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王禧艳

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉理工大学理学院更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇纳米
  • 1篇形貌
  • 1篇氧化钛
  • 1篇碳化硅
  • 1篇微结构
  • 1篇粒径
  • 1篇纳米TIO2
  • 1篇纳米二氧化钛
  • 1篇纳米碳
  • 1篇纳米碳化硅
  • 1篇格图
  • 1篇光催化
  • 1篇光催化性
  • 1篇光催化性能
  • 1篇光谱
  • 1篇二氧化钛
  • 1篇催化
  • 1篇催化性

机构

  • 2篇武汉理工大学

作者

  • 2篇王禧艳
  • 1篇田旭
  • 1篇陈丽英
  • 1篇高文丽

传媒

  • 1篇机电工程技术

年份

  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高压处理对纳米碳化硅形貌的影响
2011年
纳米科学技术是21世纪的三大科学技术之一,纳米半导体的性质就特别引人瞩目。介绍了纳米碳化硅在冷高压条件下的表面特性以及晶体在透射电镜下的微观结构。结果表明,晶体粒径随压力的增大而增大,纳米碳化硅的致密性得到提高。
高文丽田旭陈丽英王禧艳
关键词：纳米碳化硅粒径
高压处理纳米TiO2及其光谱性能研究
纳米二氧化钛是一种重要的宽禁带半导体材料，其具有良好的光催化性能，但是它对光源的利用率还不是很高，所以提高它在紫外光区得催化强度并使其光响应区域扩展到可见光区，是目前很多学科研究的热点。　　 本论文的主要工作是利用两面...
王禧艳
关键词：纳米二氧化钛微结构光催化性能
文献传递
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共1页<1>
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