您的位置: 专家智库 > >

李奇峰

作品数:13 被引量:38H指数:4
供职机构:四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金四川省学术和技术带头人培养资金更多>>
相关领域:电子电信理学核科学技术更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇核科学技术

主题

  • 6篇晶体
  • 3篇单晶
  • 3篇碲锌镉
  • 3篇光学
  • 2篇单晶生长
  • 2篇单晶体
  • 2篇光学晶体
  • 2篇核辐射
  • 2篇核辐射探测器
  • 2篇非线性光学
  • 2篇非线性光学晶...
  • 2篇辐射探测器
  • 2篇半导体
  • 2篇CDSE
  • 2篇CD
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电子陷阱
  • 1篇噪声
  • 1篇射线衍射

机构

  • 13篇四川大学

作者

  • 13篇李奇峰
  • 11篇朱世富
  • 11篇赵北君
  • 8篇金应荣
  • 6篇李正辉
  • 5篇宋芳
  • 5篇于丰亮
  • 5篇邵双运
  • 4篇王雪敏
  • 3篇朱兴华
  • 1篇朱居木
  • 1篇何福庆
  • 1篇彭秀峰
  • 1篇李伟堂
  • 1篇高德友
  • 1篇蔡力
  • 1篇银淑君
  • 1篇章连文
  • 1篇王学敏
  • 1篇傅师申

