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王振: 作品数：55 被引量：61H指数：5; 供职机构：重庆邮电大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目博士科研启动基金更多>>; 相关领域：电子电信文化科学理学一般工业技术更多>>

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Ge/Si SACM-APD器件分析被引量：1: 2015年; Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750-1500 nm范围内具有较高响应度,其峰值波长为1050 nm;在高偏压以及高光照强度情况下,倍增区发生空间电荷效应从而导致增益降低。; 王巍颜琳淑王川杜超雨王婷王冠宇袁军王振

一种高带宽NP型CMOSAPD的研究被引量：5: 2015年; 提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明:采用标准0.18μm CMOS工艺,所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20μm×20μm,在反向偏压为16.3 V时,器件的雪崩增益为20,响应度为0.47 A/W,3 d B带宽为8.6 GHz。; 王巍王川颜琳淑杜超雨王婷王冠宇王振冯世娟; 关键词：雪崩光电二极管 CMOS APD 带宽

基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器被引量：1: 2013年; 提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/(Hz)(1/2)(0～10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。; 王巍武逶冯其王川唐政维王振袁军; 关键词：跨阻放大器 CMOS

基于顶发射有机发光二极管的二阶微腔长度性能研究: 2021年; 在玻璃衬底生长金属铝作为不透明阳极,制备了结构为Al(100 nm)/TAPC(x nm)/TCTA(10 nm)/TCTA:Ir(ppy)3(10%,25 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(2 nm)/Al(1 nm)/Ag(20 nm)/Alq3(y nm)作为顶发射的有机发光器件,其中x为30、130、160、170和180,y为20、40、60和80,研究了器件的二阶腔长及出光耦合性能。实验表明,通过改变空穴传输层的厚度,使器件微腔长度处于第二阶微腔效应增强区,可以提高器件的光电性能。同时当光输出耦合层厚度发生改变时,半透明阴极的光线穿透率与反射率发生改变,从而有效改善器件的光电性能。当微腔长度为230 nm、光输出耦合厚度为80 nm时,器件具有最佳的光电性能,并且光谱的角度稳定性强。器件最大亮度、电流效率和功率效率分别达到25 960 cd/m2、19.1 cd/A和16.01 lm/W。; 王振梁真山肖飞陈家雯卢永生彭悦张文霞王玉婵; 关键词：微腔效应光电效率

一种手性钙钛矿晶体片及其制备方法和应用: 本发明涉及一种手性钙钛矿晶体片及其制备方法和应用，属于光电子材料与器件技术领域。该手性钙钛矿晶体片的制备方法为：先将具有螺旋结构的手性有机配体(R/S)‑甲基苄胺与由PbO和HBr制备的钙钛矿前驱液共置于密闭环境中反应，...; 潘睿亨刘雨桐王学汪永杰周贤菊王振

一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管: 本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型...; 王巍王川颜琳淑胡洁王婷杜超雨王振袁军; 文献传递

Small Cell发现技术的研究分析: 2015年; Small Cell技术是LTE中一项重要的新兴技术,是服务热点区域,企业级用户及室内增强覆盖的必要部署手段,主要用于提升网络容量,优化网络部署。主要通过对LTE-A标准及OFDM技术的研究,同时结合Small Cell的特性,分析了当前Small Cell发现技术的相关研究现状,最后通过对比对其进行了总结与展望。; 王振李贵勇; 关键词：同步信号

一种基于无铅铯锑碘钙钛矿阻变存储器及其制备方法: 本发明涉及一种基于无铅铯锑碘钙钛矿阻变存储器及其制备方法，属于钙钛矿阻变存储器技术领域。本发明提出的一种基于无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器及其制备方法，不仅工艺简单、还在钙钛矿阻变层中用锑元素取代铅元素，使器件制备过程绿色...; 王玉婵袁一鸣张文霞戚飞张楠王振张良睿; 文献传递

一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用: 本发明涉及一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿半导体纳米晶制备技术领域。本发明的制备方法不仅成功在全无机钙钛矿半导体纳米晶中引入铈离子降低铅含量，成功提升全无机钙钛矿半导体...; 王振谭星陈威威

基于有机异质结C60/ZnPc的绿色磷光TOLED被引量：2: 2019年; 以有机异质结C60/ZnPc作为电荷产生层,制备结构为ITO/TPBi(40nm)/C60(x nm)/ZnPc(x nm)/NPB(40nm)/Al(120nm)和ITO/TPBi(40nm)/LiF(y nm)/Al(2nm)/C60(5nm)/ZnPc(5nm)/MoO3(3nm)/NPB(40nm)/Al(120nm)的非发光倒置器件,其中x的值为0、5、10和15,y的值为0、0.5、1.0和1.5.实验证明,有机异质结C60/ZnPc可在外电场下实现电荷分离,加入LiF/Al和MoO3可更有效地提高电荷产生层的电荷分离和注入能力.基于LiF/Al/C60/ZnPc/MoO3结构,制备绿色磷光叠层有机发光二极管,进一步研究该电荷产生层对叠层器件的光电性能影响.结果表明,电荷产生层的电荷分离和注入可影响叠层器件内部的电荷注入平衡,进而对器件性能产生影响.当LiF、Al、C60、ZnPc和MoO3结构厚度分别为0.5nm、1nm、5nm、5nm和3nm时,电荷产生层产生的电荷与两侧电极注入的电荷达到匹配,使叠层器件具有最佳光电性能,获得了高效绿色磷光叠层器件,其驱动电压明显低于单层器件2倍,最大亮度、电流效率和功率效率分别达84660cd·m^-2、94.7cd·A^-1和43lm·W^-1.; 陈爱王振谢嘉凤王培肖飞陈家雯卢永生张文霞王玉婵; 关键词：有机半导体电荷分离电荷注入光电性能