您的位置： 专家智库 > >

桑玲

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇非极性
  • 5篇衬底
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇蓝宝石衬底
  • 4篇镓
  • 3篇锌源
  • 3篇纳米
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化层
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓薄膜
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇退火
  • 2篇纳米线
  • 2篇缓冲层
  • 2篇铟
  • 2篇GAN薄膜

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇刘祥林
  • 8篇王占国
  • 8篇桑玲
  • 8篇杨少延
  • 8篇魏鸿源
  • 7篇朱勤生
  • 6篇焦春美
  • 6篇赵桂娟
  • 5篇刘长波
  • 4篇王建霞
  • 4篇李志伟
  • 2篇王俊
  • 1篇刘贵鹏
  • 1篇刘建明

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法
一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源...
桑玲王俊魏鸿源焦春美刘祥林朱勤生杨少延王占国
文献传递
制备非极性A面GaN薄膜的方法
本发明提供了一种制备非极性GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底表面制备A面ZnO缓冲薄膜；在制备的A面ZnO缓冲薄膜上制备非极性GaN薄膜。本发明中，ZnO缓冲层能够协调GaN和衬底之间的晶格失配和热失配，从而极大的提高...
刘建明桑玲赵桂娟刘长波王建霞魏鸿源焦春美刘祥林杨少延王占国
文献传递
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨...
王建霞李志伟赵桂娟桑玲刘长波魏鸿源焦春美杨少延刘祥林朱勤生王占国
文献传递
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法
一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源...
桑玲王俊魏鸿源焦春美刘祥林朱勤生杨少延王占国
利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法
本发明公开了一种利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：利用MOCVD方法，通入铟源和锌源，在衬底上得到高度均一、竖直排列的InN纳米棒；步骤3：关闭铟源和锌源，通入镓源，在...
刘长波赵桂娟桑玲王建霞魏鸿源焦春美刘祥林朱勤生杨少延王占国
文献传递
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
本发明公开了一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，包括：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温G...
赵桂娟李志伟桑玲刘贵鹏刘长波谷承艳魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
文献传递
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨...
王建霞李志伟赵桂娟桑玲刘长波魏鸿源焦春美杨少延刘祥林朱勤生王占国
文献传递
制备非极性A面GaN薄膜的方法
本发明提供了一种制备非极性A面GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层；在非极性A面InGaN柔性层生长非极性A面GaN缓冲层；对非极性A面InGaN柔性层和非极性A面GaN缓冲层进行退火，形...
赵桂娟李志伟桑玲魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0