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇广西师范大学...
  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇核技术
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2003
  • 4篇2002
  • 2篇2001
  • 3篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1997
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硒镓银晶体加工工艺
1997年
硒镓银(AgGaSe2)晶体是一种ⅠⅢⅥ2族三元化合物半导体,黄铜矿结构,4-2m点群。它是一种性能优异的中远红外非线性光学材料,可透过0.73~21μm的红外光,非线性系数大(d36=43×10-12m/V),具有适宜的双折射,对3~18μm范围的二次谐波能实现相位匹配,还可进行三波混频和光参量振荡。用硒镓银晶体制作的倍频、混频和光参量振荡器件,能在3~18μm红外范围内提供多种频率的光源,而且在相当宽范围内连续可调,这在激光和军事技术方面有广泛用途。本文简要介绍硒镓银晶体定向切割及倍频器件加工工艺。实验所用晶体为本实验室采用改进Bridgman法生长出的AgGaSe2晶体。在晶锭表面有一些取向一致的半开放性小孔,它们是由于AgGaSe2晶体生长习性所导致的。用激光正反射法研究表明,这些小孔内部大都存在四个方向的显露面,用X射线衍射分析可进一步确定这些显露面属于{101}、{112}单形晶面族。硒镓银晶体光轴沿[001]方向,即晶体c轴方向。对于10.6μmCO2基频光的第Ⅰ类相位匹配角θm为57.5℃,此角即为以光轴为轴,基频光波矢为母线的正圆锥半顶角。因AgGaSe2晶体[101]方向与c轴夹角为61?
赵北君朱世富朱居木李正辉李伟堂李奇峰银淑君陈观雄
关键词:非线性光学晶体晶体加工半导体
高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测被引量:10
2002年
报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺 ,对所生长的晶体作了 X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试 .晶体在 4 4 0 0~ 4 5 0 cm- 1范围内的红外透过率达到 5 0 % ,截止吸收波长为 787.6 nm,带隙为 1.5 74 e V,室温电阻率达到 2× 10 1 0 Ω· cm ,已接近本征 Cd0 .8Zn0 .2 Te半导体的理论值 .用该晶体制作的核探测器在室温下对 2 4 1 Am和 1 0 9Cd放射源均有响应 ,并获得了比较好的 2 4 1 Am- 5 9.5 ke V吸收谱 .结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻
李奇峰朱世富赵北君蔡力高德友金应荣
关键词:单晶生长碲锌镉晶体
硒镓银晶体的结构与光学特性研究被引量:7
2001年
用坩埚旋转下降法生长出 2 2mm× 88mm的红外非线性光学晶体硒镓银 ,并对其结构与光学特性进行了研究 ,测定出晶体结构为 4- 2m点群 ,晶格常数a =0 .5 993 3mm ,c =1.0 884nm ,熔点860℃ ,在 10 .6μm附近的透过率为 62 .4% ,对 10 .6μmCO2 激光的能量转换效率达 12 %。此外 ,还进行了扫描电子显微镜 (SEM )图像观察和核光谱特性测量。
赵北君朱世富李正辉傅师申于丰亮李奇峰
关键词:红外透过率倍频效应
CdSe单晶体气相生长过程中的相平衡被引量:2
2002年
化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响。本文根据相平衡原理 ,利用热力学分析方法 ,分析了CdSe单晶体的气相生长过程 ,阐明了控制化学配比的原理 ,指出只有在固 -液 -气三相平衡或接近三相平衡的条件下 ,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体 ;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料 ,在 112 0~ 1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体。
金应荣朱世富赵北君王学敏宋芳李奇峰
关键词:相平衡热力学分析
CdSe探测器的制备与性能被引量:3
2003年
通过测定CdSe室温核辐射探测器的伏安曲线和能谱特性,对探测器制作过程中的表面处理工艺进行了初步研究,结果表明通过适当的表面腐蚀和钝化处理,可以降低表面漏电流,减小探测器噪声,达到提高探测器能量分辨率的目的。
王雪敏朱世富赵北君金应荣邵双运宋芳李奇峰
关键词:能量分辨率半导体探测器
CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流被引量:2
2002年
对具有金属 -半导体 -金属 (MSM)结构的 Cd Se探测器的噪声进行了实验观测 ,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析 ,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的 .因此只有改变正极接触 ,才能有效地阻止空穴注入 ,从而消除探测器噪声 .
金应荣朱世富赵北君王雪敏宋芳李奇峰何福庆彭秀峰龙先灌
关键词:核辐射探测器漏电流噪声
碲锌镉单晶生长的研究被引量:5
2000年
新型室温核辐射探测器材料碲锌镉 (CZT)单晶具有广泛而重要的用途 .概述了 CZT单晶的生长技术及其取得的成果 ,并用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为 2 0× 4 5 mm的 Cd0 .96 Zn0 .0
李奇峰金应荣朱兴华邵双运王雪敏宋芳朱世富赵北君李正辉
关键词:CZT单晶体
用X射线衍射方法研究AgGaSe_2晶体的完整性
2000年
采用坩埚旋转下降法生长出 Ag Ga Se2 大单晶 ,借助 X射线衍射方法研究其完整性 ,结果表明晶体具有好的均匀性和完整性 .
朱兴华邵双运金应荣李奇峰于丰亮赵北君李正辉朱世富
关键词:X射线衍射完整性
纳米CdSe的研究进展被引量:2
2000年
叙述纳米 Cd Se的制备方法及其性能 .提出了采用催化剂控制纳米 Cd Se生长的设想 .
金应荣李奇峰邵双运朱兴华于丰亮章连文赵北君李正辉朱世富
关键词:纳米材料CDSE
坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体被引量:4
1999年
本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法———熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法。5 ~6N 高纯Ag 、Ga 、Se 单质按AgGaSe2 化学配比富0 .5 % Se 配料,1100 ℃下合成并在熔点附近进行温度振荡,获得了高纯单相致密的AgGaSe2 多晶材料。用合成的多晶为原料,采用坩埚旋转下降法生长出22 ×80mm 的AgGaSe2 单晶锭。晶体外观完整,在10 .6μm 附近红外透过率达62 .4 % ,吸收系数低于0 .01cm - 1 ,对10 .6μm CO2 激光实现倍频,能量转换效率达12 % 。
赵北君朱世富李正辉傅师申于丰亮李奇峰
关键词:非线性光学晶体单晶
共2页<12>
聚类工具0