殷伟
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生交通运输工程更多>>
- MOCVD法制备NixZn1-xO薄膜
- 作为一种被关注十多年的光电材料,ZnO(室温下禁带宽度3.36eV)具有光透过率高,热稳定性好,激子束缚能高(60meV),原料易得,价格低廉等特点,并且在发光器件、紫外探测器、太阳能电池等领域有重要的应用。ZnO基材料...
- 王瑾杜国同张仕凯殷伟王辉吴国光史志锋李万程董鑫张宝林
- 纯电动客车整车控制系统容错控制策略研究
- 随着高校和车企对纯电动汽车研发的日益深入,纯电动汽车各方面性能得到不断完善,其系统的复杂程度随之增加,导致各电控系统的传感器、执行机构和控制单元等出现故障的可能性增大。这对车辆的安全可靠性提出了更高的要求。如何降低故障发...
- 殷伟
- 关键词：故障诊断容错控制硬件在环
- 文献传递
- 秘灵王调整巨噬细胞效应分子产生及B细胞的功能
- 殷伟
- MOCVD法制备NiO薄膜的结构和光学特性研究
- 采用双卤钨灯金属有机化学气相沉积法(PA-MOCVD)在Si衬底上制备了NiO薄膜。XPS测试结果显示(图2),薄膜中Ni与O的化学元素比接近1:1。扫描电子显微镜(SEM)(图1)和X射线衍射(XRD)测试结果显示,随...
- 王辉张仕凯殷伟王瑾史志锋赵洋董鑫张宝林杜国同
- 光辅助对MOCVD法生长ZnO∶Ga薄膜的n型掺杂影响
- 作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO是继GaN之后在光电研究领域的又一热门研究课题。ZnO除了在短波光电器件上具有巨大的应用前景外,因其具有较高的热、化学稳定性,良好的导电性能以及较高的光透性,在显示器、太阳能电池以...
- 张金香杜国同殷伟史志锋张仕凯王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林
- MOCVD生长ZnO的n、p型掺杂研究
- 氧化锌(ZnO)是一种II-VI族直接宽带隙半导体材料，其室温禁带宽度为3.37eV，具有60meV的激子束缚能，在照明、信息存储、显示等领域具有很大的应用潜力。本文采用MOCVD技术，分别进行ZnO薄膜的n型掺杂和p型...
- 殷伟
- 关键词：MOCVDZNO
- 文献传递
- 利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜被引量：2
- 2011年
- 利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光学特性进行分析。结果表明:高温生长的ZnMgO薄膜具有良好的c轴取向性;480～520℃时所制备的ZnMgO薄膜为p型导电,500℃时所制备的样品电阻率最低,为26.33Ω.cm,空穴浓度达1.638×1017 cm-3,迁移率为1.45 cm2/(V.s);室温PL谱显示,制得的p型ZnMgO薄膜具有较大的紫外与可见发光峰强度比,表明其具有良好的光学性能。
- 赵龙殷伟夏晓川王辉史志锋赵旺王瑾董鑫张宝林杜国同
- 关键词：ZNMGO薄膜P型掺杂MOCVD
- MOCVD法生长Ga掺杂n型ZnO的特性研究
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了不同Ga掺杂浓度的n型ZnO薄膜,本实验分别以二乙基锌(DEZn)、高纯O_2作为反应源,三甲基镓(TMGa)作为掺杂源,高纯Ar作为载气。通过改变Ga源的掺...
- 殷伟张金香赵龙王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林杜国同
- MOCVD法生长Ga、P掺杂的ZnO薄膜被引量：1
- 2013年
- 采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备Ga、P掺杂的ZnO薄膜,分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过Ga、P掺杂分别得到n、p型ZnO薄膜,n型ZnO薄膜的载流子浓度可以达到1×1019cm-3,p型ZnO薄膜的载流子浓度达到1.66×1016cm-3。所制备的ZnO薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型ZnO薄膜具有较好的光致发光特性。
- 殷伟张金香崔夕军赵旺王辉史志峰董鑫张宝林杜国同
- 关键词：MOCVDZNO薄膜
