王婷岚
- 作品数：5 被引量：28H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 纳米器件电流噪声的散射理论统一模型研究被引量：3
- 2011年
- 传统散射理论在研究器件噪声特性时,并没有考虑非相干输运和库仑作用对散粒噪声的抑制,而在实际纳米器件中这两种效应不可忽略.本文基于散射区等效接触端模型推导了考虑上述两种效应的电流噪声散射理论统一模型,该模型适用于从相干输运到非相干输运的整个输运区,并同时考虑了泡利不相容原理和库仑作用对散粒噪声的抑制.本文也提出了一种基于统一模型的电流噪声数值模拟方法,该方法所得散射区特性与散射区等效接触端模型特性一致.
- 唐冬和杜磊王婷岚陈华贾晓菲
- 关键词：散射理论
- 纳米尺度MOSFET过剩噪声的定性分析被引量：2
- 2011年
- 最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪声.本文基于器件电流模型分析散粒噪声取代热噪声成为过剩噪声主要成分的转变条件,根据该条件对纳米尺度MOSFET噪声特性的预测与文献报道的实验现象、模拟结果以及介观散粒噪声相关结论相符合.
- 唐冬和杜磊王婷岚陈华陈文豪
- 关键词：散粒噪声
- 纳米MOSFET散粒噪声及输运机制研究
- 实验测量和理论模拟结果都表明,当器件沟道长度减小到某一长度后,载流子输运机制将从漂移扩散向准弹道甚至弹道输运过渡,而器件中的过剩噪声主要成分将从以热噪声为主转变为以散粒噪声为主。本文通过深入分析,发现输运机制转变与过剩噪...
- 王婷岚
- 关键词：散粒噪声
- 电子器件散粒噪声测试方法研究被引量：21
- 2011年
- 本文分析了超导量子干涉器(SQUID)和超导-绝缘-超导(SIS)约瑟夫森结散粒噪声测试方法的应用局限性,提出了常规器件的散粒噪声测试方案.针对常规电子器件散粒噪声特性,研究了噪声测试基本条件,并建立了低温测试系统.通过采用双层屏蔽结构和超低噪声前置放大器,实现了较好的电磁干扰屏蔽和极低的背景噪声.在10K温度下对常规二极管散粒噪声进行了测试,通过理论和测试结果对比分析,验证了测试系统的准确和可信性.
- 陈文豪杜磊庄奕琪包军林何亮陈华孙鹏王婷岚
- 关键词：散粒噪声电子器件噪声测试
- 准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制研究被引量：5
- 2012年
- 目前研究准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制时,采取了完全不考虑其抑制,或只强调抑制的存在而并未给出抑制公式的方式进行研究.本文基于Navid模型推导了准弹道输运纳米MOSEET散粒噪声,并得到了其在费米作用、库仑作用和二者共同作用三种情形下的抑制因子.在此基础上,对各抑制因子随源漏电压、栅极电压、温度及源漏掺杂浓度的变化特性进行了研究.两者共同作用的抑制因子随源漏电压和栅极电压变化特性与文献中给出的实验结论相符合,从而对实验上得到两者共同作用下的抑制因子随源漏电压和栅极电压的变化特性给出了理论解释.
- 贾晓菲杜磊唐冬和王婷岚陈文豪
- 关键词：散粒噪声纳米MOSFET
