王雪林
- 作品数：21 被引量：1H指数：1
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程金属学及工艺更多>>
- 一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法
- 本发明涉及一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法，采用多能量中/重离子注入，注入离子的能量范围是2MeV~6MeV，注入后采用温度由低到高阶梯式退火处理，温度范围200℃~500℃,逐渐增加退火温度，每次增加温度的...
- 胡卉卢霏王雪林陈峰王克明
- 用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法
- 一种用离子注入制备钕掺杂钒酸钇晶体波导激光的方法，主要在(Nd<Sup>3+</Sup>:YVO<Sub>4</Sub>)晶体中形成平面及条形波导和实现波导激光输出。采用能量为2.0-6.0MeV，剂量为1×10<Sup...
- 卢霏胡卉陈峰王雪林王克明
- 文献传递
- 离子注入非线性和激光晶体波导的研究进展
- 作为一种有效的材料表面改性技术,离子注入可以用来改变许多光学材料表面的折射率,从而形成光波导结构。这种折射率的改变与材料本身有密切关系,同时又依赖于注入离子的种类、能量和剂量。本文简要的综述了用离子注入技术在非线性和激光...
- 陈峰王雪林王克明
- 关键词：离子注入非线性晶体激光晶体
- 文献传递
- 一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法
- 本发明涉及一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法，采用多能量中/重离子注入，注入离子的能量范围是2MeV~6MeV，注入后采用温度由低到高阶梯式退火处理，温度范围200℃~500℃,逐渐增加退火温度，每次增加温度的...
- 胡卉卢霏王雪林陈峰王克明
- 文献传递
- 一种以Raf/MEK/ERK和PI3K/Akt为靶点的双通道抑制剂
- 本发明公开了一种以Raf/MEK/ERK和PI3K/Akt为靶点的双通道抑制剂，化学名称为1-(2-氨基)乙基-3-(3-(4-甲氧基)苯基)丙烯基吲哚-2-酮盐酸盐，具有结构式(Ⅰ)的化合物：<Image file="...
- 吴敬德王雪林曲颖江余祺李晓杨
- 文献传递
- 用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法
- 本发明用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法，至少应包含离子注入和电子束退火等步骤。采用能量1MeV～6MeV的C<Sup>+</Sup>，Cu<Sup>+</Sup>等离子注入，注入剂量在1×10<Sup>13</S...
- 卢霏胡卉陈峰王雪林王克明
- 文献传递
- 基于离子注入LiNbO3和KTP波导的光子晶体平板的光学传播特性的模拟
- 光子晶体是电介质或金属的周期性排列结构。应用于光学波段的光子晶体的周期在微米或亚微米量级。而周期在微米量级的无缺陷的三维光子晶体制备困难。在均匀平板上制备的二维周期性结构就成了另一种常用选择,又称光子晶体平板。光子晶体平...
- 黄庆刘鹏赵金花刘涛郭沙沙王雪林
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- 微纳结构的载能离子制备、调控及其机理研究年度报告
- 2016年
- 以粒子束技术为基础的材料制造技术,在材料和半导体器件的发展中起着举足轻重的作用,芯片性能的提高将更多地依赖于粒子束与微纳物质作用及其精确调控技术。目前,离子注入技术最成功的应用领域是半导体工业,其被广泛应用于半导体源\漏、阱掺杂工艺中;另一方面,在微电子、光电子领域的前沿-SOI技术领域,离子注入技术同样获得广泛应用,例如:采用氧离子注入合成SOI材料并利用缺陷离子实现对其绝缘埋层厚度的精确调控,氦-氧多种类离子注入合成SOI纳米结构等。此外,为了推动微电子技术沿摩尔定律继续发展,新型硅基应变材料,如,绝缘体上应变硅和绝缘体上应变锗硅等,由于具有比Si高的多的载流子迁移率以及同传统的Si器件工艺兼容,因而得到研究领域和产业界的高度重视。其材料制备关注的焦点在于利用离子注入引入纳米孔层对异质外延应变材料应力释放,实现应力转移,最终获得以上新型硅基应变材料。总之,对离子注入合成纳米尺度材料的机理进行研究,探索半导体材料离子注入原子的沉淀分解、扩散与成核长大等物理效应与演变机制,以及粒子束对材料应变的形成、应变释放的作用对新型半导体材料合成具有重要的指导意义。高能离子束与光电绝缘体功能材料的相互作用是一个具有很强应用前景的课题。具有一定能量的离子束,轰击光电功能材料表面,辐照离子通过损伤、缺陷机制,诱导特定区域的折射率发生变化,在表面形成光波导结构。根据注入离子的能量、方式的不同,可以分为离子注入、快重离子辐照、聚焦质子束。我们综合利用上述手段在多种晶体材料中晶体上实现波导结构,研究表明离子辐照技术作为一种非平衡的物理方法,注入离子的数量小,而且多数离子都位于注入射程的末端,在波导层中几乎没有掺杂效应,能够保持
- 张苗王雪林魏星
- 关键词：离子束绝缘体上硅
- 一种以Raf/MEK/ERK和PI3K/Akt为靶点的双通道抑制剂
- 本发明公开了一种以Raf/MEK/ERK和PI3K/Akt为靶点的双通道抑制剂，化学名称为1‑(2‑氨基)乙基‑3‑(3‑(4‑甲氧基)苯基)丙烯基吲哚‑2‑酮盐酸盐，具有结构式(Ⅰ)的化合物：<Image file="...
- 吴敬德王雪林曲颖江余祺李晓杨
- 文献传递
- 用离子注入制备钕掺杂钒酸钇晶体波导激光的方法
- 本发明用离子注入制备钕掺杂钒酸钇晶体波导激光的方法，主要在(Nd<Sup>3+</Sup>：YVO<Sub>4</Sub>)晶体中形成平面及条形波导和实现波导激光输出。采用能量为2.0－6.0MeV，剂量为1×10<Su...
- 陈峰王雪林王克明卢霏胡卉
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