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杨霏

作品数：17 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇衬底
  • 8篇溅射
  • 7篇磁控
  • 7篇磁控溅射
  • 4篇单晶
  • 4篇碳化硅
  • 4篇硅衬底
  • 3篇铁磁
  • 3篇铁磁性
  • 3篇离子注入
  • 3篇溅射法
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇硅单晶
  • 3篇N型
  • 3篇MN
  • 3篇磁性
  • 2篇导体
  • 2篇台基
  • 2篇套筒
  • 2篇溅射制备

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇石家庄铁道学...

作者

  • 17篇杨霏
  • 14篇陈诺夫
  • 9篇尹志岗
  • 6篇柴春林
  • 5篇刘力锋
  • 5篇吴金良
  • 3篇周剑平
  • 2篇刘志凯
  • 2篇彭长涛
  • 2篇尹志冈
  • 2篇杨少延
  • 1篇陈涌海
  • 1篇李成明
  • 1篇王占国
  • 1篇侯哲哲
  • 1篇张富强
  • 1篇张兴旺
  • 1篇范海波
  • 1篇王鹏
  • 1篇尹志刚

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 6篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2004
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具
一种磁控溅射靶制造方法使用的模具，其特征在于，包括：一套筒，该套筒为管状，其一端的内侧有一圈凹缺；一圆柱体，该圆柱体的直径与套筒的内径相同，该圆柱体容置在套筒内；一靶托，该靶托为盘状，中间有一凹部，其直径与套筒下部的凹缺...
尹志岗杨霏陈诺夫吴金良柴春林
文献传递
磁控溅射仪衬底固定夹具
本发明涉及固定夹具技术领域，特别是一种磁控溅射仪衬底固定夹具。用于固定磁控溅射仪所用的衬底。包括：一盖片，该盖片主体为长方形，在其一边有三个方形缺口，两端各有一个通孔；一衬底托，该衬底托为圆形，内部有两个螺丝孔，其孔距与...
王鹏陈诺夫尹志岗杨霏
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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料...
彭长涛陈诺夫吴金良尹志冈杨霏
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在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制...
刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏柴春林
文献传递
在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法
一种在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择硅单晶为衬底材料，选择铝或者氮化铝靶材为靶材；步骤2：将硅单晶衬底材料送入磁控溅射仪；步骤3：调整生长室气氛，调整氮气与氩气比例以及...
杨霏陈诺夫
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宽带隙半导体材料SiC、AlN和ZnO薄膜的研究
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点，非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件;而利用其特有的禁带宽度，还可以制...
杨霏
关键词：宽禁带半导体材料氧化锌薄膜反应磁控溅射
在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
一种在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)采用硅衬底，该硅衬底作为生长氮化镓材料的基底层；2)在硅衬底上制备碳化硅外延薄膜层，以利于氮化镓的生长；3)在碳化硅外延薄膜层上面生长氮化镓材料，...
陈诺夫杨霏
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磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺
一种磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：1)选择Si单晶为衬底材料，选择碳化硅为靶材；2)将Si单晶衬底材料送入磁控溅射仪；3)加温，生长碳化硅薄膜；4)退火；5)完成制备碳化硅薄膜工艺。
陈诺夫杨霏尹志岗柴春林吴金良
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C－SiC中间层，该超薄3C－SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬...
杨少延杨霏李成明范海波陈涌海刘志凯王占国
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磁控溅射靶制造方法使用的模具
一种磁控溅射靶制造方法使用的模具，其特征在于，包括：一套筒，该套筒为管状，其一端的内侧有一圈凹缺；一圆柱体，该圆柱体的直径与套筒的内径相同，该圆柱体容置在套筒内；一靶托，该靶托为盘状，中间有一凹部，其直径与套筒下部的凹缺...
尹志岗杨霏陈诺夫吴金良柴春林
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