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王丽娟: 作品数：107 被引量：44H指数：4; 供职机构：长春工业大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金吉林省教育厅科研项目吉林省科技发展计划基金更多>>; 相关领域：理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>

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一种基于双层诱导技术制备红荧烯薄膜的方法: 本发明设计了一种双层诱导红荧烯薄膜生长的制备方法，即通过增加有效诱导层的层数来诱导红荧烯薄膜生长，在高质量双层诱导层上外延生长高有序、高结晶性的红荧烯薄膜，通过调控外延层生长行为、结晶度和薄膜微结构，实现有机——有机外延...; 王丽娟闫闯张玉婷孙丽晶王勇李占国; 文献传递

一种三维结构高效有机薄膜传感器器件的制备方法: 本发明是一种三维结构高效有机薄膜传感器器件的制备方法，用覆盖氮化硅（Si3N4）绝缘层的PET作柔性衬底，用六联苯（p‑6P）薄膜做诱导层，在诱导层上采用双源同时...; 王丽娟孙洋闫闯张梁孙丽晶尹丽张国军唐甜甜; 文献传递

基于复合绝缘层SiN_x/PMMA的有机金属-绝缘层-半导体器件被引量：1: 2019年; 为改善有机半导体器件的界面性能,在氮化硅层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)构成复合绝缘层。首先,利用原子力显微镜研究了不同浓度的PMMA复合绝缘层的表面形貌及粗糙度。接着,蒸镀六联苯(p-6P)、酞菁铜和金电极,构成有机的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件。最后,研究了MIS器件的回滞效应及电性能。实验结果表明,复合绝缘层的粗糙度为单绝缘层的1/5,大约1.4 nm。复合绝缘层上的p-6P薄膜随着PMMA浓度增加形成更大更有序的畴,但单绝缘层上薄膜呈无序颗粒状。复合绝缘层的有机MIS器件几乎没有回滞现象,但单绝缘层的器件最大回滞电压约为12.8 V,界面陷阱电荷密度约为1.16×1012 cm-2。复合绝缘层有机薄膜晶体管的迁移率为1.22×10-2 cm2/(V·s),比单绝缘层提高了60%,饱和电流提高了345%。基于复合绝缘层的MIS器件具有更好的界面性能和电性能,可应用到有机显示领域。; 谢强闫闯朱阳阳孙强王璐王丽娟孙丽晶; 关键词：聚甲基丙烯酸甲酯氮化硅

一种综合型多功能四辊破碎机: 本发明是一种多功能型四辊破碎机，利用传动轴（1）带动大轮旋转，利用钩型刀片（2）的剪切作用使韧性柔软材料破碎，并迫使初步破碎后的物料被砸到机壁上受到2次冲击破碎。顺机壁滑下的物料进入装有筛板的中流齿（3）中，被密齿钩型刀...; 王丽娟赵梓睿赵海斌赵成泽于泽申周阳余子昱董金鹏苏和平; 文献传递

一种基于洛伦兹力的聚合物太阳能电池的制备方法: 本发明提出一种基于洛伦兹力的聚合物太阳能电池的制备方法，制备步骤如下：在玻璃基板溅射氧化铟锡阳极，旋涂空穴传输层；在强磁场中生长一层40‑60 nm的钕铁硼磁性材料，光刻形成条形图案，条形方向垂直磁场方向；在条形图案之间...; 王丽娟范思大张梁张沛沛闫闯孙洋孙丽晶李占国; 文献传递

一种新型连续式气缸型吸收挥发性有机化合物的方法: 本发明涉及一种新型连续式气缸型吸收挥发性有机化合物的方法，圆柱型气缸在不间断连续运转过程中，利用含有VOCs的气体通过沸石分子筛的吸附区，吸附VOCs气体后，把净化后的空气排出。同时，通入少量含VOCs的气体经由风扇到加...; 王丽娟孙洋张梁闫闯张国军孙丽晶唐甜甜; 文献传递

一种基于酯化反应制备大面积少层氧化石墨烯薄膜的方法: 本发明提出一种基于酯化反应制备大面积少层氧化石墨烯薄膜的方法。利用酯化反应将片状氧化石墨烯的羧基和羟基连接起来，获得大面积的少层氧化石墨烯薄膜，解决了制备大面积的单层或少层石墨烯薄膜的困难。选用六水三氯化铁或磷钨酸水合物...; 王丽娟范思大张沛沛张梁闫闯孙洋孙丽晶李占国; 文献传递

双异质诱导层对红荧烯薄膜晶体管性能的影响被引量：4: 2018年; 在二氧化硅衬底上依次真空沉积p-六联苯(p-6P)和酞菁铜(CuPc)构成双异质诱导层,研究了不同衬底温度下双异质诱导层对红荧烯薄膜形貌的影响,以及红荧烯分子在双异质诱导层上的生长过程.分析发现,第二诱导层酞菁铜的局部有序性对红荧烯薄膜的结晶度有直接影响.随着衬底温度的升高,酞菁铜薄膜有序区域面积增大,红荧烯的棒状晶粒也逐渐增大.当酞菁铜和红荧烯的衬底温度均为90℃,红荧烯蒸镀厚度为20 nm时,红荧烯薄膜形成高度有序、内部连接及具有特定方向的棒状晶畴.利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)分析了红荧烯薄膜的晶体结构,发现经过双异质诱导后的红荧烯薄膜转变为多晶形态.另外,红荧烯薄膜晶体管性能也明显提高,开态电流提高了约3个数量级,迁移率提高了30倍,阈值电压降低了20 V.; 孙洋闫闯谢强史超张梁王丽娟孙丽晶; 关键词：酞菁铜有机薄膜晶体管

一种基于柔性衬底的垂直二极管的气体传感器的制备方法: 本发明是一种基于柔性衬底的垂直二极管的气体传感器的制备方法，其特征是在柔性衬底PEN（1）上真空溅射氧化铟锡阳极（2），接着再真空匀速蒸镀p‑6P异质层（3），在90℃下先以0.1 nm/min速度再以0.2 nm/mi...; 王丽娟张益群朱阳阳王晨雪韩迪苏和平; 文献传递

AlInGaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究: 2006年; 本文采用波长都是808 nm,有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器,针对其热特性做了对比实验.结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光器.在20℃时,特征温度可达到200 K,阈值电流380 mA,而且AlInGaAs激光器的寿命也高于AlGaAs激光器,最大寿命达4 000 h,这为改善半导体激光器热特性提供了有利依据,也拓宽了808 nm激光材料的选择范围.; 刘春玲王春武王静张刚王丽娟崔海霞王欢; 关键词：半导体激光器热特性应变量子阱