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王燕

作品数：7 被引量：20H指数：3
供职机构：西安理工大学理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 4篇多孔硅
  • 3篇荧光
  • 3篇荧光增强
  • 3篇荧光增强效应
  • 2篇纳米硅
  • 2篇纳米硅薄膜
  • 2篇光学
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇分子
  • 1篇带隙
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电性质
  • 1篇荧光素
  • 1篇荧光素钠
  • 1篇染料
  • 1篇染料分子
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇钠分子

机构

  • 7篇西安理工大学
  • 3篇陕西师范大学

作者

  • 7篇余明斌
  • 7篇王燕
  • 3篇李永放
  • 2篇刘满仓
  • 2篇王燕
  • 2篇马爱华
  • 1篇魏昂
  • 1篇罗家俊

传媒

  • 3篇西安理工大学...
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇陕西师大学报...

年份

  • 1篇1999
  • 4篇1998
  • 2篇1997
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
纳米硅薄膜微结构变化对薄膜光电性质的影响被引量：5
1997年
用退火的方法改变了纳米桂（nc－Si：H）薄膜的微结构。用Raman散射和共振核反应方法分析了薄膜的微结构变化。结果表明，薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素，而薄膜的晶态体积比和晶粒尺寸是影响薄膜电导率的主要因素。
余明斌王燕马爱华刘满仓
关键词：纳米硅薄膜电导率光学带隙
多孔硅的形成机制及吸收特性被引量：3
1998年
用测量多孔硅反射谱的方法研究了多孔硅在吸收边附近的特性。由于多孔硅的微空洞和残余部分大约只有纳米量级，故采用波长为２００～２６００ｎｍ的红外到紫外范围的光照射，根据多层膜的反射公式，计算出多孔硅在吸收边附近的吸收系数。结果表明（αｈω）２与（ｈω－Ｅｇ）呈线性关系，表明多孔硅在一定程度上已转变为直接带隙半导体。
余明斌王燕
关键词：多孔硅光吸收特性反射谱
多孔硅吸附荧光素钠分子产生荧光增强效应被引量：3
1998年
多孔硅表面吸附荧光素钠分子后，由于其表面的独特性质，使得荧光素钠的荧光得到很大的增强，在这种吸附过程中彼此间存在能量转移过程．文中对荧光素钠增强机理及实验结果进行了详细分析讨论．
李永放余明斌王燕魏昂
关键词：多孔硅荧光素钠荧光增强效应光致荧光
多孔硅吸附染料分子的荧光增强效应被引量：7
1999年
报道了利用多孔硅独特的表面特性，吸附染料分子后，使得染料的荧光得到很大的增强，并观察到了这种吸附过程中彼此间的能量转移过程。对染料的荧光增强机理及实验结果进行了讨论。
李永放魏昂余明斌王燕
关键词：多孔硅染料分子荧光增强效应
掺Er硅的发光机理的探讨及其应用前景的展望
1998年
本文探讨了硅掺入稀土元素Ｅｒ后能发出波长为１５４０ｎｍ的光的机理，对影响其发光特性的温度猝灭现象作了初步分析，最后指出了将其实用化还必须解决的一些问题。
罗家俊余明斌王燕
关键词：半导体硅基材料发光机理掺杂
纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应被引量：1
1997年
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。
余明斌王燕刘满仓马爱华
关键词：纳米硅量子点
多孔硅表面光学敏感性研究被引量：1
1998年
由于多孔硅具有大表面积，所以常呈现出非常灵敏的表面特性．作者以多孔硅为载体，吸附各种染料分子，如２，２′菁染料分子及其聚集体，首次观察到吸附分子的荧光增强效应和能量转移过程，文中对其机理进行了讨论．
李永放魏昂余明斌王燕
关键词：多孔硅荧光增强效应
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