李科
- 作品数：21 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信环境科学与工程理学化学工程更多>>
- 一种过模级联高频结构的双电子注太赫兹波辐射源
- 本发明提供了一种双电子注太赫兹辐射源。该太赫兹辐射源采用过模级联折叠波导行波放大的高频结构，可以显著地缩短单段折叠波导慢波结构的长度，降低对磁场的要求。采用双电子注激励，可以提高输出功率，同时降低对阴极电流发射密度的要求...
- 刘文鑫张兆传李科赵超郭鑫
- 文献传递
- 太原市土壤中多溴联苯醚残留状况
- ＜正＞对太原市表层土壤中39种多溴联苯醚（PBDEs）进行了分析检测。结果表明,太原市表层土壤样品中均存在PBDEs污染物。在城市表层土壤中PBDEs的污染状况为0.01–208.6ngg-1,工业区表
- 李科傅珊杨中智徐晓白
- 关键词：多溴联苯醚土壤源解析
- 文献传递
- 返波激励的级联折叠波导行波放大器
- 2016年
- 利用折叠波导返波振荡器(FW-BWO)作为激励源,用于激励工作频率为216 GHz的折叠波导行波放大器.利用3D-Magic进行仿真实验,通过仿真优化,最终得到96 W的输出功率,整个电路的长度被设计为只有1 cm左右.通过该方法,显著地缩短了高频结构长度,有利于实现小型化的真空电子学太赫兹源,对集成化的太赫兹源设计具有重要的参考价值.
- 刘冬刘文鑫王勇李科
- 关键词：折叠波导行波管
- 太赫兹双电子注折叠波导的场匹配色散分析
- 2015年
- 本文研究了一种新型的慢波结构——双注折叠波导。工作于太赫兹波段时,电子注通道的大小对色散影响很大,尤其是对双电子注通道的折叠波导。采用简化模型,将波导弯曲部分等效为直波导,考虑电子注通道的影响。运用弗洛奎定理和场匹配分析方法,推导出双电子注折叠波导场方程组的表达式,进而求得色散曲线。
- 李科李科刘文鑫王勇
- 关键词：折叠波导色散
- 折叠波导振荡器中的“热”耦合阻抗求解
- 2015年
- 耦合阻抗是折叠波导慢波结构注-波互作用强度的重要指标。基于公式计算和软件模拟只能计算出冷腔耦合阻抗。本文对320GHz折叠波导振荡器加载电子注之后的'热'耦合阻抗进行了分析,首先提取出折叠波导振荡器中的纵向电场,对电场分量进行滤波,分离出高频电场,再用高频电场计算出'热'耦合阻抗,并与冷腔耦合阻抗进行了对比。
- 刘文鑫李科王勇王勇曹苗苗
- 关键词：折叠波导振荡器太赫兹
- 太原市不同介质中多环芳烃污染状况
- ＜正＞对太原市15个表层土壤样品和34个可吸入颗粒物样品（17个PM2.5和17个PM10样品）中的16种多环芳烃（PAHs）进行了分析检测。PAHs在土壤样品、PM2.5和PM10样品中的总浓度分
- 李铮李科傅珊徐晓白
- 关键词：多环芳烃土壤可吸入颗粒物
- 文献传递
- 太原市不同介质中有机氯农药污染状况
- ＜正＞对太原市15个表层土壤样品和34个可吸入颗粒物样品（17个PM2.5和17个PM10样品）中的21种持久性有机氯农药（OCPs）进行了分析检测。在土壤样品、PM2.5和PM10样品中,DDT
- 李科李铮傅珊徐晓白
- 关键词：有机氯农药土壤可吸入颗粒物
- 文献传递
- 介质加载光栅Smith-Purcell效应自由电子激光器三维小信号理论
- 本文基于介质加载光栅慢波结构,用场匹配法推导了有限厚度、填充比不为1(电子注宽度与光栅宽度比值s/w)情况下结构的热色散方程。数值计算出热色散方程的复数解,求出线性增长率。讨论了电流不变和电流密度不变两种情况下,电子注填...
- 曹苗苗刘文鑫王勇李科
- 关键词：色散方程
- 文献传递
- 相速渐变折叠波导的研究
- 2016年
- 为了提高折叠波导行波管的注-波互作用效率,本文提出了两类变形的折叠波导高频结构,分别是直波导长度渐变的折叠波导以及部分加载介质的折叠波导。前者又分为连续渐变和阶梯渐变两种结构,后者有两段式及三段式介质加载两种;并从理论上分析了这两类结构。分别用等效电路法和矩形波导法分析计算了两种新型的折叠波导结构的相速,得出两者的波在轴向上的相速都降低了。再利用仿真软件进一步观察电子的运动情况和输出功率的情况,并对两种结构的参数进行了优化,优化结果可使输出功率提高达80%。仿真结果表明两种新型的结构都让更多的电子速度变慢,由此可以证明两种高频结构对注-波互作用效率有很大提高,也对输出功率有很大改善。
- 刘冬刘文鑫王勇李科
- 关键词：折叠波导介质加载
- 采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制
- 2021年
- 硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点,在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景。针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求,基于标准平面MOS工艺,采用平面分栅(split gate)结构,通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。该器件在30~90 MHz频段范围内,小信号增益大于19 dB,在60 MHz频点下连续波输出功率可以达到87 W,功率附加效率达72.4%,具有优异的射频性能。
- 于淼于淼李科宋李梅李科李科
- 关键词：射频场效应晶体管高增益宽带
