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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇SRAM
  • 2篇灵敏放大器
  • 2篇存储器
  • 1篇译码
  • 1篇译码器
  • 1篇异步
  • 1篇随机存储器
  • 1篇随机存取
  • 1篇随机存取存储...
  • 1篇静态随机存储...
  • 1篇静态随机存取...
  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇SOI
  • 1篇EEPROM...
  • 1篇触发器
  • 1篇存取

机构

  • 4篇江南大学
  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 4篇潘培勇
  • 2篇薛忠杰
  • 2篇赵琳娜
  • 2篇王春早
  • 1篇李红征
  • 1篇陶建中

传媒

  • 2篇微计算机信息
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子与封装

年份

  • 3篇2007
  • 1篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于EEPROM单元的阵列式灵敏放大器的设计
2007年
本文通过使用already-on(native)元件所提出的阵列式灵敏放大器的改进结构,虽然该结构会使版图的面积增大,芯片的成本增加;但在它处于低功耗模式时,可有效的感应位线上更小的充电电流。并且在没有其它功耗增加的基础上,性能却得到了提高。并且它的设计简单,在具体的工艺过程中很容易实现。
王春早潘培勇薛忠杰
关键词:EEPROM单元
SOI SRAM灵敏放大器中动态体放电技术研究被引量:2
2006年
在SOI SRAM锁存器型灵敏放大器中,设计了一对小的下拉管,用来动态地释放交叉耦合反相器中N管上的体电荷。这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOI CMOS器件体电位不匹配的问题,得到了可重复性低阈值电压,提高了SRAM的读取速度。
赵琳娜潘培勇陶建中薛忠杰
关键词:绝缘体上硅SRAM灵敏放大器
一款异步256kB SRAM的设计被引量:2
2007年
在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展。文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工艺,数据存取时间为12ns。
潘培勇李红征
关键词:静态随机存储器译码器灵敏放大器
一种新型地址变化探测技术在SRAM中的应用被引量:2
2007年
本文提出了一种采用两级电路实现的地址变化探测器。与传统地址变化探测电路相比较,该设计显著提高了SRAM的抗噪声、抗干扰能力。
潘培勇赵琳娜王春早薛忠杰
关键词:静态随机存取存储器触发器
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