李凤
- 作品数：18 被引量：25H指数：3
- 供职机构：嘉兴学院数理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会创新基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究被引量：2
- 2009年
- 在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征。并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器。
- 何波马忠权赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕吕鹏殷宴庭
- 关键词：氧化铟锡光谱响应
- 晶硅太阳电池中电子态缺陷与少子输运相关性的研究
- 李凤
- 关键词：光电性能
- 离子束刻蚀HgCdTe成结机制分析被引量：1
- 2009年
- 根据由离子束刻蚀HgCdTepn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性。并且进一步从微观理论分析讨论了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程。
- 何波马忠权史衍丽徐静赵磊李凤沈成沈玲
- 关键词：HGCDTE离子束刻蚀泊松方程
- 三维捕光结构与SIS高效光伏器件的研究
- 马忠权徐飞赵占霞李拥华赵磊何波李凤沈玲唐杰孟夏杰
- 该成果的主要内容体现在以下4个方面：1.采用了硅纳米线、表面等离激元、"黑硅"结构和ZnO纳米线技术，分别制备出硅基表面的四种陷光结构，表面最佳反射率低于2.0%，在硅基纳米线和黑硅材料中获得.选取不同厚度SiOx薄膜缓...
- 关键词：
- 关键词：光伏器件
- HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究
- 2009年
- 报道了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,B r2-CH3OH与HgCdT e化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdT e光伏器件电学特性的影响。
- 何波马忠权史衍丽徐静赵磊李凤沈成沈玲
- 关键词：HGCDTEX射线光电子能谱表面钝化
- 基于少子寿命测量研究晶硅电子态缺陷
- 2013年
- 基于瞬态微波光电导少子寿命测试仪和MATLAB编程研究了确定硅片的复合中心浓度和陷阱中心浓度的方法。利用瞬态微波光电导少子寿命测试仪,我们测量了硅片的少子寿命及微波光电导瞬态电压信号随时间的变化特性。根据已知的注入水平和相关复合参数,建立少子寿命与复合中心浓度的关系,我们得到硅片中的复合中心浓度。利用瞬态电压信号的时间变化特性与非平衡载流子浓度的时间衰减特性的关系,我们得到非平衡载流子浓度随时间的衰减曲线。结合非平衡载流子时间衰减特性曲线和陷阱模型表达式,利用MATLAB软件进行数值拟合得到了硅片的陷阱中心浓度。
- 王佳俊黄一龙刘磊余文君李凤李寒星
- 关键词：少子寿命钝化
- N、F共掺TiO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 2016年
- 为实现TiO_2的可见光活性,基于密度泛函理论,利用修改的Becke-Johnson交换势计算了N、F单一掺杂及共掺杂TiO_2的电子结构及光学性质.计算结果表明,N单一掺杂会在TiO_2带隙中引入部分占据的中间带隙态,其中的空穴会成为光生电子的复合中心;单一的F掺杂对TiO_2的带隙几乎没有显著影响,但会引入额外电子;N、F共掺不仅能消除N引入的复合中心,而且在高掺杂浓度时还能降低TiO_2带隙,从而实现其可见光响应.形成能的计算结果表明,F的引入有利于降低N掺杂TiO_2的形成能,富Ti的生长条件有利于掺杂浓度的进一步提高.
- 张勇李凤张敏
- 关键词：共掺杂电子结构光学特性
- 厚度对溶胶-凝胶法制备锂掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用溶胶–凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同厚度的ZnO:Li半导体薄膜。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜的物相结构和形貌,用Hall效应测量仪常温下测量薄膜的电学性能。结果表明:该薄膜具有高度的c轴择优取向性,所有薄膜只有1个(002)衍射峰,并且衍射强度随着膜厚增加而加强。ZnO:Li薄膜晶粒呈柱状,晶粒直径不随膜厚改变,约为40nm。ZnO:Li薄膜为p型导电,薄膜越厚,其电学性能与晶体结晶越好,(002)方向择优取向生长越明显。电阻率随着膜厚增加而减小,最小的电阻率为1.32×102(Ω·cm)。载流子–空穴浓度为3.546×1016/cm3,迁移率为1.34cm2/(V·s)。ZnO:Li薄膜在可见光范围内的透过率达到90%,薄膜对紫外光的吸收与厚度有关。
- 周呈悦马忠权李凤张楠生
- 关键词：薄膜厚度电学性能
- 表面钝化对少子寿命、铁-硼对浓度和复合中心浓度的影响被引量：5
- 2010年
- 分别采用0.08mol/L的碘酒、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)SiNx:H和40%的HF酸对太阳电池级直拉单晶硅进行表面钝化,然后利用微波光电导衰减(μ-PCD)法测量硅片的少子寿命和铁-硼(Fe-B)对浓度.通过比较少子寿命测量值,发现0.08mol/L的碘酒的钝化效果最好,40%的HF酸的钝化效果最差.对硅片Fe-B对浓度测量结果的分析表明,同一硅片经过不同钝化处理后Fe-B对浓度分布差异较大,且只有经过PECVD沉积SiNx:H钝化的硅片的Fe-B对浓度分布与少子寿命分布有显著的相关性.此外,实验研究还发现,钝化效果比较好的情况下,复合中心浓度分布与Fe-B对浓度分布存在很强的相关性.实验的半定量估算、分析表明,少子寿命、Fe-B对浓度以及复合中心浓度分布的间接测量结果,受到样品表面钝化效果的影响.
- 李凤马忠权孟夏杰吕鹏于征汕何波
- 关键词：表面钝化少子寿命
- 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性的研究(上)被引量：2
- 2009年
- 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。
- 何波徐静马忠权史衍丽赵磊李凤孟夏杰沈玲
- 关键词：HGCDTE环孔PN结Ⅰ-Ⅴ特性动态电阻
