武树杰
- 作品数：3 被引量：8H指数：1
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- n/p型Si衬底对ZnO薄膜结构及导电类型的影响
- 采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,分别在n型和p型Si(100)衬底上制备N-Al共掺ZnO薄膜,研究了硅衬底的导电类型对结构及导电类型的影响.Hall测量显示n型Si衬底上生长的ZnO薄膜为p型导电,p型Si衬底...
- 傅广生张丽张锦川张子才武树杰于威
- 关键词：射频磁控溅射导电类型氧化锌薄膜
- 文献传递
- a-SiN:H薄膜的对靶溅射沉积及微结构特性研究被引量：8
- 2010年
- 采用对靶磁控反应溅射技术以N2和H2为反应气体在硅(100)和石英衬底上制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜.利用台阶仪、原子力显微镜、紫外-可见(UV-VIS)光吸收和傅里叶红外透射光谱(FTIR)对薄膜沉积速率、微观结构及键合特性进行了分析.结果表明,利用等离子反应溅射可在较低衬底温度条件下(Ts<250℃)实现低表面粗糙度和高光学透过率的a-SiN:H薄膜制备.增加衬底温度可使薄膜厚度减小,薄膜光学带隙Eg提高,薄膜无序度减小.FTIR分析结果表明,薄膜主要以Si-N,Si-H和N-H键合结构存在,随衬底温度增加,薄膜中的键合氢含量减小,而整体键密度和Si-N键密度增加.该微观结构和光学特性的调整可归因衬底温度升高所引起的衬底表面原子迁移率和反应速率的增加.
- 于威孟令海耿春玲丁文革武树杰刘洪飞傅广生
- 关键词：微观结构
- 硅基p型氧化锌薄膜制备及光电子衰减特性研究
- 傅广生滕晓云耿春玲于威王春生张丽许贺菊张锦川杨丽华武树杰
- 稳定、高质量的p-ZnO薄膜的制备是ZnO材料在短波长光电器件领域获得成功应用的一个关键问题。该项目采用螺旋波等离子体辅助磁控溅射技术制备了沿c轴高度择优取向的ZnO外延薄膜；实现了p型ZnO薄膜的可控生长，获得了N、A...
- 关键词：
- 关键词：半导体薄膜材料光电器件
