王兵冰
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化被引量：2
- 2007年
- 通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入时应该采用小的倾角注入。
- 王兵冰汪洋黄如张兴
- 关键词：HALO热载流子效应短沟效应
- 超深亚微米器件的优化设计及实验研究
- 目前，MOSFET的特征尺寸已经进入亚100nm量级，短沟效应、DIBL(漏致势垒降低)效应等因素的影响越来越严重，器件继续按比例缩小将面临更大的挑战。为了解决这些问题，人们已经提出了很多新型器件结构，例如多栅器件、UT...
- 王兵冰
- 关键词：超深亚微米器件优化设计短沟效应阈值电压漂移MOS器件
- 文献传递
- Sub-100 nm NMOS Halo工艺优化分析被引量：5
- 2006年
- 短沟道效应是MOS器件特征尺寸进入Sub-100nm后必须面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效地抑制短沟道效应,合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用器件和工艺模拟工具ISE-TCAD研究形成Halo结构的工艺参数对器件性能的影响,并进行优化。分析表明,Halo注入角度、能量和剂量的增大会提高器件的阈值电压和开关比,降低泄漏电流和阈值漂移,有效抑制SCE、DIBL效应,但同时也会部分地降低驱动能力,即Halo注入参数对器件性能的影响不是简单的线性关系,需要根据具体条件寻求优化值。
- 汪洋王兵冰黄如张兴
- 关键词：HALO短沟道效应离子注入
