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洪涛

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：南昌大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇熔化
  • 1篇势函数
  • 1篇碳化硅
  • 1篇凝固
  • 1篇凝固行为
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇函数
  • 1篇M

机构

  • 1篇南昌大学

作者

  • 1篇周浪
  • 1篇周耐根
  • 1篇洪涛

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MEAM势与Tersoff势比较研究——碳化硅熔化与凝固行为被引量：5
2012年
运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化、表面熔化和晶体生长过程.分别采用MEAM势和Tersoff势两种势函数描述碳化硅.结果表明:体熔化时,两种势函数描述的SiC的原子平均能量、Lindemann指数和结构有序参数与温度的变化关系相似,但MEAM势对应的体熔点(4250 K)比Tersoff势(4750 K)的要高.表面熔化时,两种势函数描述的SiC在相同的过热度下熔化速度相近;而在相同的温度条件下,MEAM作用的SiC表面熔化速度更快.这是由于MEAM势SiC的热力学熔点(3338 K)低于Tersoff势SiC的热力学熔点(3430 K)的缘故.两种势函数作用的SiC在晶体生长方面差异很大.MEAM势SiC的晶体生长速度与过冷度有关,过冷度约为400 K时晶体生长速度最快.但Tersoff势SiC晶体却在过冷度为0—1000 K的范围内均不能生长.综合考虑,MEAM势比Tersoff势能更好地描述碳化硅的熔化和凝固行为.
周耐根洪涛周浪
关键词：碳化硅势函数熔化晶体生长
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共1页<1>
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