点研究内容。本文主要对微压力传感器的相关部分进行设计,并在研究相关微加工工艺的基础上制作了一种验证性的压阻式微压力传感器。论...
- 李伟东
- 关键词：微机电系统微压力传感器微加工工艺压阻式电容式谐振式
- TMAH腐蚀液制作硅微结构的研究被引量：14
- 2006年
- 通过各向异性腐蚀硅微结构工艺,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液的特性,包括硅(100)晶面腐蚀速率与TAMH溶液浓度、温度、pH值以及过硫酸铵添加剂的关系,并采用原子力显微镜研究了不同腐蚀条件下硅的表面形貌,研究表明随TMAH溶液的浓度的降低和腐蚀温度的提高,腐蚀速率提高,硅腔的表面粗糙度增大;过硫酸铵添加剂明显改善了硅微腔的表面平整度。本研究所确定的最佳腐蚀工艺条件为溶液中TMAH浓度为25%,过硫酸铵添加剂浓度为3%,腐蚀温度80℃。在此工艺条件下腐蚀出了深度为230μm、表面粗糙度小于50nm的硅微腔。
- 张建辉李伟东万红吴学忠
- 关键词：MEMSTMAH硅微结构各向异性腐蚀
- PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究被引量：3
- 2005年
- 通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率、被腐蚀速率的几个关键因素,并对一些常用的工艺参数进行了总结.
- 李伟东吴学忠李圣怡
- 关键词：氮化硅
- 一种压阻式微压力传感器被引量：26
- 2006年
- 微压力传感器是微机电领域最早开始研究并且实用化的微器件之一,它结构简单、用途广。基于压阻效应、惠斯顿电桥等相关知识设计了一种压阻式微压力传感器。为增大灵敏度,设计了一种折弯形的压敏电阻。基于一些相关的微加工工艺制定了制作这种微传感器的工艺流程并且制作成功了传感芯片。设计了一个处理电路去获得此传感器的输出信号,它由两级放大电路和两级巴特沃斯低通滤波电路组成。最后利用这个测试系统检测出了随压力变化而发生变化的微电压信号。
- 李伟东吴学忠李圣怡
- 关键词：微机电系统压阻式微传感器测试系统
- PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究
- 通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率、被腐蚀速率的几个关键因素,并对一些常用...
- 李伟东吴学忠李圣怡
- 关键词：氮化硅
- 文献传递
- ICP刻蚀技术在MEMS器件制作中的应用被引量：12
- 2005年
- 简单介绍了ICP刻蚀系统和刻蚀原理。通过实验分析了ICP刻蚀SiO2和Cr时,刻蚀速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律。同时给出了用ICP刻蚀出的MEMS传感器Si基腔的表面形貌图和Cr电阻的显微镜照片。
- 李伟东张建辉吴学忠李圣怡
- 关键词：微机电系统感应耦合等离子体刻蚀刻蚀速率
- PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究
- 本文通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率、被腐蚀速率的几个关键因素,并对一些...
- 李伟东吴学忠李圣怡
- 关键词：氮化硅薄膜PECVD原子力显微镜
- 文献传递
