李新华
- 作品数：13 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 高温溶液中ZnO的析晶行为与晶体生长研究
- 2008年
- 采用MoO3、V2O5和PbF2为助熔剂,在坩埚下降法生长炉中研究了ZnO的析晶行为和晶体生长。结果表明,对于MoO3-ZnO高温溶液体系,下降或降温过程中首先析出ZnO,但随着温度继续下降,析出了ZnMoO4晶体;对于V2O5-ZnO体系,通气速率为1.5 L/min时底部出现5 mm厚的绿色ZnO多晶,无法获得单晶;对于PbF2-ZnO体系,自发成核获得了10 mm×10 mm×0.7 mm的ZnO晶体薄片,在2 L/min通气速率下诱导成核生长出25 mm×5 mm的ZnO单晶。
- 何庆波李新华徐家跃
- 关键词：ZNO单晶晶体生长助熔剂坩埚下降法
- 氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法
- 徐家跃李新华
- 本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法，属于单晶生长领域。特征是：将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合，装入贵金属坩埚内；将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶...
- 关键词：
- 关键词：氧化锌单晶坩埚下降法
- 一类压电单晶体及其生长方法
- 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr<Sub>3-x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
- 安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
- 文献传递
- 重新发现ZnO——一种大有前途的多功能晶体材料被引量：3
- 2004年
- ZnO是一种传统的多功能材料 .近年来 ,它在紫外光电器件和GaN衬底材料等方面的应用前景而使其成为新的研究热点 .本文从纳米ZnO、GaN基片ZnO和体单晶生长等角度介绍了它的最新研究进展 .
- 李新华徐家跃李效民
- 关键词：晶体材料单晶生长衬底材料基片纳米ZNO
- 半导体ZnO单晶生长的技术进展被引量：17
- 2005年
- ZnO单晶是一种具有半导体、发光、压电、电光、闪烁等性能的多功能晶体材料。近年来,它在紫外光电器件和GaN衬底材料等方面的应用前景而使其成为新的研究热点。本文综述了ZnO单晶助熔剂法、水热法、气相法等生长技术的研究进展,结合ZnO单晶的化学结构,探讨了该晶体的结晶习性及生长技术发展方向。
- 李新华徐家跃
- 关键词：氧化锌结晶习性晶体生长
- 一类压电单晶体及其生长方法
- 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr<Sub>3－x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
- 安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
- 文献传递
- 氧化锌单晶新生长方法研究
- ZnO单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是高性能的移动通讯基片材料和优秀的闪烁材料;此外，ZnO与GaN的晶格失配度特别小，是GaN外延生长最理想的衬底材料。ZnO...
- 李新华
- 关键词：晶体材料
- 氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法
- 本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法，属于单晶生长领域。特征是：将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合，装入贵金属坩埚内；将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶...
- 徐家跃李新华申慧钱国兴罗丽庆武安华林雅芳
- 文献传递
- 氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法
- 本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法，属于单晶生长领域。特征是：将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合，装入贵金属坩埚内；将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶...
- 徐家跃李新华申慧钱国兴罗丽庆武安华林雅芳
- 文献传递
- 固体可调谐氟化物激光晶体的生长与性能被引量：2
- 2004年
- 文章总结了LiCaAlF6(LiCAF)、LiSrAlF6(LiSAF)以及YLiF4(YLF)等具有重要应用价值的固体可调谐氟化物激光晶体的生长、结构和性能,讨论了Nd3+、Cr3+等离子掺杂氟化物激光晶体的发光特性及其在激光器上的应用,分析了这些激光晶体的市场及应用前景。
- 李新华徐家跃陈红兵范世
- 关键词：氟化物激光晶体晶体生长可调谐激光器
