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王友功

作品数：31 被引量：50H指数：4
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 19篇电气工程
  • 8篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 11篇电容
  • 11篇电容器
  • 11篇绝缘
  • 8篇绝缘材料
  • 6篇电力
  • 4篇电缆
  • 4篇电力电容
  • 4篇电力电容器
  • 4篇液体绝缘材料
  • 4篇橡胶
  • 4篇聚丙烯
  • 4篇硅橡胶
  • 4篇丙烯
  • 3篇低熔点
  • 3篇油浸
  • 3篇钎焊
  • 3篇钎料
  • 3篇全膜电容器
  • 3篇漏电起痕
  • 3篇耐漏电起痕

机构

  • 29篇西安交通大学
  • 2篇西安电力电容...
  • 2篇交通大学
  • 1篇湖南大学

作者

  • 31篇王友功
  • 9篇李丽琴
  • 6篇宋琳
  • 5篇张照前
  • 3篇华自圭
  • 3篇刘辅宜
  • 2篇陈景亮
  • 2篇李建英
  • 2篇伍学正
  • 2篇张新平
  • 1篇唐董
  • 1篇彭宗仁
  • 1篇高乃奎
  • 1篇高耀霞
  • 1篇董军
  • 1篇赵醒社
  • 1篇张文斌
  • 1篇梁磊
  • 1篇江正平
  • 1篇王国伟

传媒

  • 12篇电力电容器
  • 2篇电瓷避雷器
  • 2篇绝缘材料通讯
  • 2篇中国电工技术...
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇供用电
  • 1篇第三届全国氧...
  • 1篇全国电力电缆...
  • 1篇1994年电...
  • 1篇中国电机工程...

年份

  • 1篇2004
  • 5篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 4篇1995
  • 3篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
  • 4篇1990
  • 2篇1989
  • 1篇1988
  • 2篇1987
  • 1篇1986
共 31 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
浸渍纸与薄膜介质的介电常数与介质损耗角正切的计算
1990年
本文讨论了以往在浸渍纸及浸渍薄膜介质ε,tgδ计算中存在的问题,并提出了改进意见。还特别讨论了薄膜粗化以及油膜相互作用对ε、tgδ计算公式产生的影响。该文给出的推荐公式可供电容器设计时参考。
王友功常宪民
关键词：介电常数薄膜介质浸渍纸
PVC绝缘、半导电料性能及其用于中压电缆的研究
伍学正王友功陈景亮
关键词：电力电缆聚氯乙烯绝缘材料导电性
电子元器件环氧绝缘粉末包封材料关键技术研究
李盛涛刘念杰陈景亮徐文辉李建英姚学玲郭清堂王友功梁磊彭宗仁
该研究课题为教育部博士点基金、国家自然科学基金项目以及与陕西华电材料总公司的合作项目。主要研究了包封后陶瓷电容器绝缘体系的击穿机理，研究了降低环氧绝缘粉末固化物吸水率的理论和方法，并研制开发了使用工艺性能良好、吸水率低、...
关键词：
关键词：电子元器件
电力电容器设计软件的开发
张照前王友功
关键词：电力电容器设计软件
电力电容器的绝缘击穿
王友功
关键词：电力电容器绝缘击穿液体绝缘材料高压电容器
金属水合物对硅橡胶耐漏电起痕性的影响
研究了氢氧化铝和氢氧化镁两种金属水合物对硅橡胶耐漏电起痕性能影响，分析了其影响机理。综合氢氧化铝对硅橡胶电气性能和物理机械性能的影响试验结果，得出了氢氧化铝的最佳含量和粒径;氢氧化镁也有助于硅橡材料耐漏电起痕性能的改善。
张照前王友功刘辅宜
关键词：硅橡胶氢氧化铝氢氧化镁绝缘材料
文献传递
氢氧化铝对硅橡胶耐漏电起痕性影响规律的研究被引量：14
1998年
系统研究了氢氧化铝含量及微粉粒径对硅橡胶耐漏电起痕性能的影响规律，探讨了提高该性能的机理。综合研究氢氧化铝对硅橡胶电气性能和物理机械性能的影响后，得出了氢氧化铝填料的最佳含量和粒径要求。
王友功张照前刘辅宜
关键词：硅橡胶护套氢氧化铝复合绝缘材料
全膜电容器干燥浸渍工艺的研究被引量：4
1995年
全膜电容器干燥浸渍工艺的研究西安交通大学王友功，董军西安电力电容器研究所陆祖怀１前言电力电容器的真空干燥浸渍工艺是电容器生产过程中最关键的工艺之一，它对电容器的质量，运行寿命有极重要的影响，鉴于全膜电容器的优越性，目前国外不少电力电容器的生产厂家已实...
王友功董军陆祖怀
关键词：电容器全膜电容器
油浸膜组合绝缘油中电场失量的测量
王友功
关键词：液体绝缘材料电场强度测量油膜
无钎剂钎焊低熔点铝用钎料及其制备方法
一种无钎剂钎焊低熔点铝用钎料，其成分按重量百分比计如下：Sn：55～61%，Zn：24～27%，Cd：8～12%，Bi：0.4～0.7%，Si：2.0～2.4%，Ce：0.2～0.5%，In：1.0～2.0%。此外还可加...
张新平陈孝存华自圭王友功
文献传递
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共4页<1234>
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