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杨国华: 作品数：31 被引量：16H指数：3; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

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键合方法制备长波长面发射的实验和分析被引量：5: 2007年; 通过疏水键合方法实现了InGaAsP/InP有源区与GaAs/AlAs DBR的单面和双面键合,并通过SEM,I-V曲线和反射谱、光致发光谱等手段研究了GaAs/InP键合界面的机械、光学和电学性质,良好的界面性质为使用键合技术制备长波长面发射激光器提供了可能性.; 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青吴旭明曹玉莲陈良惠; 关键词：键合面发射激光器光致发光谱

二维纳米结构深刻蚀方法: 一种二维纳米结构深刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S01、在衬底上涂覆光刻胶，采用电子束曝光或其它曝光技术在光刻胶上制作出光子晶体纳米图形；S02、将光子晶体纳米图形转移到衬底上；S03、在纳米图形转移之后，将衬底表...; 马小涛郑婉华杨国华任刚陈良惠; 文献传递

AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析: 2006年; 对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的正常工作.本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱激光器的阈值电流和外微分量子效率随温度的变化,拟合出有源区电子的有效势垒高度,并与理论模拟结果进行了比较,讨论了p型限制层掺杂浓度的分布对势垒高度的影响.; 徐云李玉璋宋国峰甘巧强杨国华曹玉莲曹青郭良郭良; 关键词：半导体激光器应变量子阱

微小孔径激光器的工艺及器件功率和寿命特性分析被引量：1: 2005年; 在650nm波长半导体激光器的基础上制造出了高输出功率的微小孔径激光器.驱动电流为25mA时,输出功率达到0.4mW,最大功率可达1mW以上.叙述了微小孔径激光器的特殊的制造工艺,并分析了器件可能的失效机理.; 宋国峰甘巧强瞿欣方培源高建霞曹青徐军康香宁徐云钟源杨国华陈良惠; 关键词：近场光学半导体激光器

键合界面对面发射激光器光与热性质的影响: 2008年; 通过界面有效吸收系数的计算及界面对腔模的反射率的影响可知,采用双面键合技术制备面发射激光器应使键合界面处于驻波场分布零点位置,同时界面厚度应该小于20nm以使器件光学性能受界面吸收系数的影响较小.采用有限元方法分析VCSEL温度分布,结果证实薄的键合界面使VCSEL有源区温度对界面的热导率和电导率改变不敏感,而厚的键合界面将可能使有源区温度有较大地升高,给器件带来严重的不良影响.亲水键合和疏水键合的SEM照片说明疏水处理界面较薄,适合用于器件的制备.而亲水处理界面厚度>40nm,对器件的光、热特性不利.; 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青曹玉莲陈良惠; 关键词：面发射激光器热导率电导率键合界面

一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置: 本发明涉及一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置。本发明利用一束激光通过一小孔光阑入射到晶片的解理面上，调整晶片的方位，使得入射到该晶片解理面上的激光沿与入射方向相反的方向反射，反射激光从小孔光阑返回；按同样的方法调节好另...; 陈良惠郑婉华杨国华何国荣王玉平曹青郭良林学春; 文献传递

Analysis of Si/GaAs Bonding Stresses with the Finite Element Method: 2006年; In conjunction with ANSYS,we use the finite element method to analyze the bonding stresses of Si/ GaAs. We also apply a numerical model to investigate a contour map and the distribution of normal stress,shearing stress, and peeling stress, taking into full consideration the thermal expansion coefficient as a function of temperature. Novel bonding structures are proposed for reducing the effect of thermal stress as compared with conventional structures. Calculations show the validity of this new structure.; 何国荣杨国华郑婉华吴旭明王小东曹玉莲王青陈良惠; 关键词：BONDING

平面型InGaAs/InP APD边缘提前击穿行为的抑制被引量：2: 2006年; 平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有高的电场,导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP/InGaAs APD的电场分布进行了二维有限元模拟,在表面电荷密度为5×1011cm-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。比较了这三种结构的InP/InGaAs APD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣。通过理论研究对平面InP/InGaAs APD进行了优化。; 肖雪芳杨国华王国宏王树堂陈良惠; 关键词：雪崩光电二极管

键合界面对面发射激光器的光、热性质影响被引量：3: 2007年; 分析了采用双面键合长波长面发射激光器时,键合界面光吸收系数和电、热导率的变化对器件的光、热性质的影响。对于1λ光学腔的面发射激光器,键合界面吸收系数对器件光学性能影响较大,而对于1.5λ光学腔的面发射激光器,其光学性能基本不受键合界面吸收系数的影响。由有限元方法对面发射激光器的温度分布计算结果可知,当键合界面电、热导率小于GaAs电、热导率的1%时,激光器有源层的温度会有较大的上升。; 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青曹玉莲陈良惠; 关键词：键合面发射激光器热导率

检测键合质量的红外透视成像装置及调节方法: 本发明一种检测键合质量的红外透视成像装置，其特征在于，包括如下几个部分：一灯箱，该灯箱为黑色，该灯箱前端开有一出光孔；一导轨，该导轨位于灯箱上的出光孔的前端，在该导轨上依次排列有第一凸透镜、小孔光阑、第二凸透镜、样品架及...; 何国荣郑婉华杨国华石岩渠红伟宋国锋陈良惠; 文献传递